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采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。 相似文献
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采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25℃至90℃温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性。 相似文献
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用两步液相外延法研制出1.48μm大功率GaInAsP/InP激光器,尾纤输出功率大于30mW。用作掺铒光纤放大器的泵浦光源,双向泵浦小信号增益28dB,经较长时间的实际运行,表明器件性能稳定可靠,温度特性好。 相似文献
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采用两次液相外延技术制备了1.3μmInGaAsP/InP内含吸收光栅的增益耦合型分布反馈激光器,成功地利用湿法腐蚀光栅技术,控制吸收光栅的形状和占空比,实现了增益耦合型DFB激光器在室温下的脉冲激射,器件表现出了DFB模式的单模工作特性。 相似文献