瞬态干扰抑制(一)

前面几篇文章对干扰滤波器的原理、设计和实现做了介绍.干扰滤波器对于滤除电缆线上的连续射频干扰是十分有效的.但是在现实环境中,常会遇到另一类干扰,这就是瞬态干扰.瞬态干扰是指时间很短但幅度较大的电磁干扰.在电磁兼容试验中,设备需要通过的瞬态干扰试验有三个:电快速脉冲(EFT)、浪涌(SURGE)、静电放电(ESD).     

系统级ESD对IC的影响研究

随着电子产品复杂度的提高及高速化通讯应用场景的广泛存在，静电放电敏感性的问题日益突出，主要表现为集成电路出现的一系列软失效和硬失效现象，包括卡死、复位、重启甚至损坏等。主要研究了系统级静电放电对集成电路的影响。首先，介绍了静电放电的原理及其测试标准；其次，研究了芯片侧瞬态静电过电压的抓取方式；然后，对应用于不同电路设计的静电防护能力的优劣进行了评估并对比了芯片侧的静电干扰电压水平；最后，验证分析了USB接口不同的接地设计方式和静电放电施加方式对集成电路甚至系统的影响。     

电磁场与微波技术

O44,X9,TM152006020657静电放电火花点燃特性与危险性分级方法/周本谋,范宝春,刘尚合(南京理工大学瞬态物理国家重点实验室)//南京理工大学学报(自然科学版).―2005,29(4).―475～478.由分析静电放电火花点火过程的物理特征和静电放电火花的点燃特性。根据静电放电火花的能量大     

基于分段线性模型针对传输线脉冲瞬态干扰信号的芯片协同防护设计方法

随着电子设备向小型化、高密度和高速的趋势发展,集成电路作为电子设备的基本核心单元也朝着这一方向发展,由此带来了越来越严重的电磁兼容问题。其中静电放电问题越来越引起设计者、制作者和使用者的重视。该文利用传输线脉冲(TLP)方法对芯片进行测试,获取了器件在应对静电放电干扰时的伏安特性数据。基于TLP测试数据应用分段线性建模方法构建了芯片应对静电放电干扰的模型。该文还根据二极管的等效电路及其数据手册的伏安特性数据构建了瞬态电压抑制(TVS)二极管模型,并通过TLP测试进行验证。同时,结合上述两个模型,开展了芯片静电放电干扰的协同防护设计方法研究,并应用实例验证了芯片的协同防护设计方法的可行性。该方法实现了用仿真模拟的方式进行芯片的协同防护设计,能够节约设计成本和时间。     

TVS和一般的稳压二极管有什么区别？

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等，瞬态干扰几乎无处不在、无时不有，使人感到防不胜防。幸好，一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUVPRESSOR）或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时。     

广播电视机房电子设备的静电放电防护

广播电视机房设备众多,是电磁干扰和静电防护的重灾区。本文针对静电放电对电子设备威胁日益严重的现状,阐述了静电放电对电子设备干扰的机理,并根据实际工作经验,从躲、阻、疏三方面提出了电子设备对静电放电的防护措施。     

基于场路协同的手机静电放电仿真研究

随着电子产品集成度的提高,静电放电对手机等电子设备的危害愈来愈严重。本文建立了包含静电放电枪、手机外壳,内部PCB板及芯片模型的场路协同仿真模型,研究静电放电时手机内部的电磁干扰和信号传输情况。研究结果表明放电位置在同种介质上变化时,放电点与监测点距离因素占主导,同时手机外壳上的开孔及缝隙也会影响。不同介质上放电时,对金属铝壳放电时辐射干扰更大,而对玻璃介质放电时传导干扰更大。     

静电防护专题讲座(续一)

电子工业静电危害(讲座三) 1.静电危害的一般特点 (1)库仑力的危害; (2)静电放电的危害:①电击.②绝缘击穿,产品报废.③干扰误动作.④爆炸火灾;     

瞬态电磁干扰特性对比及应用

对比了GJB 151A中CS106、CS115和CS116测试项目的参数,并对雷电、静电和核电磁脉冲等瞬态干扰特性进行了波形对比及分析。根据波形特性,给出了关于设备受到何种瞬态干扰的判断方法。     

飞行器表面静电放电抑制的研究

飞行器在飞行中产生的静电放电(ESD),可使飞机燃油箱起火爆炸并干扰飞行器通讯和导航系统。文中针对飞行器上的静电放电展开研究,讨论飞行器上静电放电的抑制。由放电状态下飞行器表面电流密度分布验证了放电刷可以有效地抑制机体的静电放电,然后对放电刷的各个参数进行了比较得出较为有效的放电刷模型。其次讨论了静电荷在飞行器上所产生的辐射电场对机载天线的影响。对飞机ESD 辐射电场进行仿真研究,有助于飞行器外形的优化设计,能够很好地预测静电辐射带来的危害。     

微带线的静电放电实验与仿真研究

由于存在复杂的强电磁噪声干扰,基于印制电路板的静电放电测试过程存在可重复率低、失真度高、难度大等问题。构建了一种简易的静电放电测试台架,重点研究微带线在导体传导途径中所引发的静电放电电压耦合现象的可测量性,并通过与仿真数据的对比,验证了该测试方法的可靠性,从而有助于提高电子产品设计研发阶段的静电放电评估工作的效率。     

电子产品的防静电性能改进方法概述

从静电放电的起因开始,给出了国家标准规定的静电放电参数.对静电放电的耦合路径和防护方法进行了分析,以指导工程师在进行电路设计时,掌握如何防止静电放电对产品的影响.     

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,     

深槽TVS研究

以静电放电（ESD）以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能。电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰,瞬态电压抑制器（TVS）通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击。基于不同的应用。瞬态电压抑制器可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用。为了节省芯片面积,并且获得更高的抗浪涌能力,深槽TVS的概念已经被提出和研究。深槽TVS的结面形成于纵向的深槽的侧壁,这样,在相同的芯片面积下,它有更多的有效结面积,即更强的放电能力。我们也可以预见,深槽TVS的小封装尺寸对应用于保护高端IC非常关键。     

空气式静电放电的放电特性研究

利用简单的静电放电模拟测试装置对IEC标准规定的空气式静电放电的放电特性进行了研究.对放电电流的上升时间、峰值、自制金属半圆环上的耦合电压峰-峰值进行了测量,并用数字存储示波器记录了放电电流和耦合电压的波形.在较宽范围的电压电平和正负电压极性上进行了空气放电.对空气式静电放电的重复性、频谱特性和耦合特性等进行了分析.对空气式静电放电的放电特性研究可为静电放电抗扰度试验方法提供参考.     

ESD7008／MG2040／ESD7104：TVS

安森美半导体推出高速数据线路用瞬态电压抑制器（TVS）。ESD7008、MG2040及ESD7104为高速数据及视频线路提供静电放电保护。     

电信设备的电磁兼容性能概述

概述了电信设备的电磁兼容性能,主要包括幅射发射,传导发射,幅射抗扰度,传导抗扰度,静电放电和电快速瞬态抗扰度等的要求。     

外部干扰的抑制(七)

6.5电源品质的抗干扰能力6.5.1电源品质简介无论是直流(如48 V电话交换机、刀片服务器)还是交流电源,都会受到多种高频电磁骚扰的影响,具体包括:●浪涌、尖峰与其他瞬态干扰;●瞬变脉冲群;●静电放电;●共模与差模射频电压、电流。这些电磁骚扰会出现在所有导线或金属结构上(包(上接2012年第2期91页)     

合理有效地预防和控制ESD危害

正静电就如我们周围的细菌一样,由于原子分子存在,任何物质只要有接触和分离,甚至不接触,通过感应都会产生静电。只要静电电位不相等,静电放电(ESD)就会发生。现代电子元器件的密度越来越大,速度越来越快,其抗静电的能力越来越弱。那么如何防护静电与控制ESD的发生呢?只要合理有效地控制人体静电放电、设备静电放电,控制元件操作附近的静电电压/电场就能控制绝大部分生产过程中的静电放电。     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲