水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究

做为衬底材料的各种掺杂和不掺杂的GaAs单晶材料中的微沉淀及微夹杂,都影响GaAs器件及集成电路的性能。我们用JEM-1000超高压电镜,采用选区电子衍射技术,研究了掺Si、掺Cr及纯度水平法生长(HB)低位错GaAs单晶中的As和C微小第二相的形态及结构。采用约化胞法、借助电子计算机计算约化胞数据表,来分析标定电子衍射花样确定结构。经电子衍射分析表明,掺Si、掺Cr及纯度水平法生(?)GaAs单晶中有二种结构类型As沉淀、一种为六方晶系As(a_0=3.76埃,c=10.55埃),另一种为正交晶系As(a_0=3.63埃,b_0=4.45埃,C_0=10.96埃),而且它们往往与α-方石英微沉淀(或微夹杂)或c微夹杂、或Cr_n As微沉淀共存(照片1)。电子衍射分析还表明,GaAs单晶中c的微夹杂是简单立方结构(a_0=5.55埃)。为了进一步验证水平法生长GaAs单晶中有c微夹杂存在,用JXA—50A扫描电子探针分析观察了,刚刚做好的电镜样品。     

Nd3+:LiYF4单晶生长

LiYF4(YLF)属正方晶系，与CaWO4相同,具有白钨矿结构。晶格常数值a=-5.26±0.03埃,c=10.94±0.03埃,熔点819 ℃,为激光晶体材料。众所周知,YLF与Y3Al5O12(YAG)相比导热率较小，约为后者的1/2,但是因为折射率温度系数为负值，所以热透镜效应比YAG小得多。     

清华大学研制成空阴极氦镉三色激光器

清华大学物理教研组研制成功的空阴极氦镉三色激光器是一种大功率的近白色光激光器。在大功率及近白光激光方面在国内领先。国外也未见同类型大功率输出氦镉白激光器的报导。该激光器作为实验装置已可用于彩色全息、光信息处理、电子分色制版、光谱仪器波长标定、激光光散射实验等科研工作中,已经于1980年10月通过鉴定。空阴极氦镉三色激光器可以同时产生6360埃、6355埃(红)、5378埃、5337埃(绿)和4416     

用四波混频实现频率转换和波前再现

我们采用图1所示的实验装置,Nd:YAG的1.06微米激光输出经KDP晶体倍频得5320埃绿光.此绿光用f=300毫米的透镜1聚焦到长度为     

NdAl_3(BO_3)_4的晶体结构与荧光寿命

NdAl_3(BO_3)_4经用单晶x射线分析测定为斜方六面体结构,空间群为P32.晶胞参数α=9.3416(6)埃,c=7.3066(8)埃,Z=3。经全矩阵最小二乘法换算得出R=0.033和R_ω=0.037。Nd原子,Al原子和B原子分别占据氧的三方棱柱,八面体和三角体。边共用的Al八面体沿C轴形成螺旋体。这些螺旋体通过被屏蔽的B三角体和被屏蔽的Nd三方棱柱相连接。对NdxGd_(1-x)Al_3(BO_3)_4系统报道了 Nd~(3 )的~4F(3/2)→~4I(1/2)跃迁的荧光寿命。NdAl_3(BO_3)_4的寿命为19微秒,浓度猝灭像在NdNa_5(WO_4)_4(85微秒)和NdP_5O_(14)(115微秒)发生的一样连续地降低。寿命短是由于非中心对称所致;由于Nd多面体屏蔽使浓度猝灭降低。     

氮分子中3577埃强激光的实验研究

J.Itani等首先在Blumlein快放电装置中用SF_6和N_2的混合物作为工作介质获得了强的3577埃激光作用.以后S.N.Suchard和R.P.Akins对(SF_6+N_2)混合物快放电激发的3577埃氮分子激光进行过研究.我们在本文中报导的是在改进的Blumlein型横向双放电装置中用适量纯氮进行放电激发时,所产生的氮分子激光中有波长3577埃激光,另外在适当SF_6和N_2的比例及总气压下观察到氮分子3159埃高增益受激发射.我们实验中所用的,是由带有直角三角形平板传输线作为脉冲形成网络的Blumlein 快放电装置,在装置的放电区域接近阴极的部分插入了第三电极A_3,这个第三电极我们称之为诱导电极,它在快放电中起着改变阴极发射性质并起使激活空间预电离的作用.整个装置图1所示.     

国产DXA3-8型一级电子显微镜

上海市电子光学技术研究所于1965年试制成功我国第一台一级电子显微镜,这一成功标志着我国电子显微镜的制造技术已开始进入了国际先进行列.利用在高真空中高速运动的电子代替可见光作为显微镜的照明光源,由于其波长(0.05埃左右,1埃=10~(-8)厘米)远较可见光(约4000～7000埃)为短,故能突破衍射象差的严重限制而使显微镜的极限分辨本领提高约3个数量级.一般光学显微镜分辨本领的理论极限约为2000埃,而现代透射式电子显微镜分辨本领的理论极限可达2～3埃.电子显微镜按其不同的工作原理和运行方式具有很多类型,而透射式是其中最基本的,亦是应用最广泛的、分辨本领最高的一种.     

非线性材料—淡红银矿晶体的生长

淡红银矿(Ag_3AsS_3),矿物学上因其颜色而得名。它的晶体结构为Haker所研究,后又为Ergel重新测定,三方晶系,空间群为R3C,晶胞尺寸为α=10.818±0.002埃,C=8.696±0.03埃。     

非欧姆ZnO陶瓷的晶相

研究了以Bi_2O_3、Sb_2O_3、Co_2O_3、MnO_2和Cr_2O_3作为添加剂的非欧姆ZnO陶瓷的各种晶相,把它们作为添加剂和烧结温度的函数进行分类和鉴别并合成了这些单相.这些陶瓷由溶入Co和Mn的ZnO相,溶入Co.Mn和Cr的Zn_7Sb_2O_(12)尖晶石相以及富Bi相(B、C、D或B’).B’-相是基本组分为12Bi_2O_3·Cr_2O_2的δ-Bi_2O_3型相(a=5.59埃);C-相是基本组份为14Bi_2O_3·Cr_2O_3的四方相(α=7.76埃、c=5.75埃);D-相是一种溶入大量Zn组分、小量Sb组分的β-Bi_2O_3型四方相(α=10.93埃、c=5.62埃);B’相也是一种由Bi_2O_3-ZnO-Sb_2O_3系形成的δ-Bi_2O_3型相(=5.48埃).在B和B’之间形成的一种固溶体.提高烧结温度使发生相变B→C→D或D+B’可以改进ZnO陶瓷的非欧姆特性.改变添加剂和烧结温度而引起的非欧姆特性的消失相应于陶瓷中的ZnO或富Bi相的消失.     

行波泵浦喇曼激光器的脉宽压缩

实验装置如图1,Nd:YAG主被动锁模激光器输出脉冲序列,经过前置放大后用激光触发火花隙电光开关系统选出单一脉冲,然后经过多级放大。末级输出光束口径为ф35毫米,用倒置望远镜缩束变为ф14毫米。倍频晶体采用Ⅰ型匹配,倍频后输出5321埃的绿光脉冲,然后用f=500毫米透镜聚焦于20厘米长的喇曼盒中,喇曼介质是乙醇。由喇曼盒出来的光,用f=200毫米透镜补偿为平行光,我们对5321埃的泵浦光和6303埃的喇曼光的脉冲宽度进行了测量。用炭斗检流计测量了1.064微米光的能量为1     

气体光激射器达续输出达100毫瓦

珀肯-埃耳默（Perkin-Elmer)公司说,它已硏制出一种在6328埃处产生100毫瓦连续功率的氦-氖光激射器。平行双等离子体管由阿特伍德(J. Atwood)与里格丹（J. D. Rigdan)所领导的一个硏究组制出。从激射器管输出的功率以精密光学棱镜与另一个管的输出耗合,产生单的高强度光束。这种装置长72吋,重35磅。     

常用倍数字头、长度、面积、体积、质量、密度、角度单位的符号及换算

1.倍单位和分单位的通用字头2.几个英、美含义不同的大数命名3.表示数量1至10的字头cm=10~3毫米(公厘)mm=10~4丝米 dmm=10~5忽米cmm=10~6微米μ=10~9毫微米 nm(mμ)=10~(10)埃A=10~(12)微微米 Pm(μμ)=10~(13)X射线单位XU①=10~(15)毫微微米(费密)fm=10(-1)十米(公丈)dam(Dm)=10~(-2)百米(公引)hm=10~(-3)千米(公里)Km=3.2808英尺=1.09361码=3(市)尺(市)尺=10(市)寸=10~2(市)分=0.3米=1.0935英尺     

激光束在Gd_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜、Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导片上的细微加工

用计算机控制的激光融刻装置对几百埃厚的Gd_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜和二百微米左右厚的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导片进行不同尺寸微桥的融刻加工试验,并用扫描电镜、扫描俄歇电子谱,α-step仪以及R-T测量装置对新加工的微桥进行形貌观察、测量,成份剖面分析以及相应的超导电性测量。对所得的实验结果进行了讨论。     

固态绿光激射器

非线性晶体内红外激射光束的谐波增加是Lear-Siegler的光激射器系统中心的商用绿光激射器的基本机构。LS-12型装置采有装有Q幵关的掺钕玻璃光激射器;由二氢磷酸钾(KDP)倍增器产生的的二次谐波在5305埃处的谱线宽度是10埃。最大速率为每秒6次脉冲处的输出是100千瓦峰值。脉冲持续是0.1微秒。     

He-CdⅡ白色振荡中激光谱线功率的相互影响

本文研究对应于三种光学原色的兰色(4416埃)、绿色(5337埃和5378埃)和红色(6355埃和6360埃)在空心阴极放电中同时振荡时激光谱线之间功率相互影响。当绿色激光谱线与红色激光谱线一起振荡时,由于红色激光谱线的串级泵浦,绿色激光谱线的输出比绿色单独振荡的输出大1.5倍。当利用白激光镜片使4416埃激光谱线跟红色和绿色激光谱线一起振荡时,观察到红色和绿色两种激光谱线的衰减。这是因为4416埃激光振荡略微减少了 He(2s~1S 和2s~3S)原子数以及对 He(np~1p 和np~3P)能级的激励率。     

用可挠性光纤传输软X线的实验成功

日本电子技术综合研究所最近完成了用可挠性光纤传输软X线(峰值波长为30埃)的实验研究。现在广泛使用的光纤的透过区域为：长波到2微米左右，短波到0.3微米=3000埃附近。在长波侧，已开始研究诸如用于二氧化碳激光在10微米波段内透过的光纤,但在短波方面，尚未对可用于紫外-真空紫外-X线领域中的光纤作开发研究。     

用液相外延制备1.11～1.67微米(100)GaInAsP/InP注入激光器

用液相外延工艺,在1.11～1.67微米的波长范围,制造了(100)GaInAsP/InP DH 激光器。用两相溶液法,在相同的温度条件下(热处理温度 T_s=670℃,生长温度 T_g-631℃)和相同的冷却速率(0.81°C/分钟)下,在1.2～1.65微米的波长范围,获得了低归一化阈值的 DH 激光器。还给出了激射波长与生长温度的依赖关系。三层结构的普通激光器,在1.2～1.52微米的波长范围,其归一化阈值电流密度 J_(th)/d 为4～5千安/厘米~2/微米,而抗回熔层的四层结构的波长较长的激光器,在1.45～1.65微米波长范围,其归一化阈值电流密度为5～6千安/厘米~2/微米。在约250～270K 拐点以上的温度范围,这些激光二极管的激射阈值随温度而更快地增加。在1.3微米波长下,激射波长与温度的依赖关系约为4埃/度,而在1.55微米波长,约为5埃/度。在1.3微米,谱线宽约为1000埃,在1.55微米,谱线宽约1400埃。在λ=1.51微米,获得了较长波长激光器室温连续工作,其阈值为200～350毫安。     

使用BSO晶体的实时散斑剪切照相

实时散斑剪切照相装置是一种实时地存贮与观察散斑剪切图样的新方法。使用的记录介质是光致折射率变化的电光晶体硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))。Bi_(12)SiO_(20)晶体在电场电压为6kV/cm和波长λ_1=514nm时获得1%衍射效率的写入能量是0.3mJ/cm~2。它对波长λ_1=514nm的吸收系数α_1=2cm~(-1),对波长λ_2=633nm的吸收系数α_2=0.28cm~(-1)。该晶体是一种记录可擦除性的记录介质,所以可多次重复使用而不会出现任何疲劳和损伤。利用此晶体装置的实     

感应激励的氩离子激光的特征

感应激励的氩气体激光器已由日本名古屋大学详细地研究过。两台装置能运转。第一台装置具有直径6毫米的放电管,由10微秒直流脉冲感应激励,第二台具有直径10毫米的放电管和40微秒的脉冲。在6毫米激光器中观察到5种跃迁,而在10毫米装置中只找到两种跃迁。4,880埃跃迁的激光脉冲仅在压力高于30毫托、脉冲激励时间为40微秒时观察到。4,765埃跃迁的尖峰激光强度已饱和,但在6毫米放电管中,在强电流高压力下也不猝灭（虽然其他四种跃迁都已猝灭)。     

HgBr激光谱的研究

本文报导了用193毫微米ArF准分子激光光解HgBr_2得到HgBr(B→X)跃迁499、502、504毫微米三个谱带45条激光谱线的实验研究。 所使用的紫外光预电离ArF准分子激光器由我们自己研制,最大输出能量220毫焦耳。其光解装置用控制温度的方法来控制HgBr_2的蒸气压。用1200条/毫米全息光栅光谱仪摄谱,分辨率为8埃/毫米。波长测量精度0.1埃,测得激光波长45条,它们分属499、502和504毫微米三个谱带。最后给出了激光光解HgBr_2得到HgBr(B→X)跃迁的势能曲线图。表1列出所得到的45条谱线波长。