FPC用电解铜箔——HL铜箔

概述了离延伸率和纸纵断面铜箔——HL铜箔的开发。HL铜箔的机械特性并不逊色于压延铜箔,适用于制造高密度的细线化FPC。     

FPC用压延铜箔

概述了挠性覆铜箔板（FCCL）用的具有超高弯曲性和高性能的压延铜箔的开发和压延铜箔的弯曲可靠性评价。它适应了高弯曲性和高性能FPC的市场要求。     

日矿金属决定调涨压延铜箔价格

为适应因日元汇率走强及国际铜价持续上涨带来的压力,日商日矿金属决定自4月1日起调整其压延铜箔价格。     

起步中的我国高精压延铜箔行业

高精压延铜箔有市场需求作支撑,又有高额的盈利空间做回报,但是由于高精压延铜箔生产技术的门槛较高,到目前为止我国没有一家形成生产规模的高精压延铜箔企业。虽然这两年也有几家压延铜箔企业上马,但是距离形成生产能力还有较长的一段路程。     

挠性PCB用基板材料的新发展（4）——FPC用压延铜箔的新成果

主要阐述FPC用挠性覆铜板2003年~2004年间在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

压延铜箔的瘤化处理对FOOL抗剥强度的影响

厚度为18μm的压延铜箔在含有硫酸铜和硫酸镍的溶液中经过瘤化电镀处理，在铜箔表面形成不同于氧化铜的含镍的化合物结节，从而提高了抗剥强度；若增加电流密度和电镀时间，效果会更好：当电流密度为1．5A／dm^2、电镀时间为30秒钟时，所处理得出铜箔的表面粗糙度最大且抗剥强度最高，达到了680gf／cm。同时，粘接结构破坏的位置随着电镀参数的变化而有所改变，当抗剥强度达到最大值时破坏的位置发生在聚酰亚胺薄膜与粘接剂层的部位。     

浅谈铜箔设备的发展

文章重点介绍电解铜箔设备的发展历史及未来的发展趋势。     

日本Mectron开发出立体成型FPC

近日,日本Mectron展示了其开发的可立体成型的柔性底板“立体成型FPC”。该底板由热可塑性液晶聚合物和铜箔构成,形成希望的构造并加热后冷却,可以保持其形状。预定在2010年度内完成技术开发,2011年度开始量产。     

紫外激光FPC切割软件的研究与开发

搭建了紫外激光FPC(Flexible Printed Circuit)切割系统软件的整体框架结构.该切割软件突出之处在于采用振镜和工作台联合协调加工;切割过程中激光依靠受计算机控制的两个振镜实现激光的高速扫描;通过可补偿聚焦误差的聚焦镜将光束聚焦到工件表面,实现高速切割,充分发挥紫外激光的"冷"加工特性.软件通过Gerber文件获取切割路径,然后对切割路径网格化,每一个网格为一个加工单元,加上单元的大小由振镜幅面大小控制,通过移动工作台依次逐块进行加工从而完成整张FPC的切割加工.由于振镜自身的畸变误差(如枕型和桶形畸变等)以及加工过程中网格块的变换,使得如何处理好各种误差补偿是软件发开的关键技术之一;FPC生产工艺复杂,所用的材料容易产生变形;而且不同的部位由于材料不同造成变形不均匀,极大的影响切割精度,软件通过摄像机获取板材上的定位点,通过该定位点与基于射影变换的定位方法完成自动定位与变形校正.最后在Visual C++6.0环境下开发了上述所有功能模块.实践结果表明本软件系统切割速度快,定位精度高;满足了当前FPC切割加工所需要的主要功能,软件操作简单,界面良好,具有较大的应用价值.     

南兴向主席出售工业积层板及铜箔厂房

历经多年研发及送样,应用在PCB领域的软性印刷电路板（FPC）、集成电路（IC）基板铜箔正式量产。在公司新产品的布局上,金居表示,由于国际环保需求,使无铅制程成为市场主流,而公司之产品系列经验证皆符合无铅之需求,     

低吸湿性聚酰亚胺覆铜箔层压板与液晶聚合物覆铜箔层压板

本文介绍当前多层挠性印制板的焦点，包括采用多层FPC的事例，市场动向，产品结构和将来展望。叙述使用FPC的电子设备有笔记本电脑、计算机硬盘、数字式摄录像机、数码照相机和手机等。多层FPC在2002年因为手机中大量应用而增幅约二倍，而刚挠多层板市场在2003年因为数码照相机中大量应用而增幅约四倍。     

挠性PCB用基板材料的新发展（5）——FPC用电解铜箔的新成果

主要阐述FPC用挠性覆铜板2003年￣2004年在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

使用再生氧化铜制备电解铜箔用电解液

电解铜箔是通过使用阴极辊及阳极板对硫酸铜电解液进行电镀沉积获得的,电解铜箔生产过程不断从电解液中沉积出铜,就需要对电解液中补充铜离子(Cu2+)以维持电解液指标的平衡。在常规电解铜箔生产过程中,电解液中铜离子的补充是通过使用系统管道及储罐的低含铜量电解液流经储存有铜线或铜板的罐体,以获得富含铜量的电解液,此罐体称之为溶铜罐。铜线或铜板在溶铜罐中是一种氧化溶解的过程,由于铜的溶解过程会受溶解温度、与酸接触面积、铜材周边电解液饱和度等因素的影响,往往会出现溶铜罐中对铜材的溶解能力差     

封装技术动向

1、引言 电子设备的高功能化、高速化和小型化是伴随着半导体技术的进步而实现的。以摩尔定律为准则，晶片加工趋于微细化，实现了器件的高性能化、高速化、低耗电化、小型化和大容量化。同时，在半导体封装上，为了充分发挥器件的功能，不断更换形状、结构和材料等，使其小断进步。     

使用Lange 耦合器的24-40GHz平衡式低噪声放大器设计

使用0.15 um pHEMT工艺,设计了一种基于Lange耦合器的全集成的宽带（24－40GHz）的平衡式低噪声放大器。在文中提出了一种低损耗、高耦合的Lange耦合器的新的设计方法,适合于微波宽带应用。所设计的Lange耦合器在22GHz到42GHz的一个宽频段内,最小损耗为0.09dB,而最大损耗也只有0.2dB。测试结果表明,用这种Lange耦合器实现的四级平衡式低噪声放大器在24－40GHz的频段内,噪声系数低于2.7dB,最大增益达到30dB,而且同时得到了非常良好的驻波比性能,输入、输出驻波比分别小于1.45dB和1.35dB。