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相似文献
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1.
高温高Bs和低功耗MnZn铁氧体材料的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
选用高纯原料,采用传统氧化物陶瓷工艺,复合添加纳米SiO2、普通CaCO3,制备MnZn铁氧体材料,实现了低ZnO、高密度,高温(100℃)Bs达到了450mT;通过二次添加TiO2杂质、调整Mn3O4含量控制Fe2 ,使K1→0,获得了较为平坦的Pcv~T曲线。根据铁氧体各温区固相反应的机理研究出烧结工艺与混合气氛的合理匹配技术并应用于材料研制。成功研制出了高温高Bs、低功耗MnZn铁氧体TP4F材料。  相似文献   

2.
开发了一种具有较高饱和磁感应强度Bs,并且在MHz频率下仍保持较低功耗Pcv的新型MnZn功率铁氧体,分析了不同频率下材料的损耗机制。与3F4相比,本材料在100℃下,30 mT/1 MHz及10 mT/3 MHz下,Pcv分别为60和115 k W/m~3,低于3F4的135和225 k W/m~3;且本材料Pcv-T(10 mT/3 MHz)曲线平缓,但磁导率偏低;可适用于3 MHz以下频段,促进高频开关电源的小型化。磁谱曲线表明,材料截止频率为8.2 MHz;在3 MHz/10 mT条件下,25、80和120℃的Pcv分别为106、112和116 k W/m~3;25和100℃时,Bs分别为519和453 mT。  相似文献   

3.
高Bs锰锌铁氧体居里温度的确定   总被引:2,自引:0,他引:2  
分别用振动样品磁强计和低频电测量了不同成分的高Bs锰锌铁氧体的居里温度。结果表明,用振动样品磁经计测量由样品的Ms-T曲线得到的居里温度,要高于用电桥测量μi-T曲线得到的居里温度,高出5到14K,对实验结果进行了分析讨论。  相似文献   

4.
以高纯度的NiO、ZnO、Fe2O3为原料,采用氧化物陶瓷工艺制备了高Bs NiZn铁氧体材料.通过岩崎B-H Analyzer SY-8232、Agilent 4285A和4284A多频LCR测试仪分析了NiO含量对材料的饱和磁感应强度、起始磁导率、Q值的影响;通过扫描电镜(SEM)观测样品的晶粒.结果表明,当NiO、ZnO、Fe2O3含量比为0.6:0.4:1、烧结温度为1140℃时,材料饱和磁感应强度大于480mT.  相似文献   

5.
P2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体性能的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
为获得高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了P2O5掺杂对MnZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高.但若掺杂过量,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方为(Zn0.454Mn0.493Fe2 0.053 )Fe23 O4的材料中,当P2O5掺杂量为0.10wt%时,起始磁导率可达10345.  相似文献   

6.
研究了预烧工艺对高磁导率MnZn铁氧体材料主要电磁性能的影响。结果表明,适宜的预烧温度可明显缓和该材料的磁导率与品质因数之间的矛盾,同时获得较高磁导率和较高的品质因数,即具有较低的比损耗因子和磁滞常数,同时其它参数也得到一定的改善。  相似文献   

7.
高磁导率、高直流叠加MnZn软磁铁氧体材料研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用普通陶瓷工艺制备MnZn铁氧体材料,研究了主配方及掺杂对材料直流叠加特性的影响.结果表明,主配方中适当过量的Fe2O3可以增大材料的饱和磁通密度,推迟磁芯的饱和磁化,从而改善材料的直流叠加特性;添加适量的Co2O3等杂质可与铁氧体负的磁晶各向异性常数K1进行补偿,从而改善材料磁导率的温度特性.  相似文献   

8.
用普通陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了MoO3和CaCO3掺杂对材料的磁特性的影响。发现添加MoO3能够促进晶粒长大,从而提高材料的磁导率,但添加过量会增大铁氧体材料的气孔率。添加CaCO3使得晶界明显,晶粒均匀,起始磁导率增高,同时形成了高电阻的晶界层,降低了材料的比损耗因子。  相似文献   

9.
采用氧化物陶瓷工艺制备高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了CaO和MoO3添加对材料磁性能的影响。添加CaO可以形成高阻晶界层,增大材料电阻率,明显增大材料的中频阻抗。添加MoO3能促进晶粒长大,提高起始磁导率,但磁导率频率特性变差。当复合添加0.04wt%CaO和0.07wt%MoO3时,材料具有较好的综合性能:μi=11495,μ200kHz/μ10kHz=98%,T25×15×8的环状磁心在50mV、500kHz测试条件下,阻抗Z=2255。  相似文献   

10.
高磁导率MnZn铁氧体的ZnO过量研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用化学共沉法和普通空气中烧结,真空冷却工艺,制备了μi为10000的MnZn铁氧体材料。配方中ZnO过量2mol%,能提高μi达30%以上。文中对高磁导率MnZn铁氧体的结构和性能进行了研究.  相似文献   

11.
在钟罩式气氛烧结炉中烧结高导MnZn铁氧体材料.研究发现,掺入适量的CaCO3和Bi2O3能改善材料的磁性能.烧结过程中烧结温度的增高可以促进晶粒长大,有利于提高起始磁导率;烧结气氛对离子电价和晶相形成有着决定性影响,选择合适烧结工艺是制备优质MnZn铁氧体的关键.  相似文献   

12.
用溶胶-凝胶自蔓延燃烧法制备的低温度系数MnZn铁氧体   总被引:4,自引:0,他引:4  
用溶胶-凝胶自蔓延燃烧法制备软磁锰锌铁氧体,研探了工艺条件对MnZn铁氧体磁导率温度系数及相关磁性能的影响,探讨了提高温度稳定性的途径及掺杂Co^2 对该性能的影响.实验表明,谈方法是制备高性能软磁铁氧体的又一种优良方法.  相似文献   

13.
介绍了一种=10000的高磁导率低损耗MnZn铁氧体TH10材料的性能特点及其烧结、掺杂技术.这种材料适用于低功率信号传输变压器(如ADSL 变压器),可以降低变压器谐波失真,提高传输速率.  相似文献   

14.
采用传统陶瓷工艺及通过调整主配方,成功研制出了二峰温度从25℃至140℃的一系列超高饱和磁通密度Mn-Zn铁氧体材料。结果显示,因为锰锌铁氧体材料的饱和磁通密度Bs取决于主配方以及致密度,超富铁主配方是获得超高Bs锰锌铁氧体材料的必要条件;在超富铁主配方中,增加Fe2O3含量或Zn O含量都会使二峰温度升高,与常规配方是完全相反的变化规律;二峰温度越高,最低损耗值越高、高温Bs越高、起始磁导率越低、相对密度越低。  相似文献   

15.
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn铁氧体材料,研究了配方中Ni(以NiO的形式)取代Mn对MnZn铁氧体微结构及磁性能的影响。结果表明,配方中Ni取代会造成磁导率下降、损耗增大,但适宜的取代量可以提高MnZn铁氧体材料的高温饱和磁感应强度,当取代量为3.5mol%时,MnZn铁氧体100℃下的饱和磁感应强度可以高达492mT。  相似文献   

16.
采用氧化物陶瓷工艺制备了高频MnZn功率铁氧体,基于动态磁化理论和损耗分离方法,研究了烧结氧分压对材料显微结构、磁导率和损耗的温度特性的影响。结果表明,随着氧分压的增大,室温下MnZn功率铁氧体的密度d、平均晶粒尺寸D、电阻率ρ和起始磁导率μi逐渐减小,而磁滞损耗Ph和涡流损耗Pe逐渐增大,同时μi-T曲线的二峰位置和Ph-T曲线的最小值所对应的温度逐渐移向高温。相同氧分压烧结MnZn功率铁氧体的涡流损耗Pe和剩余损耗Pr均随温度升高而增大。在氧分压为2%时,高频MnZn功率铁氧体具有最优性能,室温下起始磁导率μi为1175,1 MHz/50 mT时20℃与100℃的损耗PL分别为359 kW/m~3和486 kW/m~3,3MHz/10mT时20℃与100℃的损耗分别为221 kW/m~3和301 kW/m~3。  相似文献   

17.
使用同一配方制备得到的锰锌铁氧体坯件分别在1360℃、1330℃、1300℃下采用平衡气氛法烧结,制备得到致密的锰锌铁氧体磁环。SEM结果表明,降低烧结温度有效地减小了晶粒尺寸,消除了晶粒内部气孔,改善了晶粒均匀程度,使晶界更为清晰。电磁性能测试表明,在三种温度烧结得到的锰锌铁氧体材料的起始磁导率μi没有显著差异;饱和磁感应强度Bs随烧结温度降低有小幅上升;总功率损耗随烧结温度的降低而下降;并且在1300℃烧结的铁氧体材料的功率损耗(100k Hz/200m T,100℃)很低,约为255k W/m~3。通过损耗分离证实,总功率损耗的改善主要是涡流损耗大幅降低所致。  相似文献   

18.
高截止频率高磁导率软磁铁氧体材料的开发   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对已有的高磁导率材料进行烧结实验,确定了高截止频率高磁导率材料的较为合适的烧结方法;用此方法烧结配制的新材料,试制成功了R15kHF和R18kHF两种新材料,其性能均达到相应指标;证明了合适的烧结方法和降低材料的损耗是高截止频率高磁导率材料的开发研究途径之一.  相似文献   

19.
研究了居里温度在250℃以上的锰锌铁氧体的居里温度与组分的关系根据实验结果,总结出了这个组分区内居里温度符合的经验公式,实验中还了一种居里温度高的热敏铁氧体。  相似文献   

20.
为得到Zn含量不同时NiZn铁氧体材料的最佳烧结温度,用氧化物法制备了NiZn铁氧体材料,研究了烧结温度对材料起始磁导率、功耗、饱和磁感应强度和微结构的影响.结果表明,适宜的烧结温度对制备功耗低、饱和磁感应强度高和较优起始磁导率的NiZn铁氧体材料至关重要,而Zn含量不同时对应材料的最佳烧结温度也各不相同.  相似文献   

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