第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集即将发行

由中国电子学会生产技术学会三束技术学组编辑,由中国人民解放军第三炮兵学校印刷厂印刷的第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集已编印就绪,准备在近期在国内内部发行。该论文集收集了经第一届全国三束学术年会各专业组评议推荐的论文共七十二篇,内容包括发展动态、整机、部件、工艺及应用等,是迄今国内在三束技术领域内比较完整的技术资料。适合于从事三束技术研究开发     

第四届全国电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开

经中国电子学会批准,由中国电子学会半导体与集成技术学会超精细加工学组与中国电子学会生产技术学会“三束”学组联合召开的全国第四届电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开。本届年会将总结、交流“三届”年会以来在电子束、离子束和光子束的设备及微细加工工艺技术方面的研究与应用成果与进展。具体内容如下:     

单枪三束彩色显像管

日本索尼(Sony)研制成功的单枪三束彩色显像管,动摇了三枪三束彩管的技术基础。它是由一个电子枪同时发射三条电子束,所以叫单枪三束彩管(Trinitron)。光学系统是由三束公用的大口径的主透镜和一对会聚板组成。会聚板的功能是使两条边束实现会聚,因而图象清晰度高。分色板是条孔结构,电子透过率比三枪三束圆孔荫罩高得多,所以图象亮度也高。     

第二届全国电子束离子束光子束(三束)及超微细工艺学术年会在江苏常州举行

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会三束与超微细加工学组联合举行的我国第二届电束离子束光子束及超微细工艺学术年会于;19够年10月28日至1982年n月1日在江苏省常州市举行。出席这次年会的有来自全国从事三束技术研究开     

简讯

由中国电子学会半导体与集成技术学会和生产技术学会共同的举办第六届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1991年3月11日～13日在北京国际会议中心举行。出席这次大会代表共160余人。 大会特邀报告5篇,论文106篇。这样论文集中反映了第五届“三束”年会后二年多来,我国在“三束”设备和“三束”技术及其在科研生产应用方面的进展和现状。论文内容主要在微电     

第37届(1993)国际三束会议及顺访美国FEI公司

1.1 会议概况 国际三束会议是由美国真空学会(AVS)、美国电机和电子工程师学会(IEEE)、美国光学学会(OSA)联合举办的学术性年会。会议主要内容为电子束、离子束、光子束(三束)的科研、技术、工程和应用,涉及电子束技术、离子束技术、光学曝光和X射线曝光技术、微米和纳米加工、纳米结构和纳米器件、干法刻蚀和薄膜淀积、计量测量和诊断、电子离子光学、三束引起的化学物理过程等方面。这些内容直接应用于微电子学(硅集成电路)、     

第一届全国“三束”学术年会简讯

<正> 第一届全国“三束”学术年会已于1980年10月23日至29日在湖南长沙市召开.这次会议也是中国电子学会生产技术学会和半导体与集成技术学会分别建立“三束技术学组”和“三束及超精细加工专业组”的成立大会.出席会议的有领导机关、科研单位、高等院校和工厂等80个单位的专家、教授、工程技术人员和干部等240余名代表。     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会在北京召开

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会超微细加工及三束学组联合举办的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2日—5日在北京举行。来自全国98个单位的258名代表出席了本届年会,会上     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会简讯

由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公     

以三束激光为基础的光学逻辑元件

探讨以三束激光为基础制作光学逻辑元件的可能性。描述了三束激光的结构、其运转及以其为基础制作逻辑元件。     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。     

基于注频锁相技术的发射波束形成系统

研究了利用注频锁相技术实现低成本、高集成度、高效率的发射波束形成系统。首先介绍了发射波束形成的原理,并研究了注频锁相振荡器相位系统平衡点的稳定性,根据注频锁相振荡器的相位噪声理论给出了注频锁相振荡器阵列的设计原则,然后根据理论分析设计了一种可以产生高稳定度、低相位噪声具有任意相位加权系数的多通道射频相干信号的波束形成系统,利用计算机仿真该系统实现了发射波束扫描,证明了基于注频锁相技术的发射波束形成系统的可实现性。最后搭建了四通道注频锁相振荡器阵列,测量结果表明注频锁相振荡器阵列可以产生具有任意相位加权系统的多通道相干信号,进一步证明了该发射波束形成系统的有效性。     

聚焦离子束装置中的工件台及控制系统

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。     

光纤激光器相干合成与谱合成比较研究

相干合成和谱合成是两种不同的光束合成方案,近年来均取得了显著进展。文章从对光纤激光器的基本要求、关键技术、可扩展性、光束质量、系统稳定性和光束控制等六个方面,对目前已经获得高功率且有望获得更高功率输出的两种典型方案进行了比较研究。     

聚焦离子束装置中的图形发生器

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,达到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是图形发生器的使用。     

FIB-SEM-Ar“三束”显微镜

FIB-SEM-Ar"三束"显微镜在FIB/SEM装置的平台上附加了降低样品损伤的低能Ar离子枪,首次实现了通过一台仪器完成高质量的透射电子显微镜TEM的样品制备。简化了样品整个加工的过程,同时大大提高了加工精度和工作效率。对"三束"显微镜做了介绍。     

光纤激光相干合成与谱合成的比较

相干合成和谱合成是两种不同的光束合成方案,近年来均取得了显著进展.为了比较系统地研究这两种新兴的光束合成技术,从光纤激光器的基本要求、关键技术、可扩展性、光束质量、系统稳定性和光束控制等6个方面,对目前已经获得高功率且有望获得更高功率输出的两种典型方案进行了比较研究.结果表明,基于主振荡功率放大器结构的相干合成方案和谱合成方案均难以同时获得高功率、高光束质量的激光输出.对于不同的应用场合,需要在高功率和高光束质量中选择较好的平衡点.     

Massive MIMO广播波束场景化研究

Massive MIMO和波束赋形是5G的一项关键技术。5G将LTE时期的MIMO进行了扩展和延伸,即LTE的MIMO最多8天线,到5G扩增为16/32/64/128天线,被称为“大规模”的MIMO。本案通过对不同场景Massive MIMO波束调整方案进行研究,输出场景化的设置方案,以期为后期Massive MIMO优化提供参考。     

高功率激光技术中的光束控制和相关问题

对高功率激光进行了研究。以平顶高斯光束为例,推导出了它通过无光阑和有光阑的近轴ABCD光学系统传输的解析表达式。给出了它的特征参数,包括光束传输因子(M2因子)、陡峭度(K参数)和桶中功率(PIB)并作了物理分析。最后,指出高功率激光光束控制应使光束在靶面上的功率/能量集中度、时间和空间波形、瞄准稳定性以及时间持续性等指标满足应用要求。     

硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的