辐射法研制功能高分子膜离子选择电极活性材料

用辐射接枝工艺合成了功能高分子膜活性材料，并对其进行了表征，测定了以此为活性材料的离子选择性能。结果发现，硫酸根电极在１０＾－＾１－１０＾－＾１ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４溶液中响应时间＜７３ｓ，斜率为５２ｍＶ／ＰＳＯ４＾２＾－；氯离了电极的线性范围１×１０＾－＾１－２×１０＾－＾４ｍｏｌ／Ｌ，检测下限了为８×１０＾－＾５ｍｏｌ／Ｌ，稳定性好，寿命长，响应时间＜５ｓ，内阻＜６０ｋΩ，抗毒化能力强。从...     

In^＋离子注入蓝宝石（α—Al2O3单晶）的表面改性研究

研究了〈０００１〉和〈１＾－２１０〉晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单昌）在注入３６０ｋｅＶ、１×１０＾１６ｃｍ＾－２或１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－１的Ｉｎ＾＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－２的Ｉｎ＾＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０＾３Ω·ｃｍ，表面损伤层的显     

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当     

中压下三维内翅管中的下降沸腾两相流与传热

对中压下水在三维内翅管中的下降沸腾两相流与传热性能进行了试验研究。试验压力Ｐ＝３．９－１０．２ＭＰａ，质量流速Ｇ＝３６０＝－１２８０ｋｇ／ｍ＾２．ｓ，热流密度ｑ＝１．０×１０＾－５－１．５×１０＾６Ｗ／ｍ＾２，入口过冷度△ｔｓｕｂ＝２－５℃，平均干度数Ｘｍ＝２．５－３０％。揭示了摩擦阻力压降和传热性能随主要参数变化的工与光滑管中的传热及流阻、三维内翅管中上升沸腾两相流动时的传热与流阻性能进行了比较     

北京HI—13串列加速器质谱计测定^36Cl的研究

描述了中国原子能科学研究院的基于ＨＩ－１３串列加速器建立的加速器质谱计装置和测定＾３６Ｃｌ的实验方法。利用这台加速器质谱计测定＾３６Ｃｌ／Ｃｌ同位素原子比值的灵敏度已好于３×１０×－１５，对地下水，盐湖和铀矿石样品中的＾３１Ｃｌ进行了测定，这些样品的＾３６Ｃｌ／Ｃｌ同位素比为１．２×１０×－１２－２．２×１０＾－１４。     

离子辐照聚合物薄膜引起的降解和能量传输过程

用１２０ｋｅＶＮ＾＋，Ａｒ＾＋，Ｆｅ＾＋辐照聚酰亚胺薄膜，辐照剂量为５×１０＾１４－１×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２，对辐照样品做了表面电阻和光学吸收数量，结果表明：辐照后样品的表面电阻有明显变化，且随辐照剂量变化呈现阈值，在高剂理下达到饱和值。     

氧化钆中稀土和非稀土杂质元素的ICP—AES法测定

本文介绍了电感合等离子体原子发射光谱法测定氧化钆中１８种元素，经对元素光谱干扰和基体效应的探讨发现，当溶液中氧化钆浓度为５ｍｇ·ｍＬ＾－１时，本法测定下限在６×１０＾－５～１×１０＾－３μｇ（ｇ·Ｇｄ２Ｏ３）＾－１之间。加入回收率在８２％－１０９％之间；相对标准偏差优于±６．９％。     

大射野,大深度^60Coγ射线照射条件下组织—空气比的公式计算

本文利用＾６０Ｃｏγ放射源和７２ｃｍ×７２ｃｍ×９０ｃｍ（长×宽×高）体模，在大射野（１０．０ｃｍ×１０．０ｃｍ～５０．ｃｍ×５０．０ｃｍ）和大深度ｄ（１０．０～７０．０ｃｍ）照射条件下实测的组织－空气比数据，按Ｍｅｌｓｋｉ计算＾６０Ｃｏγ射线组织－空气比深度函数公式，Ａｅ＾Ｂｄ＋Ｃｅ＾Ｄｄ，利用高斯－牛顿逐次逼近的计算方法，拟合出该公式参数Ａ，Ｂ，Ｃ和Ｄ的最佳估计值，５组数据的残差平方和小于１．     

中压下三维内翅管中下降流的流动与传热

对中压下三维内翅管中强迫垂直下降流动的流阻与传热性能进行了试验研究，系统压力范围Ｐ＝３．４～４．０ＭＰａ，雷诺数范围Ｒｅ＝４×１０＾４～１．５×１０＾５。建立了相应的流阻与传热的关联式并与光谱管及三维内翅管上升流动与传热性能进行了比较，结果表明，三维内翅管中压下降流动的阻力与上升流动的接近，其传热性能则处于光滑管与三维内翅管中的上升流之间。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子