第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

一维硅纳米材料的研究进展

作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点.从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,并提出今后的研究方向.     

半导体材料的发展及现状

1 引言 半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外CCD器件用硅单晶等。但在超高速集成电路和光电子领域,化合物半导体材料显示出了它不可替代的优势。 GaAs和InP基材料在10年前就应用到器件中了,成为化合物半导体基器件的主要支柱材料。随着微电子技术向高密度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的同     

光电子领域中的纳米半导体材料

近年来，纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意，由于纳米半导体材料的量子限域效应，尺寸效应等影响使得它们在光电转移，电子器件等方面有着优异的性能，必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用，详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史，研究情况以及存在的问题等。     

半导体材料发展的历史沿革与目前概况

据媒体介绍，在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种器件，在人们生活中几乎无所不及，不断改变着人们的生活方式、思维方式，提高了人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们广泛用于信息的传输、存储、控制、探测，以及激光与光学显示等。1990年前，作为第一代半导体材料，以硅（包括锗）材料为主的元素半导体占统治地位。     

第3代半导体产业发展概况

<正>第3代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大     

日本用GaP进行单一光子发生获得成功

日本物质材料研究机构半导体材料中心和日本筑波大学利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaP在结晶时形成的称为等电子陷阱的能级上的电子-空穴对，从各个等电子陷阱发生能量非常一致的单一光子。这在世界尚属首次。     

低温霍尔效应自动测试装置通过鉴定

霍尔效应是著名物理效应之一。通过该效应中霍尔系数等测定，将提供半导体材料及红外器件材料性能研究的手段。由霍尔系数测定可确定材科的载流子浓度、迁移率、杂质电离能以及禁带宽度，尤其低温液氦下霍尔系数的测定，可反映材料性能的好坏，有利于红外器件的选材。上海技术物理研究所结合计算机技术，更新了陈旧的手动测试设备，     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

浅析几种半导体材料的应用与发展

20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命,随着科技的发展,半导体材料越来越多,就半导体材料作了简单介绍.     

日本半导体硅材料三十年的发展

日本的电子工业,自1955年以来,增长速度超过其他产业,继美国之后,成为电子工业国。电子工业国的显著特征是半导体化。半导体硅是半导体产业的主要支柱。估计,半导体硅这一主导地位,到本世纪末将不会改变。日本半导体硅材料的发展速度是十分惊人的。为此,当日本半导体硅材料发展至今,回顾其三十年走过的历程,了解硅业界的发展状况,展望未来,可能对我国半导体硅材料的发展有参考价值。     

半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而同顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述.     

半导体工业对特种气体的要求

特种气体在国防、化工、电子、冶金、能源等现代科研部门和国民经济的一些领域中有着广泛的用途。尤其是对于电子部门中的半导体领域，这类气体更显得重要。从半导体材料、半导体器件、集成电路的制造到半导体材料、器件的理论物理的研究都离不开各类特种气体。也就是说，如果没有合格的高纯、超纯气体和各种组成的混合气体就制造不出成品率高的集成电路，也就没有电子计算机。     

肩负重任实干为先—记北京圣科佳电子有限责任公司

在砷化镓分子束外延材料国际上规模生产的形势下,我国的砷化镓外延技术仍停留在实验室阶段。这已成为我国砷化镓基化合物半导体元器件发展的瓶颈,直接影响到我国国防现代化建设和信息化建设。化合物半导体外延材料的特殊性决定了它与器件、电路的关系是相辅相成的,长期靠从国外进口这种军民两用的外延材料会始终处于一种受制于人的被动局面。因此,在国内实现化合物半导体外延材料的产业化势在必行。而近日成立的北京圣科佳电子有限责任公司正是肩负了这样的历史使命。     

苏州纳米所取得高纯度半导体型碳纳米管分离与应用研究新进展

半导体型单壁碳纳米管（s-SWNTs）具有独特的电学、力学和光学特性,被认为是最有希望取代硅延续摩尔定律的半导体材料之一。但是,目前通过常规制备手段所制备的SWNTs均是不同导电属性的SWNTs混合物,极大地阻碍了其优异电子性能的发挥及在诸多高端科技领域里的潜在应用。因此,如何有效地获得高纯度、高质量的s-SWNTs是实现其在电子及光电器件等领域应用的前提。     

国家重点发展17类新材料

中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露，新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。其次是半导体固体照明工程材料与器件。第三是平板显示材料与器件。此外，“十一五”我国还将发展光电子材料、全固态激光材料、稀土功能材料、功能陶瓷材料、超级钢材材料与技术、航空航天用关键材料、核能工程材料、高速铁路以及汽车用材料、新型能源材料、生物医用材料、生态环境材料、海水淡化材料与技术、纳米材料与技术以及超导材料。     

半导体光电信息功能材料的研究进展

<正>历史发展表明,半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础。20世纪40年代末50年代初,晶体管的发明、硅单晶材料和硅集成电路(ICs)的研制成功、导致了电子工业大革命。20世纪60～70年代,光导纤维材料和以砷化镓(GaAs)     

半导体光电信息功能材料的研究进展

历史发展表明,半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础。20世纪40年代末50年代初,晶体管的发明、硅单晶材料和硅集成电路（ICs）的研制成功,导致了电子工业大革命。20世纪60-70年代,光导纤维材料和以砷化镓（GaAs）为基的半导体激光器的发明,超晶格、量子阱微结构材料和高速器件的研制成功,使人类进入到光纤通信、移动通信和高速、宽带信息网络的时代。纳米科学技术的发展和应用将使人们能从原子、     

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

高电子迁移催化材料制备方法研究进展

通过提升材料的电子迁移率，可以提高材料的导电率，加速催化过程中氧化还原反应的进程，极大地提高催化活性。因此，高电子迁移催化材料的制备已经成为当前研究的热点。尽管诸多研究都认识到了催化材料电子迁移率提升对于催化性能的重要性，但是目前研究的系统性仍然不足，尤其是对固体表面催化领域电子迁移率如何影响材料催化性能的内在机理缺乏统一认识。亟待揭示电子迁移率与催化材料之间的构效关系，实现催化材料的可控制备。综述系统总结了高电子迁移催化材料的不同制备方法、化学物理机理、特性分析、面临的挑战，并对未来的发展方向进行了展望。重点阐述了材料的元素特性、导电特性和空间特性对高电子迁移催化材料制备的影响和限制。