中子辐照导致线阵电荷耦合器件电荷转移效率退化实验研究

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子，对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明：在10¹²～10¹³cm^-2中子注量范围内，该器件的电荷转移效率（CTE）随辐照中子注量的增加而线性下降；电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时间及转移电荷包的电量有关。      

电荷耦合器件辐射损伤机理分析

简要介绍了CCD的基本器件结构与工作机制,跟踪了国外CCD器件辐射效应方面的研究进展．分析了CCD器件电离效应和位移损伤机理．给出了国外在暗电流密度、RTS、电荷转移损失率等特征参数辐射效应的试验测试结果,以及相应的数学物理模型。     

注氟MOSFET的质子辐照效应

对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｌｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，导致ＰＭＯＳＦＥＴ较小的阈电压负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电正向回漂，且不受质子辐照能量的影响。     

电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。     

离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究

我所于1982年建立了以LC-2A型离子注入机为核心的离子注入实验室后,我们开展了离子注入在红外器件和电荷耦合器件中的应用研究及离子注入物理的研究。离子注入技术已成为我所半导体器件研制中的必不可少的工艺技术。离子注入物理的分析研究工作也获得某些结果。     

Zr-Sn-Nb合金质子辐照效应研究

摘要:通过HZB串列加速器用18MeV质子研究了ZrSnNb合金的辐照效应。结果表明,经1.53×1014cm-2注量的质子辐照后,辐照产生的缺陷使样品的显微硬度升高导致辐照硬化;断口分析发现辐照后在样品的一端韧窝明显变小出现脆化现象,被认为是由于质子辐照离子化损伤产生在其射程的末端——与TRIM96程序计算的结果一致。     

双极运算放大器的质子辐照效应

研究了ＯＰ－７双极运算放大器在８ＭｅＶ，１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数和的变化规律，结果表明，由位移损伤和电离辐射损伤引起的晶体管增益衰降是导致运算放大器各参数变化的主要原因。     

中子辐照对CCD成像器件不均匀性的影响

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对一种线阵CCD开展中子辐照实验.实验发现:中子辐照导致CCD器件的像元不均匀度增大;器件的局部像元不均匀度增大是由于中子在器件内位移效应产生的稳定缺陷团分布不均匀所引起的,整体像元不均匀度增大主要是由于中子辐照导致信号电荷在转移栅中传输损失所致.     

兰州重离子加速器辐照终端与快重离子辐照效应研究

介绍了兰州重离子加速器辐照终端的基本概况，并就可能开展的研究项目提出了建议。     

硅光电器件两种辐照效应的比较

比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶγ射线辐照后的光电参数的变化，讨论了γ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应，在硅器件的光谱响应范围内，将分光光度法得到的光电流谱用上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。     

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。     

质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。     

参考中子辐射与辐射防护中子测量装置校准

国际标准化组织核能标准化委员会辐射防护分委员会(ISO／TC 85／SC2)最近编制了几个有关辐射防护中子测量装置校准的标准，其中ISO8529规定了参考中子辐射的特性和产生方法、辐射场校准以及场所和个人中子剂量仪(计)校准和响应的确定；此外，ISO12789—2002规定了利用模拟中子辐射场对辐射防护中子测量装置的校准。本文介绍ISO8529系列标准的主要内容及一些相关问题。     

加速器驱动的次临界系统质子束管产生的辐射剂量

利用MCNP程序,根据IAEA提供的ADS———NEUTRONICBENCHMARK中的模型和数据,对加速器驱动的次临界系统质子束管中中子和光子泄漏产生的辐射进行了计算。通过计算与分析可知:有较大份额的中子和光子直接从质子束管中泄漏出去,且泄漏的中子和光子的能量相当高;在质子束管周围的辐射剂量有80%以上是由于质子束管中中子和光子辐射产生的,只有相当少的辐射剂量来自堆本身。     

Effects of gamma-ray irradiation on electronic and non-electronic equipment of Large Helical Device

In a deuterium operation on the Large Helical Device,the measurement and control equipment placed in the torus hall must survive under an environment of radiation.To study the effects of gamma-ray irradiation on the equipment,an irradiation experiment is performed at the Cobalt-60 irradiation facility of Nagoya University.Transient and permanent effects on a personal computer,media converters,programmable logic controllers,isolation amplifiers,a web camera,optical flow meters,and water sealing gaskets are experimentally surveyed.Transient noise appears on the web camera.Offset of the signal increases with an increase of the integrated dose on the programmable logic controller.The DeviceNet module on the programmable logic controller is broken at the integrated dose of 72 Gy,which is the expected range of the integrated dose of the torus hall.The other equipment can survive under the gamma-ray field in the torus hall.     

电磁辐射的生物学效应

简要介绍了电磁辐射生物学效应机制的几种研究理论,从整体生物效应、细胞效应,以及电磁辐射对基因表达和对肿瘤形成的影响等方面总结了近年来电磁辐射生物学效应的研究成果,并对今后的研究工作提出了几点个人看法.     

典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究

选取Si太阳电池与线阵CCD器件，进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理，利用二维器件模拟软件MEDICI，模拟了1MeV电子对n／p型硅太阳电池主要输出参数的影响，包括开路电压Voe、短路电流Isc和最大输出功率Pmax.在一定范围内，计算结果与文献实验数据符合较好。建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统。利用^60Coγ源，进行了商用器件的总剂量效应试验，给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线。     

同步辐射X射线小角散射溶液样品蠕动实验装置的研制

研制了用于同步辐射X射线小角散射实验的溶液样品蠕动实验装置,其主要特点为可有效抑制X射线对溶液样品的辐射损伤、密封性能好、操作简便,且背景散射低、消耗样品量小,还可根据实验要求实现对样品温度的控制,进行变温原位测量。此外,通过实验对该装置的进样量和蠕动速度进行了标定,对防辐射损伤效果进行了验证。结果表明,该装置控制精度高,并可有效减小X射线在测量过程中对样品的辐射损伤。