GZ2152Z型2×512位高速CCD延迟线

1 工作原理该高速 CCD 延迟线由规则排列的、相互耦合的 MOS 电容器线列和输入输出电路组成。从输入端输入的信号转换成电荷贮存在     

GZ413型2×512位电荷耦合模拟延迟线

(一)简要工作原理该2×512位 CCD 延迟线是由两个对称的互相独立的512位 CCD 延迟线组成,具有存储信息的功能和具有时间压缩及扩展的特点。它是一种在非稳定状态下工作的动态移位寄存器,通过对规则排列的电极施加按一     

注入势垒单相埋沟高速CCD延迟线设计

采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡注入技术,输出结构采用浮置扩散源跟随放大器技术。提出了改善转移效率、暗电流、时钟频率和动态范围的有效方法。测试结果表明,器件性能参数达到设计要求。     

GZ4290Z型756×581位面阵CCD摄像器件

1 工作原理该面阵 CCD 摄象器件为内线转移器件,是由756(H)×581(V)个光敏元组成的光敏元列阵,垂直 CCD 移位寄存器、水平移位寄存器和输出检测四个部分组成。器件采用隔行扫描工作模式,两个光敏元对应一个 V-     

2×455位高速CCD模拟延迟线的研制

采用二相埋沟结构,研制成了2×455位高速 CCD 模拟延迟线,其动态范围达到46dB,时钟频率超过10MHz。本文详细地叙述器件设计,并对器件的主要参数进行分析讨论。     

GZ413型电荷耦合模拟延迟线

GZ413型2×512电荷耦合模拟延迟线系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品采用三相时钟驱动,表面N沟硅栅结构。在工艺上采用双面吸杂,SiO_2抛光,掺杂氧化及氮氢等退火工艺。该产品具有体积小,重量轻,功耗低,产品性能稳定可靠。它主要用于模拟延迟线,模拟存贮,频率与时间压缩与扩展等方面。在航空电子学领域,声纳系统,雷达系统及各种通信系统中有着广阔的应用前景。     

1024位CCD模拟延迟线的研制

本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。     

32位N沟CCD延迟线设计试制报告

CCD是电荷耦合器件的简称。它是由美国贝尔电话实验室于1973年提出的,是一种新颖的半导体表面功能器件。由于它制造工艺简单,集成度高,低功耗,低成本等优点,CCD一问世就受到人们普遍的重视,获得了迅速的发展和广泛的应用。CCD主要应用于摄象,大容量存贮和模拟信息处理等领域,在卫星摄象、军事侦察、计算技术、雷达通讯、电视传真中获得越来越广泛而卓有成效的应用。     

32位n沟CCD延迟线设计试制总结报告

前言 CCD是电荷耦合器件的简称。它是由美国贝尔电话实验室于1973年提出的。它是一种原理全新的半导体表面器件。由于它制造工艺简单、集成度高、功耗小、成本低等一系列优点,它一问世,就受到了人们普通的重视,获得了迅猛的发展和广泛的应用,显示了它强大的生命力。CCD主要应用于摄象,大容量存贮器和模拟信息处理等领域,在卫星摄象、军事侦察、计算技术、雷达通讯、电视传真等方面获得了越来越广泛简单有成效的应用。     

512×456位硅CCD面阵摄象传感器

本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm~2,摄象区面积7.65×6.14mm~2,垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局,提高了管芯直流性能的完好率,栅的保护结构简单、有效。     

GZ3281S型CCD摄像器件组件驱动电路二次集成

1 结构及特点该驱动电路二次集成属于混合集成,采用微晶玻璃或耐热玻璃、抛光陶瓷等做基片,在基片上蒸发或溅射电阻、电容、导电带材料,利用光刻技术获得各种图形,然后再将有     

隔N位一抽头的串入并出CCD多抽头延迟线

本文将介绍串入并出抽头延迟线的基本原理、器件结构,特别是抽头与非抽头的时钟电极结构。     

GT3191Z型一维位敏光电探测器

1 工作原理该位敏光电探测器是利用半导体材料的“横向效应”原理制作而成的。该一维位敏光电探测器有两个输出电极和一个共用电极。入射光斑在探测器光敏区的位置,可以通过     

SAD012型高速12位A/D转换器

<正> SAD012是信息产业部电子二十四所近期研制开发的专用产品,于2002年1月28日通过鉴定,它是一种全正向设计的高速12位A/D 转换器。该电路采用信息产业部电子五十八所先进的1μm 工艺制作,使用了折叠插入技术、两步转换结构。SAD012型高速12位A/D 转换器采用 D28L 白陶瓷管壳封装形式,工作温度范围:-55℃～125~C。特点·采样速率:5MHz·微分误差:±1LSB(典型值)·信号/噪声比:>60dB·功耗:500mW(典型值)·工作电压:5V     

GZ313型单片式3～5μm64位红外电荷耦合摄像器件

(一)简要工作原理该红外电荷耦合摄像器件是把64个肖特基势垒二极管列阵构成的多元红外探测器与电荷耦合多路传输器集成在一起的单片式红外摄像器件。其工作过程是64位红外探测器把视场空间的热像转换成时序电信号,并由CCD 完成自扫描。当积分栅施加积分脉冲     

8位高速低功耗流水线型ADC的设计技术研究

采用7级子ADC流水线结构设计了一个8位80MS/s的低功耗模数转换电路。为减小整个ADC的芯片面积和功耗,改善其谐波失真和噪声特性,重点考虑了第一级子ADC中MDAC的设计,将整个ADC的采样保持电路集成在第一级子ADC的MDAC中,并且采用逐级缩放技术设计7级子ADC的电路结构,在版图设计中考虑每一级子ADC中的电容及放大器的对称性。采用0.18μm CMOS工艺,该ADC的信噪比（SNR）为53dB,有效位数（ENOB）为7.98位,该ADC的芯片面积只有0.56mm2,典型的功耗电流仅为22mA。整个ADC性能达到设计要求。     

一种单片8位高速乘法型D／A转换器

采用硅双极工艺制作了一种单片８位高速乘法型Ｄ／Ａ转换器。该电路具有精度高、速度快、与各种逻辑兼容、使用灵活等特点，在数据采集、数据处理系统、ＣＲＴ、波形产生器、Ａ／Ｄ转换器、伺服马达、ＶＣＤ、可编程电源、音响编码及衰减器、高速调制及解调装置中具有广泛的应用前景。     

基于互补双极工艺的高速12位电流型D/A转换器的设计

基于互补双极工艺技术，设计出了一种二进制电流源加权型结构的高速12位电流型D／A转换器，与基于CMOS工艺技术的实现相比，该D／A转换器具有结构简单、性能优异的特点，Hspice模拟结果表明，其满量程输出电流为10．24mA，满量程建立时间小于25ns。