碲镉汞光伏器件的电极界面参数

利用热场发射理论和数值计算方法,分析了碲镉汞光伏器件的电流-电压特性,提取了金属-半导体(MS)界面参数,并对这些参数进行了讨论.结果表明,Sn/Au金属膜-碲镉汞薄膜PN器件的电极界面的势垒高度镇定在"Bardeen"限,界面密度比介质膜-碲镉汞的大一个量级.     

MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响

根据金属－碲镉汞接触的基本电流－电压关系,深入讨论了金属－半导体（MS）接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I－V特性的影响,并对实际器件的测量数据进行了分析比较。     

离子束诱导转型成结的碲镉汞光伏器件

离子束诱导转型成结技术是一种可以获得高质量p-n结的新型成结方法,它克服了传统碲镉汞(MCT)离子注入成结工艺中钝化层有损伤的弊病,且工艺相对简单,有希望成为碲镉汞红外焦平面器件的新一代成结技术。本文介绍了以环孔工艺和氢化技术为代表的常规离子束刻蚀(Ion Beam Milling)及以H2／CH4为代表的反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching)两大类离子束诱导转型(Plasma induced type conversion)成结技术的基本原理、特点及其工艺过程。并以反应离子束刻蚀(RIE)为例,列举了现有报道的典型器件性能。同时还把离子束诱导与离子注入工艺在各方面作了比较。     

碲镉汞光伏探测器的电流机构及器件建模

本文主要概述了碲镉汞光伏探测器及其电流机构：扩散电流、产生复合电流、直接隧道电流、间接隧道电流、表面漏电流以及光电流等。然后根据碲镉汞的电流机构讲述了建立光电集成回路计算机辅助分析的器件模型的步骤。     

碲镉汞器件的低温金丝球焊接

本文叙述在低温<80℃条件下,实现一次性焊接的同时,研究了焊点的外形,焊接的牢固性等问题,并就导电性能与热压焊进行了比较。     

碲镉汞光伏探测器机理研究

碲镉汞可以制成光伏型器件和光导型器件.光导器件结构较简单,易于制造,但功耗大,响应速度较慢,为第一代红外探测器件.目前,我所实用的长波光子探测器就是光导型的.光伏器件较之光导器件功耗小,响应快.光伏型碲镉汞器件分为n-on-p型和p-on-n型两种.对长波波段,两者相比,后者比前者有较大的RoA,但由于注入损伤为n型,而且浅结时光电流的输出主要靠衬底,p型时少子扩散长度大,工艺也较简单,因而光伏器件以n-on-p型为多,已经制成(1～)3μm、(3～5)μm的p-n结光电二极管.除非特别指明,以下我们提到的光伏器件就是指n-on-p型.工艺上,在晶体生长中掺锑制造弱p型衬底,锑为五族元素,在晶格中占据碲空位,并提供一个空穴.在p型衬底上进行硼离子注入生成n-on-p结.通过严格控制工艺过程,已经得到性能较好的光伏器件.掺Sb生长的p型衬底与空穴类型的p型衬底相比,其优点在于:Sb分凝系数小,利用杂质分凝效应可获得浓度均匀的材料;避免高温处理;减少与汞空位和其它缺陷相关的深能级,提高少子寿命.     

氢化对碲镉汞光伏探测器暗电流机制的影响

对碲镉汞光伏探测器进行了氢化处理,研究了氢化对器件暗电流机制的影响。通过将样品置于反应离子刻蚀过程中产生的H2/Ar等离子体氛围中来实现对样品的氢化处理,并且针对氢化处理研究设计了专门的光刻版。实验结果发现氢化后器件的电流－电压特性随着氢化面积的改变得到了明显的改善。通过对实验结果进行拟合处理,认为器件反向偏压条件下的暗电流在氢化后降低,主要是由于氢化后器件的间接隧道电流得到降低,同时器件耗尽区的少子寿命得到了明显的提高。通过提取器件电阻－电压曲线（R－V）正向偏压部分的理想因子,发现器件的正向电流在氢化前主要为产生－复合电流限制,氢化处理后则逐渐变为扩散电流限制,说明氢化导致了器件产生－复合电流的降低。     

子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究

针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性.发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致.如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势.文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果.     

碲镉汞光导器件的交叠结构与性能

光数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应，就结构的尺寸问题，进行了理论分析和实验，实验结果与理论符合，器件呼应率有较大的提高。     

128元长波碲镉汞焦平面器件

本文概要叙述了１２８元长波碲镉汞焦平面器件的原理及研制工艺；ＣＭＯＳ互连后测试结果：峰值Ｄλ＾＊＝３．４×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒｖλ＝１．２×１０＾８Ｖ／Ｗ，利用１２８元长波碲镉汞焦平面器件研制成功的热像仪成像情况。     

用可编程逻辑器件设计PC串行通信接口

本文了使用ispLSI(in-system programmable large scale integration)器件设计的PC串行通信接口,给出了电路设计思想及具体电路结构。该电路可用于双机或一对多机通信之中。     

基于双极载流子导电的新型恒流器件

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。     

HgCdTe光伏器件反常I－V特性分析

对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。     

可扩展固件接口的网络设备驱动

提出了基于EFI的网络设备驱动设计方法.通过研究EFI固有的驱动模型,分析通用网络驱动接口和简单网络协议,为网络设备驱动的实现提供了基本的接口和服务.分析了EFI网络设备的结构和组成,根据其特点,提出了3层结构模型的EFI网络设备驱动设计方案,阐述了如何以EFI驱动形式实现EFI网络设备驱动.通过设计并实现网络设备的基本功能,提出了EFI网络设备驱动的基本流程.     

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上）

介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。     

可编程并行接口电路设计与分析

采用自顶向下的设计方法,用原理图和硬件描述语言这2种输入对并行通信接口芯片进行设计分析并行通信接口的基本功能实现的关键点以及解决的方法．在MAXPLUSII编译环境下综合．得到比较理想的仿真结果．     

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系     

InSb阳极氧化膜界面特性研究

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考.