超高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度Z箔电阻。此新型器件可提供±0．05×10^-6／C（当温度介于0～＋60℃之间）及±0．2×10^6／℃（当温度范围在55～＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在＋25℃时最多8W的额定功率±4×10^-6／w（典型值）的优越功率系数（自身散热产生的R）及±0．01％的容差。     

高精度轴向Z箔电阻

VSA101是一款新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻,旨在满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0～60℃以及55～125℃（＋25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0．05×10^-6／℃及±O．2×10^-6／℃的绝对低的TCR、     

VCS1625Z：Z箔表面贴装电流感应芯片电阻

Vishoy宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。新器件可提供±0．05ppm／℃（当温度介于0℃至＋60℃之间）或±0.2ppm／℃（当温度范围在55℃至＋125℃之间）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（自身散热产生的△R）及±0.2％的容差。     

Visl珂推出具有极低的绝对TCR值、超低容差的新型超高精度BulkMetal（R）Z箔电阻E102Z

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新型超高精度BulkMetal？Z箔电阻——E102Z。该款电阻可在-55℃到＋125℃的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0．2ppm／℃）,容差为±0．005％（50ppm）,在＋70oC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0．005％（50ppm）。E102Z符合EEE—INST-002规格和MIL—PRF55182军用标准,设计用于非常规环境条件,漂移极小,适用于军事、航空和医疗应用。     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

SOT23封装的串联电压基准

LT6654专门为在-40～＋125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0．05％初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1．6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6／V的电压调节误差。其他特性：1．6×10^-6PP噪声（0．1～10HZ）;±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节：8×10^-6／mA（最大值）;电压调节：5×10^-6／V（最大值）;现已提供2．5V电压版本。     

VCS1625Z:Z箔表面贴装电流感应芯片电阻

Vishay宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。此新器件可提供±0.05ppm/℃（当温度介于0℃至＋60℃之间）或±0.2 ppm/℃（当温度范围在55℃至＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0.2％的容差。     

箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃（参考值为＋25℃）范围内具有±0．2×10^6／℃的低典型TCR,0．1×10^6／℃的TCR跟踪,±0．005％（50×10^6）的容差匹配,以及在＋70℃、额定功率时长达2000小时的±0．005％负载寿命稳定比率。其他电阻技术需要几秒钟甚至几分钟才能实现稳态热稳定性,而300144Z及300145Z具有不足1s的热稳定性时间。     

超高精度Bulk Metal箔电阻

H和HZ系列Bulk Metal箔电阻具有0．001％的容差,5～1．84MΩ的阻值范围,在至少6年内（未受潮）的工厂寿命稳定率可达±0．0002％,上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2×10^-6／℃,Z-FOil HZ系列的最大TCR仅有±0．2×10^-6／℃。     

ESD级别高达2kV的车用精密薄膜电阻

PAT系列具有环绕式端接和0402至2512的8种外形尺寸,阻值范围为10Ω～3MΩ,并可提供非标数值。电阻的噪声小于-30dB,电压系数小于0．1×10^6／V,在＋70℃下经过1000／小时后的负载寿命稳定率小于0．05％。该系列电阻的额定功率为50mW～1W,额定电压为75～200V,工作温度范围为-55℃～＋150℃。     

1280／85G系列：Accutrim微调电位器

Vishay推出两款Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器1280G和1285G。这两款长3／4英寸的直线型器件在-55℃～＋125℃温度范围内、＋250℃参考温度条件下,分别具有±5ppm／℃（1285G）和±15ppm／℃（1280G）的端到端TCR,在滑动端上的TCR为±25ppm／℃,在＋250℃、满载额定功率条件下工作2000小时后的典型负载寿命稳定率为0．1％,典型可设定值〈0．05％。     

超高精度电流感应芯片电阻大幅提高稳定性

Vishay Intercechnology影推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。VCS1625Z电阻采用Vishay的“Z箔”技术,可大幅降低电阻元件对环境温度变化（TCR）和外加功率变化（PCR）的敏感度。与其他电阻技术相比,Z箔技术可使稳定性提高一个数量级,可确保设计人员在固定电阻应用时实现较高的精度。     

Vishay推出新型超高精度Z箔电阻VPR221Z

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度Z箔电阻——VPR221Z。此新型器件可提供±0．05ppm／°C（当温度介于0°C至＋60°C之间及±0．2ppm／°C（当温度范隔在（55°C至＋125°C）（参考温度为＋25°C）的工业级别绝对TCR、在＋25°C时最多8W的额定功率（符合MIL—PRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、±4ppm/W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的R”）及±0．01％的容差。     

CSM2512S：高精度Power Metal Strip电阻

Vishay推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻——CSM2512S,该电阻可在额定功率及＋70℃的条件下保持长达2000小时的±0．05％负载寿命稳定性,在-55℃至＋125℃及25℃参考温度条件下实现±15PPM／℃的绝对TCR,具有±0．1％的容差。     

精密高功率薄膜贴片电阻

PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻具有低至±25×10^-6／℃的绝对TCR，低至±0．1％的容差，在-55℃～＋125℃的宽温范围内具有1．0～2．5W的高功率等级。     

一种高精度低温漂带隙基准源设计

基于TSMC40nmCMOS工艺设计了一种高精度带隙基准电路。采用Spectre工具仿真,结果表明,带隙基准输出电压在温度为-40—125℃的范围内具有10×10^-6／℃的温度系数,在电源电压在1．5-5．5V变化时,基准输出电压随电源电压变化仅为0．42mV,变化率为0．23mv／V,采用共源共栅电流镜后,带隙基准在低频下的电源电压抑制比为-72dB。     

一种低电压的CMOS带隙基准源

设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了1．0V／0．18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿，达到降低温度率数的目的，并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明，在0℃-100℃范围内度可达到18ppm/℃，其电源抑制比可达到62dB。     

用于精确液位检测的PTC热敏电阻

这两款采用不锈钢封装的PTC元件，用于检测液位。B59050D1100B040型适合用于水位测量，可在＋10℃-＋65℃的温度范围内工作。B59050D11208040型则是为导热系数入th〉0．12W／mK的液体（如油或燃料等）设计的，该类型的允许温度范围介于-25℃-＋50℃。与机械接触式的液位测量相比，     

一种低电压带隙基准电压源的设计

分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性。给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采用TSMC0．13μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30-100℃范围内的温度系数为12×10^-6／℃,低频时的电源抑制比（PSRR）可达-81dB,可在1-1．8V范围内能正常工作。     

基于AT89C51单片机的温度测控系统设计

设计一款基于AT89C51单片机的温度测控系统,介绍该系统的工作原理和设计方法。该系统温度信号由数字温度传感器DS18B20采集,送AT89C51单片机进行处理,并通过数码管显示。控温部分使用4×4矩阵按键进行温度上限和下限的设定,当温度超过设定值范围后,单片机将发出控制信号启动升温装置或降温装置,使温度保持在一定的范围。实验测试证明,设计的样机系统测温控温精度均为0．1℃,测温控温的范围可达55～＋125℃,可应用于家用电器、汽车、冷库等领域。