甲基氯硅烷的生产技术、市场调研报告

介绍了国内甲基氯硅烷产能、市场、消费构成情况，就我国甲基氯硅烷生产水平与世界先进水平间的差距进行了详细的对比，包括生产规模、合成技术、配套装置（废硅烷处理、甲渣处理、氯化氢回收、甲醇回收）、装备水平和综合技术经济指标。     

中国铬盐近五十年发展概况

中国铬盐的生产始于1958年,经过50 a的努力取得了较大发展。尤其是进入90年代以后,中国铬盐在工艺技术水平、生产装备水平、生产规模、产品质量、产品品种等方面都取得了可喜成绩。介绍了中国铬盐50 a的发展历程,包括生产规模、技术进步、工业卫生和环境保护。在技术进步方面重点介绍了商品量最大的4个产品的技术进步情况,包括红矾钠、碱式硫酸铬、氧化铬、铬酸酐。指出了中国铬盐目前存在的问题和今后的发展方向。     

对我国水玻璃及硅系精细化工产品发展规划的建议

本文根据对国内外水玻璃现有生产的规模、品种、生产技术及单元设备先进程度、能耗水平、应用及市场预测分析并对各种生产工艺路线进行经济评价的基础上,提出我国规划中水玻璃“样板厂”的模型概念。诸如:按照国内市场需求和燃料消耗水平所确定的合理生产规模;生产产品的品种和规格;所应达到的技术经济指标和能耗水平;采用的先进技术和单元设备;需参照引进的国内外先进技术,设备及改进措施。同时还对我国的硅系精细化工产品发展提出了建议。     

丙醛的生产应用及市场前景

介绍了丙醛的性质、生产方法和应用情况，分析了国内外丙醛的生产和消费情况。我国自行开发的丙醛生产技术已经达到了国外先进水平。建议采用自有技术，加快我国丙醛生产，以满足下游产品发展的需要。     

数字技术在工业电气自动化中的应用

随着科学技术的飞速发展,数字技术与计算机技术在不断创新,且逐渐应用到各行业中,工业生产进入了信息时代,尤其数字技术在工业电气自动化的应用尤为广泛,在一定程度上提高了电气自动化水平和生产效率。电气自动化水平的提高与工业生产效率离不开数字技术的支撑,且数字化技术具有操作简单、便捷等优势,不但能够保证生产效率,还可以有效缩短产品生产周期。浅析数字化技术在工业电气自动化中的应用。     

荷兰LBS公司输送带生产见闻

简单介绍荷兰LBS公司输送带生产见闻。通过对工厂布局、产品、工艺以及工作情况的概述,反映了LBS公司的输送带生产技术和生产水平。     

双酚A生产工艺评价

本文介绍了国外双酚A生产的技术路线、水平和特点,供我国双酚A生产和科研方面作参考。     

基于分布式光纤温度传感技术的油气储罐火灾监测系统的应用实践

本文介绍了分布式光纤温度传感开发意义和工作原理,不仅对油罐安全生产提供了技术保障、提升了数字化水平,同时技术本身采取无电测量,防电磁感应、抗干扰能力强,在实际生产应用体现出极大的技术和安全优势。     

发挥延迟焦化在深度加工中的重要作用

介绍了国内外延迟焦化的技术发展情况,分析了近几年中国石化延迟焦化生产中存在的问题,提出了采用先进技术、优化操作、搞好高硫焦利用、改善环境保护、提高工艺技术水平等多项提高生产技术水平的措施意见。     

水泥生产自动化的几个发展趋势

随着水泥生产工艺的发展和生产规模的大型化，生产自动化已成为保证生产线安全稳定运行、提高产量和质量、降低能耗的重要手段。而计算机、网络、优化控制以及光学、核物理等技术的发展和应用为提高水泥生产自动化水平提供了技术支撑。     

中国甲基氯硅烷合成技术进展

以中国甲基氯硅烷合成技术发展历史为线索,围绕影响甲基氯硅烷生产技术的关键问题,深入分析了中国甲基氯硅烷合成技术的现状和发展趋势,并就如何提高甲基氯硅烷合成技术水平提出了建议.     

中国甲基氯硅烷合成技术进展

以中国甲基氯硅烷合成技术发展历史为线索，紧紧围绕影响甲基氯硅烷合成工业化技术的关键因素，剖析了中国甲基氯硅烷合成技术的现状、存在的问题及发展趋势，并时中国甲基氯硅烷的发展方向提出了明确的观点和建议。     

有机硅单体合成工艺的研究进展

直接法合成有机硅单体(甲基氯硅烷)是有机硅工业的关键和基石。综述了近年来甲基氯硅烷的合成工艺研究新进展,包括原料、催化剂触体和工艺过程。详细介绍了采用形态学方法定量描述和评价原料硅的品质以揭示催化反应规律的研究现状。重点讨论了采用助催化剂使四元触体演变成硅铜锌锡磷五元催化剂触体以提高二甲基二氯硅烷收率、硅烷产率和硅粉转化率的进展。最后指出了直接法合成甲基氯硅烷的发展方向。     

蓬勃发展的中国有机硅工业

以甲基氯硅烷生产为主线,简要回顾了50年来中国有机硅工业的发展历程。着重介绍了近10年中国甲基氯硅烷生产技术取得的巨大成就,预测了2010年中国甲基氯硅烷的生产规模。     

甲基氯硅烷单体合成反应中CuCl催化剂改性研究

针对甲基氯硅烷单体直接合成反应,提出了一种采用甲基三氯硅烷(M1)对CuC l催化剂改性的新方法。由湿法制备的CuC l催化剂表面具有大量的羟基,通过M1改性后,采用红外光谱表征,其表面羟基大幅度减少。采用反应热重的实验方法对CuC l和硅粉共同形成活性中心的反应进行了评价,结果表明改性后的催化剂能够降低形成活性中心的引发温度,为评价单体合成反应找到了一种更为简便的方法。甲基氯硅烷合成反应评价装置上的催化反应结果表明,使用改性后的CuC l催化剂,反应活性提高了大约50%,选择性大约提高了3%,同时S i粉的最大转化率也有很大提高。     

硅基电子气去除甲基氯硅烷的分子动力学模拟

光纤通信技术具有通信容量大、传输损耗低、保密性能好等优点,是一种极有前途的多路通信手段。相关技术中利用硅基电子气SiCl₄经化学气相沉积法制备光纤预制棒,但是SiCl₄中的含金属杂质和含氢杂质因对光子产生很大的振动吸收而增加光纤传输中光的吸收损耗。光纤用SiCl₄对纯度的要求极高,其中含氢杂质甲基氯硅烷的含量需降低到5mg/kg或者更低。通过光氯化法结合精馏工艺提纯SiCl₄是目前为止制备光纤用高纯SiCl₄最合适的方法。本文针对光氯化法去除甲基氯硅烷杂质的工艺过程进行分子层面的反应分子动力学模拟研究,重点比较分析了Cl₂与Cl自由基及反应温度对甲基氯硅烷的去除效果,并探究了不同的模拟体系中形成的主要的中间产物及其主要的转化路径,为光氯化除杂反应提供了基础的化学反应机理及工艺的改进方向。模拟结果表明,在反应体系中引入Cl自由基后对甲基氯硅烷的去除效率能够达到相同模拟条件下Cl₂的2倍;体系的反应温度与甲基氯硅烷的去除效率之间的相互关系并不是单调变化的,存在最佳反应温度（373K）使甲基氯硅烷的去除效率达到最大;甲基氯硅烷分子中的C—H键及C—Si键因具有较大的键能而难断裂,只有当体系内反应温度升高到一定值后（423K）才可观察到C—H键的断裂,只有在体系内引入活泼的Cl自由基后才可观察到C—Si键的断裂。     

有机硅高沸物裂解技术进展

在直接法合成甲基氯硅烷单体过程中会产生大量的副产—高沸物,对有机硅高沸物进行裂解可以制备成甲基氯硅烷.笔者综述了国内外有机硅高沸物的裂解技术,探讨了有机硅高沸物裂解的反应机理及工业化技术进展.     

二甲基氯硅烷生产高沸物的综合利用研究进展

介绍了国内外应用直接法生产甲基氯硅烷过程中产生的高沸物的综合利用研究进展,总结对比了各种方法的优势和不足,展望了高沸物综合利用前景并指出其发展方向.     

有机硅高沸物催化裂解制单硅烷催化剂研究进展

介绍了近年来通过高温裂解法、催化裂解法将有机硅高沸物转化成单硅烷的研究进展,重点评述了催化裂解高沸物的氯化铝及其复合含盐催化剂、有机胺及其盐催化剂、过渡金属及其化合物催化剂、分子筛和活性炭催化剂。     

1,1,1,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷的合成研究进展

对1,1,1,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷（MDHM）的合成方法进行了评述;在此基础上,对甲基氯硅烷的水解、缩合反应机理进行了分析,并指出了今后合成MDHM的研究方向。