GaAs IC中肖特基二极管的模拟模型

给出了肖特基势垒二极管的电路模拟模型,该模型能够精确地复制二极管的正向I-V特性。这是通过将通常在乎面肖特基势垒二极管中观察到的非线性(与电流有关)串联电阻包括进去而得到的。这种二极管模型是以大信号瞬态和需要精确解的Dc偏压分析为主要目的的,模型的显著特点是:(a)有来自直接测量或是几何及工艺参数的一套容易确定的参数,(b)在恒定电阻二极管模型上仅需要一个附加节点,(c)可适用于各种各样尺寸的二极管。最后,给出一个例子表明模型的精度。     

太赫兹平面肖特基二极管参数模型

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。     

一种基于传输线理论的pn结二极管小信号模型

为了精确表征毫米波频段pn结二极管的特性,提出了一种基于传输线理论的pn结二极管小信号模型。该模型包括表征pn结的本征部分和寄生部分。以量化的pn结耗尽区串联电阻作为中间项,通过非线性传输线理论近似方法,推导出全新的pn结二极管小信号模型的拓扑结构。通过导纳参数和阻抗参数的参数解析提取方法,提取等效电路中各元件参数值。使用某磷化铟(InP)工艺线加工所得2×3μm、8×8μm、4×16μm二极管的散射参数数据进行验证。结果表明,在1～110 GHz频率范围内,不同偏压的模型仿真结果与测试结果均吻合较好,同时也能表明模型在毫米波频段内有良好的适用性。     

一种求解TSP问题的改进遗传蚁群算法

旅行商问题(TSP)是一种经典的组合优化问题.传统的蚁群算法运用正反馈和分布式计算机制,具有较强的鲁棒性.但是该算法搜索时间长、易出现早熟停滞现象.因此本文根据旅行商问题的模型特点,在蚁群算法的基础上针对TSP问题提出了一种新型的改进蚁群算法:即变参数选择城市策略,并且在交叉策略中选择PMX(Partially Matched Crossover)交叉策略.实验结果表明,与传统基本蚁群算法和遗传算法相比,能够较快地找到最优解,解的质量也相对较好,因此提高了蚁群算法对TSP问题的求解效率.     

高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化

分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.     

高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化

分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.     

一种新的用于电流模式DC-DC Boost变换器SPICE模型

提出了一种高精度的电流控制模式DC-DC Boost(升压)变换器SPICE模型.适用于CCM(连续电感电流模式).考虑了功率开关管的导通电阻、二极管的正向压降和电阻等重要参数,可以在HSPICE或Spectre仿真器上进行小信号分析,解决了在仿真器上开关电感的存在而无法进行交流和稳定性分析的问题.通过仿真波特图可以对系统的稳定性做出定量和定性判断,为开关电源的设计提供了一种快速准确的方法.     

一种新的应用到硅基有机发光二极管微显示像素电路仿真的OLED SPICE模型

本文介绍了一种新的OLED器件等效电路模型。由于单二极管模型能和多二极管模型一样较好的模拟OLED特性,因此新模型是基于单二极管模型建立的。并且为了保证拟合数据和测试数据有很好的一致性,在新模型中将常量电阻替换成指数电阻。通过与测试数据和其他两种OLED SPICE模型的模拟数据对比,新的模型更符合OLED的电流电压特性。新的模型能直接整合到SPICE电路仿真器中去,并且在OLED整个电压工作范围内拥有较好的仿真精度。     

一种自适应调整K-r的混合高斯背景建模和目标检测算法

针对非平稳背景下的复杂场景,该文提出一种自适应调整K-r的混合高斯背景建模和目标检测算法。该方法利用混合高斯模型(GMM)学习每个像素在时间域上的分布,构建自适应调整高斯分量K的方法,并针对不同情况,对描述像素的高斯分量数进行增加、删除或合并;在此基础上,模型参数更新式中引入了两个新的参数,能够根据实际情况自适应调整r值,使得背景建模和目标检测能够准确实时地随像素变化而变化,从而减少了运动目标信息的损失,提高了算法的鲁棒性和收敛性。实验表明,该算法在有诸多不确定因素的序列视频中能够迅速响应实际场景的变化,实现自适应背景建模和准确的目标检测。     

稳压二极管的测试

<正> 稳压二极管是电子产品中最常用的元件之一,它的主要参数有稳定电压(Vz)、稳定电流(Iz)、最大稳定电流(Izm)、电压温度系数(C_Tv)、动态电阻(Rz)、耗散功率(Pz)、正向压降(V_F)、反向电阻(R_R)、反向电流(I_R)等等。对于这些参数的精确测试,必须借助于专用设备和精密仪表,而在一般维修或业余条件下人们往往最为关注的是稳压二极管的性能和稳定电压值有多大。本文介绍用万用表、兆欧表和简单的自制电路判断稳压二极管性能和测试其参数稳定电压的方法。     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

新型挠性印制电路板基材

目前挠性印制板仍以聚酰亚胺(PI)为基材,但PI的最大缺点是高的吸湿性函待改善,所以正努力开发高性能的高分子材料,以期取代PI。本文介绍了其中最有影响的两种新材料,即液晶聚合物(liquid crystal polymer,简称LCP)及聚醚醚酮(PEEK),其具有低吸湿性、低热膨胀系数、低介电常数及高尺寸稳定性。文章同时还介绍了LCP及PEEK在挠性印制板应用中遇到的问题及其解决方法。     

InP（Yb）晶体结构和发光特性的研究

用离子注入法配合优化退火新技术制成了一种高效发光材料ＩｎＰ（Ｙｂ）；用高灵敏度激光光谱仪测量了该材料的发光特性（ＰＬ），并研究了离子注入和退火过程中发光特性的变化，对ＰＬ谱峰作出辨认；用Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）测量分析晶格结构和注入损伤（缺陷）；研究了原材料的掺杂（Ｓｎ）对发光特性的影响；较深入地探讨了该材料的发光机制，并用一改进ＲＥ发光中心模型阐明该材料的激发发光过程。     

下一代宽带无线的MIMO-STC、Turbo码及OFDM级联传输策略(Ⅰ)

本文在简要回顾MIMO-STC[多输入、多输出(天线)-[空时编码]Turbo码(透平码或增强型反馈码)及OFDM(正交频分多路复用)技术特征基础上,重点论述MIMO-STC与Turbo码及OFDM级联传输技术,及其对下一代宽带无线(NGBW)演进发展具有的突出优势与战略重点性.     

下一代宽带无线的MIMO-STC、Turbo码及OFDM级联传输策略(Ⅱ)

本文在简要回顾MIMO-STC[多输入、多输出(天线)-空时编码]、Turbo码(透平码或增强型反馈码)及OFDM(正交频分多路复用)技术特征基础上,重点论述MIMO-STC与Turbo码及OFDM级联传输技术,及其对下一代宽带无线(NGBW)演进发展具有的突出优势与战略重要性.     

创新、发展和开发人的潜能

本文结合中国质量协会全国质量管理小组会议主题,根据QC小组特点和性质,从三个方面分别论述了创新、发展、开发人的潜能在QCC活动中的重要性,以及如何在新形势下贯彻本主题思想.     

Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)纳米结构的制备与XPS研究

采用水热法在低温合成了铋层状钙钛矿结构Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNdT)纳米材料,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征产物的晶相和形貌,研究了反应温度和聚乙烯醇(PVA)对水热合成BNdT纳米结构的影响,运用X-射线光电子能谱(XPS)对BNdT纳米结构的化学组分和元素价态进行了表征.结果表明,反应温度和PVA对水热合成BNdT纳米结构的形貌有较大影响;XPS研究显示BNdT纳米结构的表面存在氧空位和轻微的Bi过量.     

CDMA/FH频率合成器的实现

本文介绍一种跳频频率合成器 ,并对它进行了较详细的分析。该频率合成器将国外新出现的直接数字频率合成器技术和传统的锁相环技术有机地结合起来 ,具有结构简单、频率分辨率高和频率转换速度快等特点。     

使用超薄型微细布线基板（MLTS）的高密度LSI封装

概述了超高密度薄型基板(MLTS)封装技术的概念、特征和工艺以及应用MLTS封装技术开发的高性能FCBGA和CSP。     

First-principles of wurtzite ZnO (0001) and (000ī) surface structures

The surface structures of wurtzite ZnO (0001) and (000^-1) surfaces are investigated by using a first-principles calculation of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on density functional theory (DFT). The calculated results reveal that the surface energy of ZnO–Zn is bigger than that of ZnO–O, and the ZnO–Zn surface is more unstable and active. These two surfaces are apt to relax inward, but the contractions of the ZnO–Zn surface are smaller than the ZnO–O surface. Due to the dispersed Zn4s states and the states of stronger hybridization between the Zn and O atoms, the ZnO–Zn surface shows n-type conduction, while the O2p dangling-bond bands in the upper part of the valence cause the ZnO–O surface to have p-type conduction. The above results are broadly consistent with the experimental results.