卷首语

每年一届的IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议（ISPSD）,较集中地反映世界各国在功率半导体器件和功率集成电路领域中部分研究与开发的最前沿状况。其内容包括新结构功率半导体器件、功率集成电路、功率模块、功率系统集成、射频功率器件、新材料器件等功率器件的所有分支。它是相关专家、学者和工程师进行接触和交流的平台,     

金属-半导体欧姆接触比接触电阻值的微机自动测定

本文描述了欧姆接触的测试原理和测定欧姆接触比接触电阻的微机自动测试系统,并用该系统对制备的欧姆接触进行了测量,其测量精度优1%,测试系统使用方便,操作简单,获得结果迅速、可靠,适合于半导体器件的欧姆接触工艺研究与监控中比接触电阻的测定.     

温度对压接型IGBT器件内部接触热阻的影响

温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性.压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场的多物理量耦合场,器件内部各组件间的接触热阻是温度场与结构场双向耦合的重要桥梁,也是器件可靠性的重要影响因素.通过单芯片子模组有限元模型分析了各组件间的接触热阻,重点研究了温度对接触热阻的影响,计算了热阻测量前后的接触热阻值,并进行了对比.鉴于目前接触热阻测量方法的局限性,通过测量单个快恢复二极管(FRD)芯片子模组结到壳热阻值与温度的变化关系间接得到接触热阻与温度的关系,并对有限元计算结果进行了验证.     

阿基斯里防静电鞋

在近年来突飞猛进的电子产业中,半导体器件所起的作用,如需多说。但是,由于人体带静电引起半导体器件的破坏、电子设备误动作等故障正在成为人们关注的问题。人体带静电电位有时高达数万伏,人体一接触到电子设备的金属部分,就会放电,在电压很高的场合,机器往往会发生误动作。在电子设备组装车间、半导体器件与人体直接接触的地方,情况更为严重。IC、LSI等器件100V以下的放电就会引起破坏,其安全电压在50V以下,理想     

金属—半导体系统的接触电阻

本文报导了一种分析接触形状和接触面积等非本征参量对金属-半导体系统中接触电阻影响的一种新方法。这种方法包括早期用于矩形和圆形接触中由传输线模型所确立的接触理论。在本文中,此理论也推广到环形接触上。由于它与测量结果良好地吻合,更证实了这种方法在半导体器件制造工艺中,对设计接触形状和面积上的适用性。对各种接触形状和面积也作了研究,并将其总接触电阻互相作了比较。表明了细长条的接触具有最小的接触电阻。     

讨论硅变容管电参数的稳定性

表征半导体器件的可靠性,一般采用下列三种数据:1.电参数初始值及随时间的变化量,即电参数的稳定性;2.适应环境的能力;3.失效率(包括固有失效率和现场失效率).讨论半导体器件电参数的稳定性是表征半导体器件可靠性的一种常用方法,它不仅为半导体器件设计者改进产品质量提供依据,而且为半导体器件应用者设计整机时提供产品稳定性的数据,它是国内外可靠性方面广泛研究的一个重要课题.国外半导体器件电参数精密筛选技术就是应用一例.     

半导体及平板显示制造业中的空气非接触搬运技术

介绍了空气非接触搬运技术的优越性、发展现状及其在半导体器件和平板显示制造业中的应用.阐述了空气悬浮和吸浮式非接触技术的原理,讨论了空气非接触搬运技术中存在的关键问题及解决方案,分析了该技术的发展前景.     

半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展

热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节.光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛.评述了各种半导体器件热特性光学测量技术的工作原理、实验装置、技术指标、应用现状,总结了现有方法中的关键问题和发展方向.     

基于半导体器件的仿真系统显示驱动电路的研究

为了提高基于半导体器件的红外动态景像仿真系统的工作效率,根据仿真系统的工作特点设计了一种驱动电路.首先简述红外动态景像仿真系统的技术要求,其次给出基于半导体器件的动态红外仿真系统的工作原理,最后通过分析半导体器件的特点给出系统显示驱动电路的设计及时序图,并指出使用该驱动电路可使系统具有低功耗、高占空比、无闪烁和良好的均匀性等优点.     

吉时利推出4200-SCS型半导体以及KTEI 5.0软件

全新的4200-SCS/KTEI 5.0系统是理想的多用途机器,它具有超强的灵敏度、排序性能以及内嵌的可以进行简单数据管理和分析需要的视窗环境,它可以轻而易举的进行半导体器件特性分析和可靠性测试.     

半导体器件的发展概况

本文简要叙述半导体器件的发展概况,包括发展简史、现有种类、生产概况、发展趋势等四方面.一、半导体器件的发展简史世界上第一种半导体器件硒光电池是1876年诞生的.1948年点接触晶体管的发明是世界上半导体器件发展历史中最重大的事件,因为它第一次使半导体制成了具有放大功能的有源电子器件.1951年锗生长结晶体管及合金结晶体管的试制成功以及很快地投入生产使半导体器件从研究试制阶段开始转入较大规模的生产.下面通过列出发展中的重要事件简要地介绍半导体器件的发展历史.     

红外技术与应用ⅩⅩⅩⅣ

(SPIE Vol.6940)第二部分十一、非致冷焦平面列阵及应用66.以色列半导体器件公司的微测辐射热计技术的新特点和发展方向(U.Mizrahi等) 67.BAE系统公司的非致冷VO_x热成像系统(Richard Blackwell等)     

提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用

为了提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。文中介绍了阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

面向21世纪的电力电子和变频调速技术

1.回顾与展望 电力电子学是使用电力半导体器件及电子技术对电气设备的电功率进行变换和控制的技术。它诞生于60年代后期,早期以晶闸管电路和系统为代表。经过40多年的发展,电力电子学已经形成较为完整的学科体系和     

日本电子元器件的识别(三)

半导体器件常见的二极管、三极管及场效应管(FEF)等分立半导体器件的命名方法是根据EIAJ(日本电子机械工业协会)和JIS(日本工业规格)所制定的,但有一部分二极管使用另外的命名方法.一般说来,半导体分立器件的命名方法由五个部分组成,各部分表示方法及物理意义见表5.几种常用三极管外型、管脚排列及用途见图6.     

半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层

为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

使用氩弧灯的快速光学退火

<正> Eaton 公司的 ROA400快速退火装置,能用于分立半导体器件离子注入后的退火,该系统使用强光源加热片子,并精确控制高温,减少了掺杂剂的再分布和基本消除了片子沾污和变形。该系统的关键部分是一个旋涡稳定的水壁直流氩弧灯,它能产生很强的光,使片子在     

离子注入原理和应用(一)

本文对离子注入技术进行了比较系统的阐述,试图通过它来帮助半导体器件设计和工艺人员对离子注入机的基本原理、离子注入的物理过程、注入工艺参数的设计和选择、以及为什么目前在半导体领域中纷纷采用这门技术等问题有一个基本的了解。同时,也试图与离子注入机的设计和制造人员探讨一个问题:即从半导体器件工艺角度出发,为什么对离子注入机要提出一些特殊的要求。     

硅片尺寸势将越来越大

硅片尺寸势将越来越大中国华晶电子集团公司春晓一、前言由于半导体器件不断向高集成度、高性能、低成本与系统化的方向发展，它的应用已极其广泛。硅片，作为半导体器件的关键基础材料，随着半导体器件的地位上升，它的尺寸趋势亦越来越受到人们的关注。近年来建成的ＩＣ...     

用红外电视显微镜观察硅器件的缺陷

<正> 应用红外技术为半导体器件生产服务,这已是国内外早已开展的工作,红外电视显微镜是其中一个很重要的组成部分。它的结构简单,操作方便,用途广泛,观察结果直观可靠,以及部分快速无损检测等优点,为研究解决半导体器件材料各种缺陷和质量问题,提供了极方便的条件和不可缺少的检测分析手段。