溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜的研究

硅溶胶制备ＳｉＯ２薄膜时用正交试验法系统研究了各种因素对溶胶稳定性和ＳｉＯ２薄膜成膜性的影响。研究表明：溶液浓度,加水量和催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,控制干燥化学添加剂在加入量超过一定比例后对抑制膜层开裂有明显作用。     

溶胶—凝胶法制备SiO2基光学玻璃薄膜的红外光谱研究

本文应用傅立叶变换红光谱仪研究了组分、热处理温度对溶胶-凝胶技术制备的SiO2、P2O5-SiO2、B2O3-SiO2以及P2O5-B2O3-SiO2系统薄膜结构的影响规律。随热处理温度增加，薄膜中硅氧、硼磷氧、磷硅氧和硼硅氧网络逐渐增强。但薄膜中P2O5和B2O3的含量存在一个饱和值，多余的P2O5和B2O3掺入量不能有效进入薄膜网络中。     

溶胶—凝胶法制备Ge／SiO2微晶复合薄膜

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜,并用Ｈ２／Ｎ２还原使得ＧｅＯ２转变成Ｇｅ微晶而镶嵌在ＳｉＯ２的玻璃网格中,其平均晶粒尺寸小于４ｎｍ。随着热处理时间的增加,２４０ｎｍ处吸收峰的强度随之增大,并且其吸收边产生红移,说明Ｇｅ微晶的含量晶粒尺寸都在增大。     

溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究

采用溶胶－凝胶方法在单晶Ｓｉ基片上制备了ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，研究了溶剂、ｐＨ值对先体溶液成胶时间的作用，溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大，其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的Ｉ－Ｖ、Ｃ－ｆ特性，由于薄膜中的热击穿效应而使得ＴｉＯ２含量较高的薄膜２的Ｉ－Ｖ呈非线性变化。     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能，研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力，胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响，随Ce/Ti比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。     

溶胶—凝胶法制备TiO2／Pt／glass纳米薄膜及其光电催化性能

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓｓ纳米光催化薄膜，并进行了结构和乐电催化性能的测试。薄膜对染料溶液的光电催化降解结果表明，当输入正向偏压后，ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓｓ薄膜的光催化性能有一定提高，且随着偏压增大而增强。同时，薄膜的中间层Ｐｔ及光源强度对薄膜的光电催化活性也有较大影响。     

溶胶—凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性

实验研究了由溶胶－凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶－凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正，可以制备出性能优良的驻极体薄膜。     

水相溶胶—凝胶法制备电变色TiO2薄膜

采用水相ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２薄膜,以ＴＧ,ＤＴＡ,ＦＴＩＲ,ＸＲＤ和ＳＥＭ等方法研究了成膜过程中薄膜的结构变化,经３５０－４５０℃处理的薄膜为锐钛矿相结构 ,「２０４」择优取向。经一次旋涂所得的薄膜在１５０℃处理１ｈ后,厚度为５０ｎｍ;在循环伏安特性测试中,其注入／抽出电荷容量分别为４．７８,２．５２ｍＣ＝ｃｍ＾２。     

TiO_2纳米管/介孔SiO_2复合膜的制备及生物活性研究

以表面构筑了TiO2纳米管阵列的金属钛为基底,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆介孔SiO2薄膜,构建了TiO2纳米管/介孔SiO2复合膜。利用SAXRD、FTIR、HRTEM和FESEM等表征样品的结构和微观形貌。研究表明,在高度有序、规整排列的TiO2纳米管阵列基底上,利用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆有六方相介孔SiO2薄膜的复合膜具有良好的生物活性。     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

射频磁控共溅射制备超亲水TiO2/SiO2复合薄膜

采用射频磁控共溅射法制备了SiO2/TiO2复合薄膜,通过控制SiO2靶与TiO2靶的溅射时间可调节SiO2与TiO2的比例.所制备的SiO2/TiO2薄膜为锐钛矿结构.实验结果表明:SiO2的掺入降低了SiO2/TiO2复合薄膜的光催化能力,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间.其中,掺入6%～13%SiO2的SiO2/TiO2复合薄膜,在紫外光照射30 min,接触角降到2°;停止照射后,在5天内接触角小于6°.     

溶胶-凝胶法制备TiO2纳米薄膜的晶粒长大机理研究

通过sol-gel法在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的锐钛矿型TiO2纳米薄膜.用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见吸收光谱(UV-VIS)等对薄膜的晶粒大小和透光率进行了表征.结果表明:随着镀膜次数和热处理时间的增加,薄膜中的平均晶粒大小接近线性增加.仅增加TiO2薄膜的热处理时间,薄膜中晶粒长大不明显,其吸收阀值未发生明显的红移.因此, 薄膜中晶粒长大的机理可能是: 上一次镀的TiO2晶粒成了下一次镀TiO2溶胶的晶核, 并在此基础上逐渐长大.     

银钠米粒子/二氧化钛复合薄膜的溶胶凝胶法制备及其光学性质的研究

用溶胶凝胶法制备了含纳米级银粒子的TiO2 薄膜。对薄膜进行了XRD、TEM、XPS等测试 ,发现空气中 60 0 - 80 0℃热处理形成了含 4 - 4 5nm的Ag金属粒子的锐钛矿和金红石多晶薄膜。Ag微粒子随热处理温度升高而增长。这些薄膜在可见光区有一个较宽的吸收峰。     

SiO2／TiO2复合薄膜光催化性能的研究

采用溶胶-凝胶法和浸渍提拉法在玻璃表面镀制了SiO2/TiO2复合薄膜,以SEM,XPS,UV-Vis等手段对其进行了表征;通过对亚甲基蓝的降解反应,研究了SiO2/TiO2复合薄膜在紫外光下的光催化性能。结果表明:在玻璃片上预镀SiO2层使TiO2薄膜中的Na 和Mg2 含量明显降低,同时,有利于TiO2薄膜中晶粒的长大,提高了光催化性能。     

溶胶－凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性

实验研究了由溶胶－凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶－凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正，可以制备出性能优良的驻极体薄膜     

溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。