共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
静电放电模拟器的校准 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍了用于GB/T 17626.2-1998中静电放电试验的静电放电模拟器工作原理和使用方法,对校准静电放电模拟器测量系统作了详细说明,并给出了用校准系统测量静电放电模拟器的测量数据。 相似文献
5.
本文介绍了人体模型、机器模型和带电器件模型等三种静电放电模型及其模拟测试方法,重点对这三种静电放电模型的失效特征进行了对比分析.对这些失效特征的深入了解,有助于工程师在失效分析时能够判断出静电放电的类型,从而更有效地帮助调查静电放电的根源. 相似文献
6.
8.
随着集成度不断提高,集成电路的内绝缘层愈来愈薄,其互连线与间距愈来愈小,相互击穿电压愈来愈低,静电防护的重要性更加突出.简述了电子产品集成过程中静电防护的实践,在工程中解决了静电接地、静电防护等技术问题. 相似文献
9.
10.
11.
静电放电对电子设备的干扰 总被引:2,自引:0,他引:2
对在电子设备上施加静电放电(ESD)干扰时,产生的空间电磁场进行了测试和比较,根据测试结果和解决实际ESD问题的经验,分析ESD干扰的途径和机理,提出相应的ESD防护设计措施 相似文献
12.
NEBS认证规定了设备正常运行、安装和维修等状态下的静电放电抗扰度测试.介绍了待认证设备在三种状态下的静电放电电压、测试点的选取及测试方法.如果待认证设备是静电敏感设备,NEBS认证还有一些特殊的附加要求.通过对NEBS认证与CE认证差别的比较分析,为企业的产品认证提供帮助. 相似文献
13.
NEBS认证规定了设备正常运行、安装和维修等状态下的静电放电抗扰度测试。介绍了待认证设备在三种状态下的静电放电电压、测试点的选取及测试方法。如果待认证设备是静电敏感设备,NEBS认证还有一些特殊的附加要求。通过对NEBS认证与CE认证差别的比较分析,为企业的产品认证提供帮助。 相似文献
14.
15.
CMOS集成电路静电泄漏实验分析 总被引:1,自引:0,他引:1
CMOS集成电路的静电损伤一直是影响其可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1μm以下时,在减小芯片I/O PAD 尺寸、提高工作频率的同时,保证较高的抗静电能力就显得尤为重要。本文首先对两种1μm MOS集成电路进行静电击穿实验,并对实验结果分析,并介绍了提高CMOS集成电路抗静电能力的各种措施。 相似文献
16.
文中根据静电放电模拟器的特点和GB/T17626.2-1998《静电放电抗扰度试验》对静电放电模拟器的技术要求,提出了对于静电放电模拟器校准方法的不确定度分析。 相似文献
17.
针对碳纤维复合材料(介质)飞机上的静电放电(ESD)展开研究,首先给出复合材料飞机上静电放电的产生原理,并根据飞机上放电电流脉冲波形,建立数值模型,模拟静电荷在复合材料飞机上的积累以及静电荷在飞机上静电放电产生的辐射电场,最后结合有限元方法,计算出复合材料飞机的电容并估算静电放电的能量。与传统的金属飞机不同,这里强调对于静电放电产生的辐射电场,以及静电放电对机载天线的影响均在复合材料飞机环境下计算。 相似文献
18.
论文先引用EMC标准IEC61000-4—2中静电放电测试标准中的测试要求,测试原理,测试方法,再介绍常见的产品标准中对电子产品的静电放电要求。主要讲的是静电放电对电子产品的影响,以及一些基本的静电放电抗扰度的预防措施。 相似文献
19.
电液压脉冲法降解酚和苯乙酮的动力学研究 总被引:2,自引:1,他引:2
对电液压脉冲降解有机物的机理及动力学特征进行了研究。结果表明,电液压脉冲降解有机物都是通过激活分子、产生自由基的链反应进行的;提出了用等离子脉冲放电法处理含酚、硝基苯、苯乙酮废水时的动力学方程;并发现处理含酚废水时活性炭的加入、臭氧存在下苯乙酮降解过程的动力学特征未发生本质改变。 相似文献
20.
Zongming Su Mengdi Han Xiaoliang Cheng Haotian Chen Xuexian Chen Haixia Zhang 《Advanced functional materials》2016,26(30):5524-5533
This paper presents a novel asymmetrical triboelectric nanogenerator (A‐TENG) to produce, detect, and analyze contact electrification and electrostatic discharge (ESD) in the atmosphere. Thanks to the asymmetrical structures, the direct and continuous ESD phenomenon without any external electronic circuits is, for the first time, discovered by our experiments in A‐TENG. Different from traditional contact‐mode TENG, asymmetrical contact pairs introduce an unstable state, which causes a continuous surface charge increase and eventually the air breakdown. The ESD phenomena have been simultaneously detected and confirmed by a low‐dark‐current photoelectric detector. Four different steps have been summarized to describe irregular ESD transition processes before their stable state. At the same time, the frequency and efficiency of ESD have been generally regulated and controlled by systematically investigating several key influence factors (contact materials, contact pressure, tilted angle, surface morphology, etc.). This asymmetrical structure has proved TENG as powerful and real‐time analytical equipment to explore fundamentals of contact electrification and ESD. Meanwhile, three necessary premises for ESD in TENG can be selectively avoided for the improvement of the stability of TENG. 相似文献