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采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡注入技术,输出结构采用浮置扩散源跟随放大器技术。提出了改善转移效率、暗电流、时钟频率和动态范围的有效方法。测试结果表明,器件性能参数达到设计要求。 相似文献
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采用二相埋沟结构,研制成了2×455位高速 CCD 模拟延迟线,其动态范围达到46dB,时钟频率超过10MHz。本文详细地叙述器件设计,并对器件的主要参数进行分析讨论。 相似文献
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GZ413型2×512电荷耦合模拟延迟线系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品采用三相时钟驱动,表面N沟硅栅结构。在工艺上采用双面吸杂,SiO_2抛光,掺杂氧化及氮氢等退火工艺。该产品具有体积小,重量轻,功耗低,产品性能稳定可靠。它主要用于模拟延迟线,模拟存贮,频率与时间压缩与扩展等方面。在航空电子学领域,声纳系统,雷达系统及各种通信系统中有着广阔的应用前景。 相似文献
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本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。 相似文献
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本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm~2,摄象区面积7.65×6.14mm~2,垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局,提高了管芯直流性能的完好率,栅的保护结构简单、有效。 相似文献
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<正> SAD012是信息产业部电子二十四所近期研制开发的专用产品,于2002年1月28日通过鉴定,它是一种全正向设计的高速12位A/D 转换器。该电路采用信息产业部电子五十八所先进的1μm 工艺制作,使用了折叠插入技术、两步转换结构。SAD012型高速12位A/D 转换器采用 D28L 白陶瓷管壳封装形式,工作温度范围:-55℃~125~C。特点·采样速率:5MHz·微分误差:±1LSB(典型值)·信号/噪声比:>60dB·功耗:500mW(典型值)·工作电压:5V 相似文献
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采用7级子ADC流水线结构设计了一个8位80MS/s的低功耗模数转换电路。为减小整个ADC的芯片面积和功耗,改善其谐波失真和噪声特性,重点考虑了第一级子ADC中MDAC的设计,将整个ADC的采样保持电路集成在第一级子ADC的MDAC中,并且采用逐级缩放技术设计7级子ADC的电路结构,在版图设计中考虑每一级子ADC中的电容及放大器的对称性。采用0.18μm CMOS工艺,该ADC的信噪比(SNR)为53dB,有效位数(ENOB)为7.98位,该ADC的芯片面积只有0.56mm2,典型的功耗电流仅为22mA。整个ADC性能达到设计要求。 相似文献
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采用硅双极工艺制作了一种单片8位高速乘法型D/A转换器。该电路具有精度高、速度快、与各种逻辑兼容、使用灵活等特点,在数据采集、数据处理系统、CRT、波形产生器、A/D转换器、伺服马达、VCD、可编程电源、音响编码及衰减器、高速调制及解调装置中具有广泛的应用前景。 相似文献