Flash memory中的叠栅腐蚀工艺

本文主要介绍了 Intel 式 Flash memory 单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了 Flash 叠栅自对准腐蚀对 Flash 性能的重要性。     

叠栅MOSFETs的结构设计与研究

通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言,从而表明该结构可用作射频领域。     

测量薄膜厚度的数字叠栅技术

现代干涉测试的核心是用合理的算法处理干涉图而获得所需的面形及参数。由于常见的相移法要通过移相器有规律地移动采集多幅干涉图并数字化后求取波面的相位分布,这样必然引入由于移相器的线性及非线性误差所带来的计算误差,因此需要事先对移相器进行标定。采用了数字叠栅方法,利用一幅静态干涉图与一个正弦光栅的四幅光强分布图叠加,从而实现相移式动态干涉测试的效果,借助于相移法处理干涉图原理,可获得波面相位分布,从而实现对薄膜厚度的测量。由于正弦光栅的初始相位是由计算机产生的,所给出的相位移动不含任何移相误差,因此可提高测量的精度。     

干涉条纹空间频率对数字叠栅移相干涉测量精度的影响

基于数字叠栅移相干涉原理,分析了CCD像元尺寸、随机噪声和量化误差对采样后干涉条纹和合成叠栅条纹对比度的影响,并就干涉条纹频率对叠栅移相干涉相位测量精度的影响进行了理论分析和仿真研究。结果表明,随着干涉条纹空间频率的增大,CCD的采样过程、随机噪声和量化噪声会影响叠栅条纹信号的对比度和信噪比,并通过相位解算过程直接影响数字叠栅移相干涉的相位测量精度。以相位测量精度为π/50(折合光程差精度为λ/100)作为判断标准,对应可探测干涉条纹的最大空间频率为0.45λ/pixel,为后续数字叠栅移相干涉测量范围的研究提供了定量理论依据。     

利用空域滤波虚光栅叠栅法提取干涉图波面

虚光栅叠栅条纹法是一种利用单幅干涉图提取波面信息的方法,为了解决叠栅条纹的滤波问题,提出了一种基于高斯函数的空域滤波法。利用高斯函数在空域中对叠栅条纹图进行模糊处理,滤除不需要的高频分量,仅保留包含波面相位信息的低频分量。重点研究了高斯函数滤波窗口的选择和干涉图的载频之间的对应关系。该方法具有计算量小、易于选取滤波窗口的优点。对一光学平面的面形测量结果表明,利用空域滤波虚光栅叠栅法提取的波面[峰谷(PV)值为0.080λ,均方根(RMS)值为0.020λ,λ=632.8nm]与利用Zygo GPI干涉仪的四步移相法得到的波面(PV值为0.079λ,RMS值为0.017λ)相吻合。     

接近式光刻对准中的叠栅干涉测角方法

干涉测量是众多科学与工程领域广泛采用的精密计量手段。探索了一种方便可控的基于双光栅衍射的叠栅干涉相敏测角方法,可直接用于接近式光刻过程中掩模衬底的倾斜矫正及面内角调节,便于微纳米器件及微光电子系统集成等相关应用。本方法旨在分别利用双光栅多次衍射产生的对称与相似级次,实现(m,-m)级叠栅干涉与(m,0)级叠栅干涉,产生相位与二者相对倾斜角、面内角有关的场分布。分析推导了叠栅干涉测角的基本原理,然后介绍相应的(m,-m)级与(m,0)级干涉测角方案设计。具体而言,二者均类似地根据条纹偏转及频率变化分别以离轴与同轴的方式监测倾斜及面内偏转角度。设计相应的组合光栅标记进行实验验证。实验结果及分析表明,倾斜角与面内角的调节精度分别可达10-3 rad及10-4 rad。     

基于等效叠栅的反射式光刻对准模型研究

针对接近接触式光刻技术的特点,提出了一种实用的反射式光刻对准方案。方案采用差动叠栅条纹对准技术,以叠栅条纹相位作为对准信号的载体。在掩模和硅片上分别设计两组位置相反、周期接近的光栅对准标记。电荷耦合器件(CCD)成像系统接收叠栅条纹图像,采用傅里叶变换提取叠栅条纹相位,得到掩模与硅片的相对位置关系。设计的标记可同时探测横纵方向的对准偏差。给出了合理的光路设计方案,详细分析了整个系统对准的内在机制,建立了可行的数学模型。研究表明,当对准偏差小于1pixel时,最大误差低于0.002pixel。与透射式光路对比,该方案更具有实用性,满足实际对准的要求。     

一种电介质/P-AlGaN叠栅增强型HEMT

为提高器件的阈值电压,提出了一种带电介质/P-AlGaN叠栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT。分析了器件阈值电压提高的机理,优化了电介质的介电常数和厚度。结果表明,该增强型AlGaN/GaN HEMT的阈值电压高达8.6 V。这个很高的阈值电压值能满足功率电子系统的安全性需要。     

镍基合金中沉淀相微结构AP—FIM研究

用场离子显微镜原子探针(AP—FIM)研究GH49镍基合金中沉淀相的微结构。场离子显微象的观察及原子探针分析表明;基体(r相)不显示出有序结构而沉淀相(r＇相)显示出有序结构,用AP分析测定了沉淀相化学成份。实验结果表明试样经蠕变后沉淀相中Al和Cr的分布与蠕变前有明显的变化。     

相移阴影莫尔轮廓术的相位去包裹处理新技术

文章将相移方法引入传统的阴影莫尔轮廓术中，通过三步相移法得到三维物体的相位分布图。并半原来提出的变精度二次测量相位去包裹方法引种为更一般、更实用的方法，首次利用改变光源位置实现变精度测量。     

莫尔层析术的模型误差分析及实验研究

分析了经典莫尔层析法的误差模型,通过讨论误差产生的机理,研究了目前使用的重建算法的适用范围。用莫尔偏折仪层析重建的实验结果与真实温度值比对,验证了误差模型的正确性。提出存在问题的本质及解决问题的方案——用相位展开法恢复有折射率场变形的波面,提取波面变形量,作为投影数据,重建相应层面的折射率场。     

莫尔条纹同向法测量透镜焦距

本文利用干涉条纹和Rochi光栅形成的莫尔条纹在离透镜2倍焦距方向不变的原理测量凸透镜焦距。该法精度高,操作极其简单。     

碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析

采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析，观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环. 认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的，而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力，又造成位错的增殖. Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.     

高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.     

同心环形光栅莫尔条纹在测量角度方面的应用

本文导出了同心环形光栅莫尔条纹在测量角度方面的定量表达式 ,并给出了测量结果 ,提供了同心环形光栅莫尔条纹测量角度的既简洁又精确的方法。     

基于圆光栅莫尔条纹的CGH元件对准

在双计算全息（CGH）检测非球面的方法中,两片CGH元件位置的精确对准是确保高精度测量的必要前提,针对一凸双曲面检测系统,提出了在主CGH的外围刻制四组圆光栅付的方法来实现该系统中CGH元件的精确对准,其原理基于两个栅线频率相近的同心圆光栅重叠能产生莫尔条纹,通过观察条纹的变化来判断两光栅（一组光栅付）的相对偏移,各组光栅付若同时达到同心,两元件亦便对准。通过对圆光栅进行建模,分析了莫尔条纹产生的原理,仿真模拟了Ф5mm口径内分别包含49个和50个同心圆（周期50μn）的两圆光栅在不同偏移时的条纹图,且实际制作了这样的两个圆光栅,并采集了两光栅重叠后的条纹图,其结果表明,眼睛很容易分辨出1／20周期即2．5μm的偏移。     

几种莫尔等高法的付里叶描述

本文用频谱分析的观点对叠加莫尔，付里叶变换莫尔，扫描莫尔及相移扫描莫尔的方法进行了分析，提出了这几种莫尔等高方法的付里叶描述，文中讨论了这几种方法在频域中的联系，从频域上看这些方法的本质特征是：使携带莫尔信息的基频移中而获得莫尔条纹。     

虚拟莫尔条纹技术测量浮法玻璃斑马角

介绍了利用莫尔条纹测量浮法玻璃斑马角的方法,在此基础上利用虚拟莫尔技术构建了浮法玻璃斑马角测试仪,实验结果表明,仪器能够分辨玻璃转动0.2°所引起的变形,其标准偏差σ=1.1%,大大优于国标所规定的技术指标。     

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ )发现在掺 N直拉 (NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉 (CZ)硅是大不相同的 ,经过高温一步退火后 ,在氧化诱生层错环 (OSF- ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷 (voids)区 ,而经过低 -高温两步退火后 ,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于 voids区 .由此可得 ,在晶体生长过程中 ,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布 .并在此基础上讨论了在大直径 NCZ硅中掺 N影响原生氧沉淀的机理 .