刺入式深部氦氖激光针刺

本文介绍一种新颖的氮氖激光针刺技术，它不仅可用于穴位表面或体表局部的激光照射治疗，而且在需要时，通过光导纤维和特制的激光专用针，直接将激光刺入穴位或体内合适的深部，从而达到临床应用激光导入深浅的要求，提高了治疗效果，为激光针灸治疗获得了一个新的发展。动物试验和对细菌变异影响的实验证明这是一种安全面卫生的治疗方法。     

He—Ne激光照射对羔羊增重的试验观察

应用８ｍＷＨｅ－Ｎｅ激光照射未断奶及断奶羔羊内眼角和第三眼睑，每次４５秒，能量密度为５．０２焦耳／厘米＾２。连续照射１０天后称重，激光照射组与对照组增重效果无明显差异，但在停照后１５天称重刺激光照射组体重较对照组明显增高，具有差异极显著的增重效果。     

氦氖激光血管外照射治疗脑缺血

目的:观察氦氖激光血管外照射治疗脑缺血的效果,讨论其可能机制.方法:对12例脑缺血进行氦氖激光血管外照射治疗,并与非血管激光照射治疗的16例进行对比.结果:血管外激光照射治疗组效果明显好于对照组.结论:氦氖激光血管外照射治疗能够提高临床脑缺血的疗效,提倡它作为脑缺血的治疗方法之一.     

氦氖激光治疗婴幼儿腹泻的临床观察

本文临床观察激光穴位照射治疗婴幼儿腹泻，并与针炙治疗对照，发现两种方法在调节胃肠道及免疫功能方面具体同样的疗效，说明婴幼儿腹泻采用激光穴位照射可代替传统的针炙治疗。且见效快，痊愈率高，适宜推广。     

He－Ne激光照射对羔羊增重的试验观察

应用８ｍＷＨｅ－Ｎｅ激光照射未断奶及断奶羔羊内眼角和第三眼睑，每次４５秒，能量密度为５．０４焦耳／厘米￣２。连续照射１０天后称重，激光照射组与对照组增重效果无明显差异，但在停照后１５天称重则激光照射组体重较对照组明显增高，具有差异极显著的增重效果。     

He-Ne激光、CO2激光照射治疗乳腺炎124例临床小结

乳腺炎为外科常见病，临床上可采取多种方法给予治疗，但常波及母乳的分泌和质量；给婴儿喂养带来一定影响。我院自83年以来分别采用He-Ne激光、CO2激光照射的方法治疗乳腺炎取得一定效果。现将其中资料详细的124例患者治疗情况报告如下：     

氮激光及激光加8-MOP照射对霉菌生长影响的实验研究（附临床应用尝试）

氨激光渡长337nm，属紫外激光，脉冲输出。过去曾报导连续输出的UVA加8-MOP（PUVA）能治疗多种皮肤病。本文研究目的在于观察氮激光照射及激光加8-MOP照射对霉菌生长的影响并报导临床应用的尝试。     

氦-氖激光穴位照射镇痛麻醉对六种外、妇科手术效果的临床观察分析

激光技术在医学上的应用近几年来已广泛深入到了各个领域。激光穴位照射镇痛、麻醉的方法，国内已有一些报导．效果也比较满意。我组应用3-5mW低功率氦-氖激光穴位照射麻酵进行外，妇科六个病种，共141例手术。优良率62．4％，成功率88．3％，效果优良。现将临床观察资料简述如下：     

He-Ne激光穴位照射对大鼠的镇痛作用及对不同脑区内脑啡肽含量的影响

激光穴位照射具有无痛、无菌等优点，已广泛应用于临床治疗多种疾病，取得较好效果。近年来一些研究证明，氦-氖（He-Ne）激光穴位照射人体或动物后，皆可产生明显的镇痛作用，并且在激光穴位照射所产生的镇痛作用下又可进行手术。还有实验报道，激光穴位照射所产生的镇痛作用可被吗啡颉抗剂——丙烯吗啡所对抗。     

CO2激光对霉菌作用的初步探讨

CO2激光对不少皮肤病有较好的效果，扩束照射具明显的止痒作用，作者用CO2激光治疗浅部霉菌病，并对某些霉菌的作用进行了初步实验性观察。本文分成实验部份和临床治疗部份，实验性部份包括材料和方法的介绍及实验结果报导，临床治疗部份包括治疗方法及治疗结果。本实验证明二氧化碳激光对石膏样癣菌、红色癣菌、大脑状癣菌有一时的抑制作用，     

激光辐照单结砷化镓光伏电池的输出特性

选取单结砷化镓光伏电池和工作波长为808 nm的半导体激光器,开展激光无线能量传输的研究,实验测试了光伏电池性能参数与激光功率和电池温度的关系。结果表明,光伏电池效率随激光功率的增大呈单峰曲线,激光平均功率密度为67.5 mW/cm2时效率最大为49.7%。温度升高,开路电压线性下降,从而导致效率线性降低。激光功率越大,开路电压和效率的温度系数越小。     

High-power InAlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs semiconductor laser arrays emitting at 808 nm

Molecular beam epitaxy (MBE) growth, device fabrication, and reliable operation of high-power InAlGaAs/GaAs and GaAlAs/GaAs laser arrays are described. Both InAlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs laser arrays reached maximum continuous wave output powers of 40 W at room temperature. The external quantum efficiency was 50% and 45% for the InAlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs laser arrays, respectively. Threshold current density for InAlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs lasers was 303 A/cm/sup 2/ and 379 A/cm/sup 2/, respectively. While the current of AlGaAs laser arrays went up significantly after 1000 h of operation at a constant power of 40 W, InAlGaAs laser arrays had an increase in the injection current of less than 4% after 3000 h at 40 W.     

Etching behavior of GaAs/AlGaAs multilayer structure during laser beam scanning

The thermochemical etching behavior of GaAs/AlGaAs multilayer structure during laser beam scanning has been studied. The etch rate changes between GaAs and AlGaAs epilayers as the etching process proceeds through the layered sample. The phenomenon can be explained by the difference of thermal parameters of the heterojunction interface. The local temperature rise from laser irradiation has been calculated to investigate etching characteristics for GaAs and AlGaAs. It is concluded that the good thermal confinement at GaAs/AlGaAs interface produces the wider etch width of GaAs layer than that of AlGaAs layer in GaAs/AlGaAs multilayer. The maximum etch rate of the GaAs/AlGaAs multilayer was 32.5 μm/sec and the maximum etched width ratio of GaAs to AlGaAs was 1.7.     

内腔倍频被动调QNd∶YVO_4/KTP激光特性的研究

实现了激光二极管(LD)抽运Nd∶YVO4/KTP,GaAs饱和吸收体被动调Q绿激光运转。测量了GaAs不同 厚度情况下的脉冲重复率、脉冲宽度、单脉冲能量及峰值功率随抽运功率的变化关系。在抽运功率3.22W下,300 μm厚的GaAs获得了381kHz的高重复率,53.2ns的脉冲宽度,0.18μJ的单脉冲能量。通过求解内腔倍频GaAs 调Q工作原理的耦合波方程组,所得的理论值与实验结果相符。     

GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模

本文分析半导体材料GaAs对1064nm激光的可饱和吸收特性,在闪光灯抽运的平凹腔和平凸腔Nd:YAG激光器中,插入GaAs样品作为调Q器件,实现了激光器的被动调Q运转,分别获得脉冲宽度32.7ns(平凹腔)和30.9ns(平凸腔)的激光脉冲。实验上研究了平凹腔腔长和输出镜透过率对调Q激光输出性能的影响。当平凹腔腔长增加到125cm时,观察到GaAs对1064nm激光的被动锁模。对上述实验结果给予了合理的理论解释。     

大白鼠体内照射治疗白细胞减少症

为了研究砷化镓激光光纤引入机体后对骨髓产生的影响,我们将砷化镓激光光纤直接引入大白鼠体内照射,连续观察了对大白鼠白细胞减少症的治疗作用。现将研究概况介绍如下。 一、材料与方法 1.仪器:使用重庆大学激光光纤科研小组自行装配的XLL型半导体砷化镓激光光纤治疗仪。砷化镓激光以0.5～1.5m长的光纤耦合后插入动物体深部组织。光纤输出端的光功率为1.0～1.3mW,     

砷化镓材料与激光相互作用的实验研究

从实验的角度对本征砷化镓与激光的相互作用进行了研究。首先,采用不同功率的Ｎｄ：ＹＡＧ连续激光对该材料进行照射,观察其电导的变化。实验中发现,砷化镓材料对大于其长波限１．０６μｍ的激光有明显的吸收,并表现出光电导现象。对实验现象进行了分析,并对其相应的吸收机理进行了讨论。其次,对于受激光作用后的砷化镓材料样品,利用扫描电镜进行分析,得以观察到激光对材料的热学损伤效果。     

16×16 optical-fiber crossbar switch operating at 0.85 μm

An optical-fiber crossbar switch has been constructed using fully integrated GaAs optoelectronic receivers, custom monolithic GaAs laser drivers, and an electrical 32×32 silicon crossbar switch. 470 Mb/s operation has been achieved with a bit error rate of less than 10^-12. The approach uses a monolithic GaAs optoelectronic integrated receiver to convert optical signals into electrical signals that are fed into an Si 32×32 electronic crossbar switch. The switch outputs are used to drive laser transmitters consisting of a custom monolithic GaAs IC laser driver and a 0.85 μm GaAs/AlGaAs laser. The system could be reconfigured in 1 μm, limited by the control logic, with the switch chip capable of reconfiguration in 35 ns. No errors are induced by reconfiguration     

1.3 /spl mu/m GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy

A highly strained GaAs/GaAs/sub 0.64/Sb/sub 0.36/ single quantum well laser has been grown on GaAs (100) substrate by using solid source molecular beam epitaxy. The uncoated broad-area laser demonstrates 1.292 /spl mu/m pulsed operation with a low threshold current density of 300 A/cm/sup 2/. The spontaneous emission of the laser was also studied. The result reveals that the Auger recombination component dominates the threshold current at high temperature.     

532 nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究

利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为〈100〉偏〈111A〉方向15°.实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法.实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×105W/cm2.利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较.