可用于 a-Si∶H 太阳电池的钛硅化物的研究

用直流溅射法在ＩＴＯ玻璃衬底上溅射金属Ｔｉ膜后再用辉光放电法沉积ａ－Ｓｉ，研究了钛的硅化物的形成，利用ＸＰＳ、ＲＢＳ分析，确定了反应生成物为ＴｉＳｉ２，且生成物十分有效地阻挡了ＩＴＯ中的Ｉｎ的扩散；用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测量了生成物的透过率发现其透过率在紫外部分较ＩＴＯ膜提高；测试了Ｔｉ／ａ－Ｓｉ界面的Ｉ－Ｖ特性，发现界面无势垒；测量了生成物的电阻率，数量级为几十μΩ·ｃｍ数量级。该钛的硅化物膜可用于非晶硅太阳电池的前电极。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜的I—V特性测量及导电机理

Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理

Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

一种新型的ITO／TiSi2双层前电极a—Si：H太阳电池

如何提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池的转变效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／ＴｉＳｉ２／ｐｉｎ／Ａｌ双层前电极ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池,通过老化处理后发现,这种新型电池较之常规电池主要参数均改善,电池的稳定性明显提高。     

两步退火形成钛硅化物和氮化物研究

模拟自对硅化物技术的两退火工艺，对超高真空（ＵＨＶ）下制备的Ｔｉ／Ｓｉ样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射的（ＸＲＤ）分析样品的组分及晶相、发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ｔｉ的硅化物及氮化物，这对发展ＭＯＳ器件工艺中自对硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电（ＳＥＭ）观察了薄膜形貌，用Ｖａｎ ｄｅ Ｐａｕｗ法测量薄膜电阻。     

Ti(IV)在介孔氧化硅MCM-41中的液相移植

以钛酸丁酯为原料,通过液相移植反应,在介孔氧化硅ＭＣＭ－４１中成功地组装了Ｔｉ（ＩＶ）,利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＦＴ－ＩＲ、Ｎ_２吸附－脱附、^２９Ｓｉ ＭＡＳ ＮＭＲ等多种实验方法对材料进行了表征,并讨论了液相移植反应的机理．实验表明,通过与介孔材料骨架表面Ｑ^３硅原子中的硅醇键（Ｓｉ－ＯＨ）的反应而形成钛－氧－硅（Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉ）键,Ｔｉ（ＩＶ）被成功地固定到介孔材料的骨架上面; ９５０～９６０ｃｍ^－１红外共振吸收的加强是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键形成的标志．     

溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究

采用溶胶－凝胶方法在单晶Ｓｉ基片上制备了ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，研究了溶剂、ｐＨ值对先体溶液成胶时间的作用，溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大，其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的Ｉ－Ｖ、Ｃ－ｆ特性，由于薄膜中的热击穿效应而使得ＴｉＯ２含量较高的薄膜２的Ｉ－Ｖ呈非线性变化。     

Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构

本文利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ａｌ２Ｏ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜，讨论了主要内容是体系成分（Ａｌ：Ｓｉ：Ｔｉ摩尔比）对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合溶胶，进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中，Ｓｉ／Ｔｉ摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过ＸＲＤ对薄膜的相组成进行了分析，表明复合薄膜由Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２     

医用NiTi合金表面溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2薄膜

采用溶胶－凝胶法在ＮｉＴｉ形状记忆合金表面制备了ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２复合薄膜,在提高医用ＮｉＴｉ合金的抗腐蚀性方面,收到了显著的效果．运用电化学方法对不同组成的ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２薄膜在模拟体液中的腐蚀行为进行了研究,结果表明,随薄膜中 Ｔｉ／Ｓｉ比的增加,ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２薄膜的抗腐蚀性增强．划痕试验表明 ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２（Ｔｉ／Ｓｉ＝４：１）膜与ＮｉＴｉ合金基体具有较高的界面结合强度．用原子力显微镜（ＡＦＭ）对ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２薄膜的表面形貌及表面粗糙度进行观察和分析,解释并讨论了ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２薄膜的配方组成与其抗腐蚀性的关系,ＳｉＯ_２含量较少时,薄膜结构致密,膜层均匀平滑,且膜基结合力好,作为医用ＮｉＴｉ合金的表面保护层,可以使其耐腐蚀性有显著提高．     

溶胶—凝胶法制备有机改性SiO2—TiO2涂层的研究

用溶胶－凝胶法在ＰＭＭＡ上制得ＳｉＯ２－ＴｉＯ２涂层。溶胶粘度分析表明，溶胶以线性生长方式凝胶，适宜于制备薄膜。ＦＴＩＲ对涂层的干燥和热处理过程研究表明，涂层中形成Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉ无机网络结构。扫描电镜对涂层中Ｔｉ－Ｓｉ元素的分布进行了能谱分析，发现无机网络主要分布于涂层的表面及界面处。     

合成条件对TS—2沸石的合成和催化性能的影响

本文通过改变Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比、Ｓｉ／Ｔｉ比、模板剂的用量以及胶液的ＰＨ值等条件，合成了一系列ＴＳ－１沸石，用ＸＲＤ、ＩＲ和ＳＥＭ系统地考察了上述因素对合成手ＴＳ－１沸石的结晶纯度、骨架钛含量以及其晶体形貌４的影响；用苯酚羟基化反庆考察了其催化性能，就沸石的结晶度、骨架钛量，特别是晶体形貌与其催化活性的关系进行了探讨，找具有较高催化活性的ＴＳ－２分子筛的合成方法。     

溶胶—凝胶制备TiO2／SiO2复合薄膜的FT—IR表征

ＦＴ－ＩＲ吸收谱用来研究具有多孔结构的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜；薄膜在１２００ｃｍ＾－１有一较强的肩峰，其强度与峰位随热处理温度度而生变化。在９５５ｃｍ＾－１的吸收峰是由于Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ和Ｓｉ－ＯＨ的结果，并随着热处理 度的提高其吸收峰完全是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动所引起的，其峰位随着ＴｉＯ２的增加，向低频区域移动。     

Al／SiC复合材料界面反应的DTA研究

本文以多层膜模拟复合材料界面反应，用ＤＴＡ及ＸＲＤ研究了ＴｉＣ，Ａｌ２Ｏ３和ＳｉＯ２作为Ａｌ／ＳｉＣ体系的反应阻挡层的作用．发现经７００℃，１ｈ处理后，Ａｌ２Ｏ３不与Ａｌ或ＳｉＣ反应，有很好的阻挡作用；ＴｉＣ与Ａｌ反应生成ＴｉＡｌ３后也能阻止Ａｌ与ＳｉＣ的反应；ＳｉＯ２与Ａｌ反应，导致一定数量的Ｓｉ溶入Ａｌ中，是否起阻挡作用有待进一步分析．     

电阻率可调的Si—Ti—C—O纤维的研制

以Ｔｉ（ＯＢｕ）４与低分子量聚硅烷为原料合成不同含钛量的聚钛碳硅烷,经熔融纺丝、空气不熔化及高温烧结等工艺,制备出了电阻率为１０６～１０３Ω·ｃｍ的Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃ－Ｏ纤维。通过ＩＲ、ＧＰＣ、ＶＰＯ、ＸＰＳ等分析手段,系统地研究了钛含量对纤维的制备、结构及其电性能的影响     

TiO_2在MCM-41内表面单层及双层分散的结构表征

首次以有机物钛酸丁酯为前驱体,合成了ＴｉＯ２呈单层分散状态（Ｔｉ／Ｓｉ＝０.２０）或双层分散状态（Ｔｉ／Ｓｉ＝０．３９）的介孔分子筛ＭＣＭ－４１（Ｓｉ／Ａｌ＝３５）,并以 ＸＲＤ,ＦＴＩＲ,Ｎ２吸附－脱附,固体ＵＶ－ｖｉｓ 漫反射等表征手段对其结构特征和氧化钛分散状态进行了研究．结果表明： ＴｉＯ２在介孔分子筛ＭＣＭ－４１孔道中分散, ＭＣＭ－４１骨架结构结晶度降低,但是附着二层ＴｉＯ２后,仍能保持长程有序结构; ＴｉＯ２与ＭＣＭ－４１孔道表面的ＳｉＯ２以化学键连接,生成Ｓｉ－Ｏ—Ｔｉ键;无论是单层还是双层分散的 ＴｉＯ２在 ＭＣＭ－４１内孔壁均匀分散;且由于ＴｉＯ２粒子的减小使其对紫外光的吸收发生明显的蓝移现象．     

PZT／Si薄膜的扩散反应研究

运用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了ＰＺＴ膜／Ｓｉ在热处理过程中的薄膜及界面化学反应；在热处理过程中，气氛中的气通过ＰＺＴ的缺陷通道扩散到ＰＺＴ／Ｓｉ同旧，并与界面上的硅发生氧化反应形成ＳｉＯ２界面层。同时基底上的硅通过ＰＺＴ的缺陷扩散么样品表面形成ＳｉＯ２表面层。此外，在ＰＺＴ／Ｓｉ界面上，Ｔｉ的氧化物和Ｓｉ发生还原反应，形成了ＴｉＳｉｘ金属硅化物，并残留在ＰＺＴ膜层和和ＳｉＯ２界面层中。在ＰＺＴ膜层内，有     

硅藻上一莫来石陶瓷负载SiO2膜的制备与表征

将液晶模板技术与溶胶－凝胶法相结合,制备了硅藻土－莫来石陶瓷（Ｋ－Ｍ）负载型ＳｉＯ２膜。表征实验结果表明：ＳｉＯ２膜层与ＴｉＯ２过渡膜层间通过Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键的价联方式形成了紧密、稳定的伦合型复合膜;ＳｉＯ２膜孔径集中在４～５ｎｍ,孔分布较为均匀;Ｋ－Ｍ负载ＳｉＯ２膜管对气体具有较强的渗透能力,并有较好的气体分离作用根据实验结果探讨了模板剂的性质及用量对ＳｉＯ２膜孔结构的决定性作用。     

溶胶-凝胶法有机-无机精细复合材料P(VDF/TeFE)-SiO_2的制备与显微结构

用溶胶－凝胶法制备了有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。利用水解－聚合反应由正硅酸乙脂（ＴＥＯＳ）合成ＳｉＯ２溶胶，乙醇作溶剂，盐酸作催化剂。将Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）溶于丙酮，并与ＳｉＯ２溶胶均匀混合。凝胶后经干燥和热处理得到有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。用红外光谱分析、扫描电镜分析、差示扫描热分析和热失重分析对有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２进行了显微结构表征。     

低比电阻Si—Ti—C—O纤维先驱体的合成

通过液体聚硅烷（ Ｌ Ｐ Ｓ） 与钛酸四丁酯 Ｔｉ （ Ｏ Ｂｕ）４ 反应合成了不同钛含量的聚钛碳硅烷先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理及高温烧结等工艺制备出比电阻为１０６ ～１０３ Ω·ｃｍ 的 Ｓｉ Ｔｉ Ｃ Ｏ 纤维． 用 Ｉ Ｒ、 Ｇ Ｐ Ｃ、 Ｖ Ｐ Ｏ、 Ｔ Ｇ、 Ｄ Ｔ Ａ 等方法分析研究了聚钛碳硅烷的组成、结构与特性及其与含钛量的关系     

TiN／n—GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／ｎ－ＧｓＡｓ体系电学特性改善的原因。