用阳极氧化法钝化碲镉汞半导体表面

光电导半导体材料基体在电解液中用电解方法阳极氧化,如在含0.1克分子浓度的氢氧化钾,90％的乙二醇,10％的去离子水的电解液中,可形成阳极氧化物表面,使表面态密度保持稳定,以防止空穴电子对在扫出过程中复合。这样,能制成高温下长期稳定的红外探测器。     

集成电路用磷铜阳极及相关问题研究

随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。     

酸性电镀铜阳极钝化探讨

硫酸盐光亮镀铜正常生产情况下,磷铜阳极表面有一种黑色的阳极膜,有助于阳极的正常溶解。当阳极出现异常阳极膜脱落,阳极出现硫酸铜结晶,电流异常朝低电流跳动,无法继续生产。本文结合实际案例对阳极钝化进行探讨和怎样预防阳极钝化。     

用对管法来降低脉宽调制集成电路的启动电流

一个辅助绕组通常就能给常用的建立在UC384X上的脱机开关电源(SMPS)供电。在其稳态工作期间,此绕组将给主要的脉宽调制(PWM)控制器供电。但是,该控制器总是需要一个小的启动电流,这就会明显降低其工作效率。例如,当SMPS处于极低功耗的等待时期,此时P_(?)=500mW,就会出现这样的情况。对电源功率的任何浪费,例如,对起动网络和控制器的电源功率的任何浪费,都会加大供电线路电源的消耗,从而大大地降低电路的总效率。在较高的供电线路电压下,争取获得可以接受     

光伏碲镉汞表面钝化技术研究：用阳极硫化／硫化锌复合钝化碲镉汞表面

本文描述了Ｐ型碲镉汞的阳极硫化过程。并对Ｘ－０．０２１２Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ进行了单层硫化锌和阳极硫化／硫化锌复合钝化，表明用复合钝化能提高二极管的Ｉ－Ｖ特性。     

阳极氧化膜对光伏探测器的钝化作用

本文根据对阳极氧化膜与(Hg、Cd)Te界面特性的电子能谱和MIS C-V测试结果,讨论了用阳极氧化膜作光伏探测器钝化膜的可能性。提出了在(Hg、Cd)Te表面先生长一层约0.01μm阳极氧化膜作表面预处理的新设想。(Hg、Cd)Te为衬底的探测器目前常规使用的钝化膜有阳极氧化膜ZnS和SiO_2及它们     

氮化硅与铝阳极氧化相结合用于半导体器件钝化

引言众所周知,氮化硅可以极好地保护硅半导体器件不受离子沾污。而为了充分利用这一优点,还必须使氮化硅复盖在接触窗口的氧化层边缘以阻止沾污通过氧化层横向迁移。调节这种复盖要以增加微小器件的接触面积为代价,不管怎样,为了使器件面积的增加,减至最小且要实现复盖,通常氮化硅接触切面要极其致密,并严格对准。本文描述了一种适应这些要求,且能有效地防止离子沾污的技术。用阳极氧化氮化硅可以容易地在预先掩蔽和腐蚀的二氧化硅上沉积氮化硅接触切     

多媒体系统用大规模集成电路

多媒体系统用大规模集成电路赵锦（广电部信息中心）在多媒体系统处理的文字、图形、声音和图像等各种形式的信息中，以图像信息最能给人以深刻的印象。但是一幅图像，特别是活动图像的数据量十分庞大，这就给图像信息的处理带来了很大的困难。因此，为了构筑具有魁力的多...     

电子琴用大规模集成电路

电子琴是一种受到广大音乐爱好者喜爱的新颖乐器。随着电子技术的发展。电子琴的电路技术发展很快。现代电子琴在音色变化、伴奏功能、可靠性、以及使用寿命等方面都有了较大的提高。目前,我国市场上的进口电子琴主要有日本卡西欧 CT-310、MT-35、MT-65(68)和雅马哈 PSR-15、PS-200等。这些电子琴中都有两块大规模集成电路,一块用作信息控制、脉冲分配,另一块则用来产生各种乐音。这些电子琴中所用的大规模集成电路的型号如表1所列。     

电源用功率集成电路

在电路中,从供给功率的意义上来说,电源是必不可少的而且也是非常重要的。然而,随着电路的晶体管化,尤其是集成电路的广泛应用,为了充分地发挥电路的作用并保证其工作稳定,必然对电源提出更严格的要求。对电源的要求之一是输出电压的稳定化。众所周知,电源的电压基本上是首先从适当的变压器获得交流电压,经整流后变为直流供电路使用。但是,电源的输出电压是随输入的交流电压的变化和负载电流的变化而变化的,从而引起电路性能的变化。为了减少电源输出电压的变化,必须对电源变压     

用激光修复集成电路

用激光调整单片集成电路是半导体加工提出很久的一个问题。美国Teradyne公司提出一种特别适用于存贮器的检测方法，它能提髙其加工效率和改进其特性分散性。有一种改进存贮器集成电路VLSI加工效率的简单方法，就是使用电路的多余行列对其修复。其过程是：首先测试集成电路，确定它的缺陷位置,然后对其修复。     

微波集成电路用焊料

本发明的金薄膜焊料是按照铟(I_n)65～94％,铅(P_b)23～4％,银(A_g)12～2％的比例配制而成的。现将发明的内容介绍如下: 本发明是为了能够牢固地焊接金薄膜而配制的焊料。过去制作微波集成电路,是在陶瓷基片或熔融石英基片的表面上涂敷金(A_u)薄膜形成导电图形。这些导电图形焊盘上支撑片     

无绳电话用大规模集成电路

日本冲电气实业有限公司研制出两种下一代无绳电话用 LSI 芯片,此电路集成有时分复用电路,可把模拟声转换成数字信号, 使无绳基台电话与4个可分离的电话(即使室外用)同时通话。     

氢化非晶硅薄膜对C-MOS集成电路的钝化保护作用

本文指出,用α-Si∶H膜钝化CH 4081型中规模电路能明显地降低反向漏电流,使场开启电压提高;配对管开启电压匹配良好,从而使动态工作电压由5.0V下降到3.0V。半绝缘性α-Si∶H膜对外界干扰有屏蔽效果,可使C—MOS器件阈值电压的负漂移减小。研究了α-Si∶H钝化膜的抗高能粒子的辐照作用,仅2000～3000(?)厚的α-Si∶H膜能使CH4081电路的抗辐照能力由10~(10)e/cm~2提高到大于10~(12)e/cm~2(1.2MeV)。钝化后的C—MOS电路自然存放数年后,电路参数基本稳定。     

光纤通信用光电集成电路

本文介绍了光电集成电路(OEIC)工艺技术的新思想和新方法;叙述了光纤通信用 OEIC 器件的新结构与特性;分析了 OEIC 用于光纤通信的几个问题。     

砷化铝-镓激光二极管

法国汤姆森公司中央研究室最近研制成功一种砷化铝-镓激光二极管,它的工作电流密度比通常的双异质结构器件约小9倍.这种转型结构激光二极管将激光光束限制在梯度腔壁的空腔内,是采用低压有机金     

有孔Al_2O_3能广泛用于集成电路钝化

使用Al_2O_3作为集成电路的表面钝化,在国内外很长时间以来都获得了广泛的重视。然而,我们过去对采用Al_2O3。作为集成电路钝化,始终停滞在少量试验阶段。其原因是经阳极氧化后的硅片给划片带来较大的困难,而且用真空吸片非常繁锁,加上大马力的机械泵在清洁工艺线上使用油蒸汽污染严重。因此,我们从去除机械泵吸气着手,力求投入批量生产。我们摸索了阳极氧化的规律,改进了装置硅片的方法,试行用金属鲤鱼夹子夹持硅片进行阳极氧化。经过一年多的观察使用,证明这种方法简单易行,效果良好,用这种方法钝化的5G24通用型集成运放已顺利通过了各种苛刻的可靠性试验及抗辐射试验,并已用于国防工程项目。令人感兴趣的是这种方法能投入大批量生产,目前的生产量已能每小时生产40大圆片,且有潜力可挖。在解决批量生产的同时,我们又进一步解决了划片问题。