TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源研究

采用不加偏压的磁控溅射法制备了带有和不带有金属Cr底层的TbCo非晶垂直磁化膜 ,并对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源进行了研究。理论分析结果表明 ,TbCo非晶垂直磁化膜的垂直磁各向异性主要来自于Tb离子的非球对称分布电荷与膜内晶场之间的库仑相互作用以及膜内的应力。扫描电镜的观测结果表明 ,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。柱状结构的存在导致了其磁各向异性的增强。     

膜厚对GdTbFeCo非晶薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了GdTbFeCo非晶薄膜,通过调节溅射时间制备出了不同厚度的薄膜,并研究了膜厚对薄膜磁光性能的影响。磁光特性测试仪的测试结果表明:溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,可以使GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力和克尔角达到较大值,分别高达4575.476Oe和0.393o。能满足磁光记录材料矫顽力大,磁光克尔角大的要求。     

钡铁氧体垂直磁化薄膜的磁光特性研究

本文研究了钡铁氧体垂直磁化膜在垂直磁记录及磁光记录方面应用的基本磁及磁光特性。利用射频磁控溅射方法，采用正份及非正份陶瓷靶制备了钡铁氧体薄膜，在纯氧气氛下经不同退火温度晶化，制成钡铁氧体垂直磁化膜。在优化的溅射参数及最佳的退火工艺下，得到了性能良好的钡铁氧体垂直磁化膜。研究了薄膜的磁光记录应用特性，并讨论了溅射工艺参数及退火工艺对薄膜性能的影响     

SmTbFeCo薄膜的制备及磁学性能研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明:溅射气压为0.5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下所溅射形成的SmTbFeCo薄膜磁性最优。     

CoFeZrRE非晶薄膜的各向异性研究

研究了磁性稀土元素 (RE)的种类和含量 (0≤x≤ 3) ,对非晶态 (Co73 Fe2 0 Zr7) 10 0 -x (RE) x 薄膜各向异性的影响 ,并着重探讨该类薄膜中出现的平面单轴各向异性 (Ku)和垂直各向异性 (Kp)的起源问题。薄膜是在外加磁场中溅射而成。当掺入的稀土元素为Nd ,Pr,Dy和Tb时 ,获得了显著的平面单轴各向异性Ku ,且Ku与稀土元素的单离子各向异性密切相关。当稀土元素为Gd和Sm时 ,则会出现双轴各向异性 (Ku和Kp) ,这主要是成膜温度高于临界温度时 ,同时形成了 2种局域性的异质的磁结构。     

2002～2003年磁记录材料新进展

本综述论文开始写于 1999年 ,其后每年撰写。本年的综述内容包含 :(1)磁记录头材料 ;(2 )巨磁电阻材料 ;(3)垂直磁记录材料 ;(4 )高密度磁存储材料 ;(5 )磁膜的磁光法研究     

2002～2003年磁记录材料新进展

本综述论文开始写于1999年,其后每年撰写.本年的综述内容包含:(1)磁记录头材料;(2)巨磁电阻材料;(3)垂直磁记录材料;(4)高密度磁存储材料;(5)磁膜的磁光法研究.     

射频溅射参数对CO-Cr膜取向的影响

用于垂直磁记录的 Co-Cr 膜是采用射频(RF)溅射的方法沉积的。几个最重要的溅射参数,即RF 溅射电压 VRF、氩气压力 Par 和基片保持器温度 Tsh,决定着磁化垂直取向的最佳值。其晶体结构在各种参数变化的范围内总是 hcp(六方密排—译注)。如果不使用最佳溅射参数,则会观察到 C 轴沿膜面取向的附加 h■p 化合物(an additional hcp compound)。这种取向会使平面剩磁 S■=(Mr/Ms)增加。我们对溅射参数引起的基片温度变化进行了测量,发现只有在 Ts 大约150℃时才能获得纯粹的 C 轴垂直取向。若因改变 Tsh 或溅射条件而导致改变 Ts 的取值,结果就会出现 C 轴沿膜面取向的附加 hcp 化合物。因此认为 Ts 对于 Co-Cr 膜的溅射是一个相当重要的参数。     

薄膜磁头用非晶软磁多层膜

研究了Co-Nb-Ti系非晶溅射薄膜的制作和交、直流磁特性,着重叙述了交叉磁场热处理对兆周下的起始导磁率μ′的影响,发现μ-T(热处理温度)曲线出现两个峰值,其曲线形状随成分而变化。进而研究了多层化对磁性的影响,制出了厚0.85μm的五层膜,其Bs为1.15T,10MHz下的μ′为9100。     

射频溅射CoCr双层膜及软磁盘的研究

本研究利用射频溅射法制备了垂直磁记录用正CoCr单层膜及NiFe/CoCr双层膜。研究了溅射压力Prf、基板温度Tsb对CoCr合金层(002)面△θ50角,矫顽力Hc⊥、Hc∥有效各向异性场HK*及正方比S⊥、S∥的影响。可以控制溅射条件使单层CoCr膜(002)面△θ50在5°以内,双层膜CoCr层△θ50在10°以内,而在较宽的范围内调整Hc⊥、Hc∥值。选择一定溅射条件制备了NiFe/CoCr双层膜软盘,并利用市售普通纵向记录的51/4英寸软盘机驱动装置及其环形磁头对该盘进行了读写实验,表明可以实现垂直方式的写入和读出。     

CoCr合金薄膜厚度对其结构及磁性的影响

本文用射频磁控溅射法制备了厚度20～600nm的CoCr合金薄膜。研究了薄膜厚度tm对薄膜结构和磁特性的影响。薄膜生长的初生阶段，存在着一个非晶、混乱取向的动生层。垂直磁各向异性变差的原因是薄膜还没有形成hcp结构。随CoCr薄膜厚度tm的增加，垂直磁特性变好，原因是薄膜的结晶完整性改善及晶粒取向度提高     

平面各向异性非晶铁磁薄膜磁谱模拟

使用Landau-Lifshitz理论分析模拟了平面各向异性非晶铁磁薄膜的磁谱。讨论了薄膜特征参数(饱和磁化强度Ms、阻尼系数α、各向异性常数Hk)在2-18GHz频率下对磁谱的影响。指明了设计宽频薄膜吸收材料的研究方向。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响

<正> 本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_(Ar),溅射电流 I_s,基板温度 T_s和基板负偏     

磁性薄膜生长的元胞自动机模拟

采用原子嵌入势,用元胞自动机方法模拟了铁(001)面上的薄膜生长。研究了溅射原子的沉积、迁移扩散和再蒸发3个主要的过程。发现溅射功率和基底温度对薄膜表面所形成岛核的形态影响很大,定量计算了当溅射功率和基底温度变化时岛的均匀度。给出了对于实验有指导意义的结论。     

SmCo5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

SmCo_5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

Co_(40)Fe_(40)B_(20)/SiO_2纳米多层膜磁各向异性研究

采用磁控溅射工艺制备Co40Fe40B20/S iO2纳米多层膜,研究影响纳米多层膜中磁各向异性的主要因素。基于实验结果及其分析讨论,探讨了CoFe基纳米多层膜中强单轴磁各向异性的起源问题,从而为更好地调控纳米多层膜的磁各向异性场和高频电磁性能提供理论参考和指导。     

非晶质铬和铬合金镀层的电沉积方法

非晶质金属由于其特异的物理性能,作为新材料,引起了很大的关注。非晶质镀膜不仅单纯作为保护膜应用,而且由于膜的结构所引起的物理性能,作为功能材料使用,被认为是指导今后发展的方向。非品质结构,主要是原子排列呈极度紊乱状态,以任意原因凝结为固体。简单归纳非晶质结构的整体特征有:(1)原子排列上没有长距离顺序性,但具有相当高的短距离顺序性。     

高矫顽力铁氧体膜的制作及其在硬盘介质上的应用

采用溅射法制作高密度硬盘所必须的钡铁氧体膜及其磁特性的改进。垂直磁记录介质用的钡铁氧体溅射膜采用Xe（氙）溅射法来制作，可以将矫顽力控制在160kA／m（2kOe）左右，并改善了饱和磁化值。另外，在Co系铁氧体膜中，通过Co离子与Zn的置换，可将其作为记录介质显得过高的矫顽力239～320kA／m（3～4kOe）控制在80～320kA／m（1～4kOe）之间。实际上，对Co－Zn铁氧体股制作的硬盘进行记录和重放的实检表明膜的结晶性及矫顽力的大小对记录特性有很大的影响     

采用RE-TM材料的光记录-磁读出方式

以TbFeCo为主的稀土族-过渡金属（RE-TM）合金,能够很容易地获得很大的垂直磁各向异性,适于高密度磁记录。对采用该材料的介质,应用与HDD（硬盘驱动器）同样的磁读出方式进行读出。记录方式采用基于光照射的高温消磁型热磁记录方式。该记录方式应用于磁光盘（MO）的写入。根据磁记录膜的磁特性,靠单一的磁性膜不易同时采用这些记录方式和读出方式。通过磁性膜多层化的方法解决了这个难点。磁读出方式与磁光读出方式相比,读出分辨率有很大提高,具有实现远超磁光盘记录密度的前景。