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采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。 相似文献
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采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型１．３μｍ激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于１０ｍＡ,在２５℃至９０℃温度范围内特征温度大于９０Ｋ,并表现出较好的单纵模特性。 相似文献
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用两步液相外延法研制出１．４８μｍ大功率ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ激光器，尾纤输出功率大于３０ｍＷ。用作掺铒光纤放大器的泵浦光源，双向泵浦小信号增益２８ｄＢ，经较长时间的实际运行，表明器件性能稳定可靠，温度特性好。 相似文献
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采用两次液相外延技术制备了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ内含吸收光栅的增益耦合型分布反馈激光器，成功地利用湿法腐蚀光栅技术，控制吸收光栅的形状和占空比，实现了增益耦合型ＤＦＢ激光器在室温下的脉冲激射，器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性。 相似文献