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中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为.结果表明,在1014~1017/cm2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长.中子辐照效应对ψ1/2没有影响.经一定剂量辐照后,退火温度越高,退火时间越长,离位原子的恢复效果越明显.1015/cm2剂量辐照损伤的恢复激活能E10.35eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合;而1017/cm2剂量辐照损伤的恢复激活能E20.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合. 相似文献
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GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应 总被引:1,自引:1,他引:0
对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤. 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂( N T D) 后的磷化铟( In P) 材 料进行了分析。 N T D In P 样品经退火后的低温实验结果表明,其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺 Sn的 In P 样品进行的低温实验也反映出同样的变化规律。文章分析了这一现象,并研究了嬗变后 In P 样品的退火特性 相似文献
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研究了改变注入角、p型埋层注入及红外快速热退火对GaAsIC有源层均匀性的影响,得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。 相似文献
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文章介绍了GaAs的中子嬗变掺杂的优点,砷化镓的NTD原理,以及NTD-GaAs的退火过程,并简要介绍了国外GaAs的NTD研究进展和结果。 相似文献
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本文对砷化镓离于注硅用SiO_2和Si_3N_4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因. 相似文献
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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关. 相似文献
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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关. 相似文献
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钛宝石中子辐照色心的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了中子辐照下钛宝石单晶体缺陷的形成及光学性能的变化。对温度梯度法(TGT)生长的钛宝石晶体进行中子辐照,中子能量为1.5MeV,剂量为4.32×1016neutrons/cm2。辐照后194nm吸收峰强度增加,268nm吸收峰强度则降低。荧光谱检测中发现辐照使得420nm荧光峰强度明显降低,荧光峰位置也蓝移至414nm处。分析表明辐照使得钛宝石晶体内形成F+缺陷,同时Ti4+离子则转化成Ti3+离子。辐照后的钛宝石在247℃处有热释光TL出现,通过初始上升法计算出其陷阱深度为0.63eV。该热释光的产生与辐照形成的色心有关,但由于钛离子的猝灭效应使得钛宝石的热释光强度较低。 相似文献
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本文采用清华大学QSW-3075快速热处理设备对Si^+,As^+双离子注入半绝缘GaAs进行了快速热退火研究。结果表明,在适当条件下退火,注入杂质有高的激活效率,并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布,保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。 相似文献
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研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响,分析了退火机理,找出了最佳退火流程,获得了优良的通态电压与关断时间(VTM-Tq)的折衷关系。 相似文献