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ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献
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采用快速加热，超低压化学气相淀积方法，在－Ｇｅ衬底上外延生长－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３－１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器，其主要参数性能优于该波段的同类型Ｇｅ探测器。 相似文献
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从红外遥感信息定量化的发展要求出发,分析了测辐射热计、热电堆探测器和热释电探测器的响应特性,选择薄膜热电堆探测器TS-76作为传递标准探测器.搭建高精度光谱响应率定标系统,使用宽波段可调谐激光器和绝对低温辐射计对TS-76探测器的线性、空间均匀性以及重复性进行了标定.按照国际通用不确定度评估规范,对光谱响应率测量结果进行不确定度分析和评估,联合不确定度小于1.5%,并根据实验结果提出实现高精度中远红外辐射定标的技术方案,证明基于热电堆探测器的红外辐射定标技术可以有效缩短标准传递的链路,提高定标的精度. 相似文献
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用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ方法，在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接合成聚乙炔，用碘液相掺杂，制成ｐ－聚乙炔／ｎ－ＳｎＯ２异质结光伏特电池。用功率连续可调的氩离子激光器作光源，测量了电池的光伏特－电流关系曲线，并由此计算出电池的转换效率。笔者发现，对未掺杂的电池，光电转换效率很低，而掺杂可以大大提高电池的短路电流和转换效率。 相似文献
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我们在碘重掺杂聚乙炔(CH)_x基片上,用离子注入法掺钠,形成p~+-(CH)_x/n-(CH)_x结,并测得其电流-电压特性曲线。用P~+区孤子能带中的电子与n区导带底附近的电子,通过结的势垒产生隧道贯穿,形成隧道贯穿电流的模型,导出了结电流随偏置电压和温度变化的关系式,所得结果与实验相符。 相似文献
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高分子p—n异质结太阳电池的研究 总被引：5，自引：0，他引：5
用合成的十二烷基苯磺酸（ＤＢＳＡ）掺杂的聚苯胺（ＰＡｎ）导电材料和Ｂｅｉ染料组合，采用涂覆技术，研制成ＳｎＯ２／ＰＡｎ膜／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构和Ａｌ／ＰＡｎ导电基片／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构的ｐ－ｎ异质结太阳电池，测定了该电池的光电效应和伏安特性，在４．７２ｍＷ／ｃｍ＾２的氙灯照射下，开路电压Ｖｏｃ达４００ｍＶ短路电流Ｉｓｃ为１０μＡ，填充因子可达５７．４％，光电转换效率为０．０９ 相似文献
8.
用改进的ＨＷＥ装置，在ＢａＦ２衬底上制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｐｂ１－ｘ－ＳｎｘＴｅ反型异质结的工艺及测试结果。ＳＥＭ，ＸＲＤ检测表明它是单晶异质结，Ｉ－Ｕ曲线表明它具有良好的整流特性。此外用Ｃ－Ｕ截距法测定了它的内建电热差Ｕｄ。 相似文献
9.
用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ方法，在ｎ型ＳｎＯ_２基片上直接合成聚乙炔，用碘液相掺杂，制成ｐ－聚乙炔／ｎ－ＳｎＯ_２异质结光伏特电池。用功率连续可调的氩离子激光器作光源，测量了电池的光伏特－电流关系曲线，并由此计算出电池的转换效率。笔者发现，对未掺杂的电池，光电转换效率很低，而掺杂可以大大提高电池的短路电流和转换效率。 相似文献
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采用sol-gel工艺制备了Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结．研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响．研究表明：成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜沿C轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0．78V;在550～700℃范围内,Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大,经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2．54×10^-7A／cm^2的最低值． 相似文献