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鉴于含锰废水有毒有害,提出阴离子交换膜代替隔膜处理含锰废水。首先采用单因素法探究最佳工艺参数,在最佳条件下,电流效率为71.36%,锰回收率为85.6%,酸回收率为77.23%,能耗为7 784.78 kWh/t;电解锰的宏观形态光滑均匀,具有金属光泽。用SEM和XRD分析手段分析不同亚硒酸浓度对电解锰的影响,结果表明,当亚硒酸为0.07 g/L时,电解锰微观结构表面均匀、致密性好、光滑、无枝晶且空洞最小,晶体形态为α-Mn。 相似文献
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无硒高纯电解金属锰试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究以低品位锰矿为原料,进行了无硒高纯电解金属锰试验研究,开发出了具有成本低、电流效率高、可替代传统SeO2添加剂的新型无硒电解锰添加剂;利用该添加剂,获得了含Mn≥99.95%的高纯电解锰;现场生产试验表明,该工艺技术对我国电解锰厂具有非常强的实用性。 相似文献
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在离子膜电解槽中阴、阳极室温度为90℃左右,阳极室有氯气和食盐溶液,阴极室有30~35%(wt)浓度的烧碱溶液,离子膜电解槽一般运行电流密度为30~40A/dm~2。如此苛刻的工况条件,在电解槽设计时,必须充分考虑电解槽的材料使用及防腐结构。离子膜电解 相似文献
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为了减少氯化物体系电解金属锰中氯气的溢出量,通过电化学测试及电解实验探究了阳极电流密度、锰离子以及氯化铵浓度对氯气溢出量的影响。阳极极化曲线测试表明,在氯化锰、氯化铵溶液中,阳极过程按电流密度分成两个区域:低电流区域,以Mn2+和Cl-的氧化为主要反应;高电流区域,以氧的析出反应为主要过程。电解实验证实上述结果,电流密度越高,氯气的溢出量越少;溶液中氯离子浓度越高,氯气的产生量也越多;纯氯化物体系电解金属锰在接近工业生产条件时,阳极过程难以完全抑制氯气的溢出,采用混合电解质为1 mol/L NH4Cl+0. 5 mol/L (NH4)2SO4时,氯气溢出量低于检出限,无硒电解条件下,Mn沉积效率可达到72. 81%。 相似文献
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在电解金属锰的生产过程中,有95%以上的电耗集中在电解槽上,所以电解槽的设计、安装和相应的配置是否科学合理就直接决定能耗的高低,针对电解槽如何节能,提出了减小电解槽的电阻、设计安装时防止电解槽漏电、在生产管理上节能等观念。 相似文献
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采用电沉积方法制备了铜钴巨磁电阻功能膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层的组成的影响.用扫描电镜、金相显微镜、EDX能谱仪和XRD分析了镀层组成、表面形貌和结构.膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度有着直接的联系.镀液中钴离子浓度增大时,镀层中的钴含量相应的提高,镀层结晶更加粗大.镀层中铜离子浓度增大时,镀层中的铜含量提高,镀层结晶变得致密.配合剂柠檬酸钠浓度增加对镀层中钴的含量起到一定的抑止作用,而对铜的沉积则有促进作用,同时颗粒膜层结晶更加致密.低pH值下有利于铜的沉积,但此时镀层的晶粒较为粗大.控制电流密度可以改变镀层的组成,较高的电流密度有利于钴的沉积. 相似文献
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超声电沉积制备Cu-In合金膜 总被引:1,自引:1,他引:1
采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜。分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率;超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu,In以及Cu-In合金薄膜;两步法中超声电沉积得到的双层膜为CuIn和Cu或In相,经过热处理后转变为Cu11In9和Cu或In相;一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相,根据Cu/In比率的不同,还会含有少量的Cu11In9或In相。 相似文献
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采用电沉积方法制备了铜钴巨磁电阻功能膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层的组成的影响.用扫描电镜、金相显微镜、EDX能谱仪和XRD分析了镀层组成、表面形貌和结构.膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度有着直接的联系.镀液中钴离子浓度增大时,镀层中的钴含量相应的提高,镀层结晶更加粗大.镀层中铜离子浓度增大时,镀层中的铜含量提高,镀层结晶变得致密.配合剂柠檬酸钠浓度增加对镀层中钴的含量起到一定的抑止作用,而对铜的沉积则有促进作用,同时颗粒膜层结晶更加致密.低pH值下有利于铜的沉积,但此时镀层的晶粒较为粗大.控制电流密度可以改变镀层的组成,较高的电流密度有利于钴的沉积. 相似文献
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以一氯丁烷、N-甲基咪唑和KPF6为原料合成了1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐离子液体([BMIM]PF6),用红外光谱(IR)法对合成的[BMIM]PF6进行了结构分析。用循环伏安法分别测试了[BMIM]PF6的电化学窗口和在[BMIM]PF6中加入乙二醇(EG)和CeCl3形成的体系([BMIM]PF6-EG-CeCl3)中Ce(III)的电化学行为。结果表明,在80℃时[BMIM]PF6的电化学窗口为4.0 V,[BMIM]PF6-EG-CeCl3体系中Ce(III)的电沉积是受扩散控制的不可逆电极过程,此过程传递系数α为0.05,扩散系数D0为2.45×10-6cm2·s-1。通过扫描电镜(SEM)观察了Ce在Cu片表面上电沉积层的形貌,发现随着沉积电势的增加,金属铈镀层的颗粒呈从小到大的变化规律。用X射线能量色散谱(EDS)分析了该电沉积层成分发现电沉积镀层为纯金属铈及其氧化物。 相似文献
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电沉积制备Gd-Co合金膜的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
在353K的乙酰胺-尿素-N aB r熔体中,P t、Cu电极上,Co(Ⅱ)+2e→Co(0)是一步完全不可逆反应,测得0.060m o l.L-1CoC l2-乙酰胺-尿素-N aB r中,Co(Ⅱ)在P t上,传递系数α=0.28,扩散系数D0=4.68×10-5cm2.-s 1,Cu上α=0.28,D0=4.06×1-0 7cm2.-s 1。G d(Ⅲ)不能单独还原为G d(0),但可以被Co(Ⅱ)诱导共沉积。由恒电位电解法得到非晶态的G d-Co合金,G d的含量随阴极电位的负移,G d(Ⅲ)/N i(Ⅱ)摩尔比增大以及电解时间延长而增大。 相似文献