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红外焦平面阵列是新型的红外探测器,为了使其达到理想的工作状态,需要提供时钟驱动脉冲和偏置电压.传统的方法是通过重写EEPROM等方式来改写驱动脉冲信号.设计了一种使用CPLD的红外焦平面探测器时钟驱动电路,其电路结构简单,具有较强的器件驱动能力,可实现CMOS TDI 288×4红外焦平面阵列和其他超长线列焦平面阵列的驱动,提供可调偏置电压,为红外焦平面阵列的性能调试提供方便. 相似文献
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提出了用级联权电容网络电荷定标产生偏置电压的方法,采用EDA软件Cadence设计了一个10 bit 串行数字输入、四通道稳定模拟电压输出的数模转换电路,并流片验证.测试结果表明电路实现了数模转换功能,各项参数基本达到设计要求.以上研究证实了这种可集成在红外焦平面读出电路上的偏置电压产生电路是可行的,为下一步直接设计并制造包含偏置电压产生电路的焦平面读出电路芯片打下了坚实的基础. 相似文献
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针对非制冷红外焦平面驱动电路在噪声和可靠性方面的高要求,分析了降低直流偏置电压噪声以降低红外焦平面阵列噪声的可行性,提出了一种新型低噪声的非制冷红外焦平面驱动电路.该驱动电路采用ADI公司的AD8606系列高精度低噪声运算放大器构成一个直流缓冲器,其具有强大的直流驱动能力和低噪声性能,实现了直流偏置电路.采用Altera公司的Cyclone Ⅱ系列可编程逻辑器件,设计红外焦平面的时序驱动电路.测试结果表明:焦平面探测器均方根噪声降低至397.83μV,为后续非制冷红外热像仪的研制奠定了基础. 相似文献
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基于自行设计的TDI线列红外焦平面数字化读出电路,设计一款带有驱动IRFPA器件和数字化数据采集功能的红外焦平面测试系统,分别进行数字化线列读出电路电注入方式、中波红外焦平面和长波红外焦平面的噪声分析以及红外探测器比较关心的NETD的分析,并对积分时间、焦平面阵列注入区和偏置电压对红外探测性能的影响做了区分论证。 相似文献
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一种高精度非致冷红外焦平面偏置电压系统的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
非致冷红外焦平面偏置电压的稳定性直接决定了其应用系统的性能.分析了偏置电压控制原理,在此理论基础上,设计了针对非致冷红外焦平面的高精度微型偏置电压控制系统,该系统利用单片机AT89c2051,可调电位器ADN2850,运放AD8606,A/D转化器TLV2544一起组成一个系统完成对电压进行闭环自动控制,实现了电压高稳定度的性能指标.该系统还具备高精度、小型化、低噪声、快速稳定等优点,为提高红外焦平面系统电压稳定性、迅速达到稳定工作状态提供了有益的参考. 相似文献
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混合式焦平面器件的电气和机械互连是焦平面器件研制中的关键工艺技术,直接关系到焦平面器件的性能和成品率.铟凸点技术是解决热膨胀失配的一种有效的技术途径,通过合理的铟柱设计和严格控制的制造工艺,可实现探测器芯片和读出电路可靠的互连.现讨论了铟柱高度和高宽比的计算方法,分析了热膨胀变形在铟柱端面产生的最大作用力与切应变、高宽比和切变位移的关系,指出器件制造工艺误差的影响,认为矩形截面的铟柱比圆形截面的铟柱更合理. 相似文献
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Sedky S. Fiorini P. Baert K. Hermans L. Mertens R. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1999,46(4):675-682
In this paper, we present a complete characterization of poly SiGe bolometers. Devices having different dimensions and different geometry have been fabricated. The dependence of the low-frequency noise and of the temperature coefficient of resistance (TCR) on resistivity in poly SiGe has been measured and modeled. The impact of resistivity, bias voltage, thermal conductance, thickness, and dimensions of the active element on the device performance has been investigated. It has been demonstrated that, by using the appropriate absorber and by optimizing the device parameters, poly SiGe bolometers are suitable for realizing high-performance focal plane arrays (FPA's) 相似文献
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HgCdTe红外探测器性能分析 总被引:4,自引:2,他引:2
根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3 m、5 m、10.5 m的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。 相似文献
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In this paper, we describe the effect on the performance of focal plane arrays (FPAs) acted by the non-uniformity of microbolometer
array resistance under conventional bias methods, put forward a new bias method for the first time, which provides a unique
bias to each of microbolometer array detector elements and can be called constant power bias method, deduce the theoretically
algorithmic base of this bias method, and verify its advantages. Theoretical analysis and experimentally measuring results
indicate that the bias method can effectively improve the performance of microbolometric FPAs. 相似文献
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LWIR HgCdTe on Si detector performance and analysis 总被引:2,自引:0,他引:2
M. Carmody J. G. Pasko D. Edwall R. Bailey J. Arias M. Groenert L. A. Almeida J. H. Dinan Y. Chen G. Brill N. K. Dhar 《Journal of Electronic Materials》2006,35(6):1417-1422
We have fabricated a series of 256 pixel×256 pixel, 40 μm pitch LWIR focal plane arrays (FPAs) with HgCdTe grown on (211)
silicon substrates using MBE grown CdTe and CdSeTe buffer layers. The detector arrays were fabricated using Rockwell Scientific’s
double layer planar heterostructure (DLPH) diode architecture. The 78 K detector and focal plane array (FPA) performance are
discussed in terms of quantum efficiency (QE), diode dark current and dark current operability. The FPA dark current and the
tail in the FPA dark current operability histograms are discussed in terms of the HgCdTe epitaxial layer defect density and
the dislocation density of the individual diode junctions. Individual diode zero bias impedance and reverse bias current-voltage
(I-V) characteristics vs. temperature are discussed in terms of the dislocation density of the epitaxial layer, and the misfit
stress in the epitaxial multilayer structure, and the thermal expansion mismatch in the composite substrate. The fundamental
FPA performance limitations and possible FPA performance improvements are discussed in terms of basic device physics and material
properties. 相似文献