共查询到17条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
InGaAs/InP光电探测器 总被引:2,自引:0,他引:2
InGaAs光电探测器被广泛地应用于光纤通讯领域,由于其特有的优点,国外已应用于空间遥感领域。本文简要介绍了InGaAs/InP的物理特性、PIN光电探测器结构和主要性能指标,讨论了研制InGaAs/InP空间遥感用光电探测器的意义。 相似文献
2.
文章简要地介绍了InGaAs/InP PIN PD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。 相似文献
3.
4.
5.
6.
设计并研制成功了实用型5GHz带宽InGaAs/InP PIN光电探测器,介绍了限制探测器响应速度的主要因素,微波封装的理论依据,以及所研制器件频率响应的测试结果。 相似文献
7.
8.
为了实现In Ga As探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层In Ga As腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型In Ga As面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了In P衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5~1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16%,850 nm处量子效率约为54%,1 550 nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据. 相似文献
9.
本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm波长下,响应度为0.94A/W)。 相似文献
10.
11.
12.
对MOCVD生长的GaAs(40)/AlxGa(1-x)As(300)多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收.用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm-1(10.1μm)带宽为237cm-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致. 相似文献
13.
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。 相似文献
14.
15.
对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献
16.
17.
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件,而后分别给出了InP/InP的生长特性,InGaAs/InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。 相似文献