相变光透射特性具有窗口结构的VO2薄膜

利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600～850nm范围出现显著透光度窗口状态化现象。利用XRD、XPS对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析,结果显示利用无机溶胶-凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现,衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论,得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于V^3 和衬底扩散离子Na^ 的共同作用。     

磁控溅射法在玻璃基片制备VO2薄膜的结构与性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加。     

射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性

采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒（VO2）薄膜,并制作了金属钨／VO2／金属钨三明治结构,通过改变金属钨／VO2／金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积,研究了VO2薄膜的电致相变特性．采用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和,I-V特性进行了测试．实验结果表明,所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级;在电压的激励下,VO2薄膜与金属钨的接触面积为12μm×12um时,电流发生跳变的阁值电压为9．4V,随着接触面积的减小,闽值电压也逐渐降低．     

VO2薄膜的主要制备工艺参数研究

通过正交试验设计对制备ＶＯ２薄膜过程中的部分影响因素（膜厚，最终热处理温度和热处理保温时间）进行了分析研究。ＶＯ２薄膜由无机溶胶－凝胶法制备Ｖ２Ｏ５凝胶膜经真空热处理而成。试验结果表明，ＶＯ２薄膜的最终电学性能明显受到膜厚、热处理温度和保温时间的影响。其中以热处理温度的影响最为显著。当真空度为３Ｐａ、升温速率为２℃／ｍｉｎ时，在试验参数范围内（真空热处理温度３４０￣５００℃，保温时间４０￣２４０ｍ     

VO2薄膜及电学开关特性

用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过AFM,XRD和XPS对薄膜的结构和特性进行分析。     

二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析

VO2是一种固态热致变色材料,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态,而且相变可逆.由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化,这使得它成为一种有前景的电/光转换、光存储、激光保护和智能窗材料.本文综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展.     

VO2薄膜的结构、光学特性及其应用研究进展

VO2具有4种多晶型结构.其中,VO2(M)向VO2(R)的转变是可逆的,并伴随着光、电、磁等物理性能的急剧变化.从晶体学角度描述了具有可逆相变特性的VO2的晶体结构,介绍了VO2薄膜在可见光-红外光波段的高低温光谱研究情况及激光辐照下VO2薄膜的突变特性.在应用原理分析的基础上综述了VO2薄膜光学特性方面的最新应用情况.     

原子层沉积制备VO_2薄膜及特性研究

原子层沉积(ALD)技术在制备薄膜时因具有厚度精确可控、三维均匀性好以及可以实现大面积成膜和低的成膜温度等优点而使其在各个领域受到广泛关注。本文采用ALD技术,以VO(acac)2和O2分别为钒源和氧源,使用不同的沉积温度(420~480℃)和退火条件(自然冷却、4和8h程序降温)在玻璃基底表面制备VO2薄膜。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射以及扫描电镜对薄膜的价态、结晶状况及表面微观形貌进行表征;通过四探针测试仪对所制备薄膜的半导体-金属相变特性进行了研究。实验结果表明:VO2薄膜相变特性与其微观结构和晶体取向有着直接关系。选择ALD脉冲时序为[10s-20s-20s-20s],循环周期数为300,在450℃沉积且采取自然冷却所制备的VO2薄膜结晶状态良好,相变前后薄膜方块电阻突变量大,具有良好的热致相变特性。因此,该ALD技术可以制备相变特性较好的VO2薄膜。     

溶胶凝胶法制备VO2薄膜的组织与性能研究

采用V2O5熔体淬水制成胶体,并浸涂于不同的基片上,分别用于电阻检测和组织结构分析。经过真空加热分解V2O5凝胶薄膜,得到了具有相变特性的VO2薄膜。在真空热处理温度为500℃,时间为34h,真空气压为2Pa,得到的VO2相变薄膜电阻突变量级达3.4,相变温度在67℃左右。另外,TEM组织观察表明,VO2薄膜为多晶组织,VO2薄膜晶粒尺寸对电阻突变量级影响较大。晶粒尺寸增加,电阻突变量级增大。VO2晶界对相变有阻碍作用。     

二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析

VO2是一种固态热致变色材料,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态,而且相变可逆。由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化,这使得它成为一种有前景的电／光转换、光存储、激光保护和智能窗材料。本综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展。     

Al掺杂ZnO薄膜的制备及其电学性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺杂铝的氧化锌薄膜.研究了不同的铝掺杂浓度、薄膜厚度以及退火温度对电阻率的影响,结果表明掺杂铝摩尔分数为2%、退火温度在550℃时电阻率最低,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小.通过XRD和SEM对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明样品表面相对平整、致密,AZO薄膜保持着ZnO六角纤锌矿结构,说明了Al原子对Zn原子的有效替位.     

磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性

采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。     

氧化镉薄膜的制备与性质研究

本文以醋酸镉、丙醇、丙三醇、三乙胺组成的先驱体溶液作为起始物,采用溶胶-凝胶法,利用旋转涂覆技术,于玻璃基体上制备了高透过率、低电阻的氧化镉薄膜。研究了薄膜的光学性质、导电性能、表面形貌。薄膜的电阻由双探针法测定,并在热处理温度为270℃时得到了一个最低电阻,其值为58．8Ω;薄膜的透过性能由紫外-可见分光光度计测定,在可见光范围内透过率高达90％以上;薄膜的表面形貌由扫描电子显微镜(SEM)测定。研究结果表明,热处理温度对薄膜的导电和可见光透过性能有很大影响。     

氧化铪薄膜的制备及其性能研究

采用电子束反应蒸发金属铪、APS离子辅助反应蒸发氧化铪、RF离子辅助反应蒸发氧化铪三种方式制备了单层HfO2薄膜,对样品的光学性能、结构特性以及抗激光损伤特性进行研究,结果表明,离子辅助使氧化铪薄膜更为致密;电子束蒸发氧化铪薄膜为非晶态,离子辅助制备氧化铪薄膜为晶态。选择合适的离子辅助工艺,有利于降低薄膜的缺陷吸收,提高氧化铪薄膜的抗损伤性能。     

Preparation, Structure, and Optical Properties of Thin ZnAs2 Films

X-ray amorphous ZnAs₂ films were produced on various transparent substrates by thermal evaporation. The composition of the films was found to depend on the source temperature. Stoichiometric films were deposited at source temperatures of 765 ± 20 K. The evaporation and deposition rates calculated in a layerwise vaporization model agree with those found in experiment. The intrinsic edge in the IR transmission spectra of the films is broader and is shifted to longer wavelengths in comparison with bulk ZnAs₂ crystals. The high 300-K transmittance (40%) of the films in the range 1.4–16 m is of practical interest in devising sharp-cutoff IR filters.     

ZAO透明导电薄膜的制备及性质

ZAO（ZnO：Al）透明导电薄膜是一种具有高的载离子浓度和宽禁带的半导体氧化物，电学和光学性能优异。极具应用前景。本文介绍了ZAO薄膜的制备现状、特性、磁控溅射参数对其电学和光学性质的影响以及今后研究的方向。     

WO3薄膜制备及其电致变色性能研究

采用直流反应磁控溅射方法在室温下制备WO3薄膜。研究溅射功率对WO3薄膜结构及电致变色性能的影响规律,考察退火后WO3薄膜的结构演变及电致变色性能变化。结果表明溅射功率为270W时薄膜表现出较好的电致变色性能,其调制幅度达78.5%,着色时间为9s,褪色时间为3.2s。将该功率下制备的WO3薄膜进行退火处理,其结构由非晶态转变为晶态,但调制幅度、响应时间特性都发生一定程度的退化。非晶态WO3薄膜相比晶态结构具有更快的响应时间和更宽的调制幅度,但晶态薄膜具有更好的循环稳定性。     

Morphological,Optical and DC Conduction Properties of a-GaSe Semiconductor Nanoparticle Thin Films

Amorphous gallium selenide （a-GaSe） semiconductor nanoparticle thin films were deposited onto well cleaned glass substrates by inert gas condensation （IGC） technique under a vacuum of 400 x 10-6 Pa （3 x 10-6 Torr）. The films were characterized by different structural and optical techniques, including X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy （FESEM）, field emission transmission electron microscopy （FETEM）, UV-visible absorption spectroscopy and I-V measurements. The particle size and size distribution were determined by TEM images which show the presence of spherical particles in the range of 5-50 nm in size. SEM images indicate that the a-GaSe film grown on glass substrate is almost smooth and dense. The optical properties of a-GaSe nanoparticle thin films were determined by optical absorption spectra. The optical bandgap of the film was estimated to be 2.19 eV and the transitions are allowed direct type. The electrical conductivity of the deposited films has been studied as a function of temperature. In the higher temperature range the dominance of thermally activated band conduction was observed; whereas in the low temperature ranqe the hoppinQ conduction in the band tails of localized states was found to be dominated.     

AZO薄膜制备工艺及其性能研究

综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向.     

彩色多孔氧化铝薄膜的制备和光学特性

以草酸为电解液,通过调节电解槽的倾角,使阴极和阳极成一定夹角,采用一次阳极氧化工艺在同一片铝箔上制备具有不同结构的氧化铝薄膜,并对薄膜的微观结构和光学特性进行研究。结果表明:在同一片铝箔上形成了孔洞不同的两个区域。控制氧化铝薄膜的厚度,在可见光范围内,氧化铝薄膜显示出两种不同的结构色,且不同结构色所占区域的面积比可通过调节电解槽的倾角来调控。改变氧化时间,可以改变氧化铝薄膜的厚度,进而调控不同区域薄膜结构色的变化。偏振测试结果显示氧化铝薄膜的反射光是线偏振光。