高效多晶硅太阳能电池

日本夏普公司最近研究出转换率高达16.4％的多晶硅太阳能电池。这种太阳能电池呈10cm 见方,电极与电池成直角,以减少电阻,增加电流输出。为了减少光损失,电池表面的防反射膜由一层增加到两层。多晶硅太阳能电池的光转换率一般都低于     

大面积多晶硅太阳能电池的技术进展

本文讨论了熔炼的硅晶块和多晶硅太阳能电池的发展,介绍了用熔炼多晶硅做衬底的太阳能电池的性能状况。当电池面积为4cm~2和>100cm~2时,转换效率分别为17％和15％。用面积为100cm~2和225cm~2的电池证实了大面积太阳能电池的发展。对多晶硅太阳能电池的成本和投资回收时间进行了讨论。还介绍了其实际应用。     

多晶硅太阳能电池的风险在哪里

解决能源和环境问题肯定需要包括半导体产业在内的所有人共同参与，不过不能仅看到眼前利益。靠喊口号和上项目可能会适得其反。头脑发热的后果可能是灾难性的，把风险多考虑一些总是没坏处的。     

太阳能电池多晶硅铸锭的凝固原理和方法浅谈

首先从定向凝固的原理讲起,其中涉及定向凝固的一些重要的工艺参数以及多晶硅铸锭的组织结构;其次,介绍了多晶硅铸锭的几种凝固方法,尤其着重讲了一下热交换法的应用;并在结尾提到了现在铸锭法中需要改进和解决的主要问题。     

用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜

本文用俄歇电子能谱仪(AES)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si(2p)芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO_2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO_2成份增强和SiO向Si_2O_3的转变.     

用于太阳能电池的多晶硅激光表面织构化研究

介绍了利用激光制备多晶硅表面织构的研究结果。采用激光在硅片表面刻蚀,然后利用化学方法去除残渣和损伤,制得均匀的表面陷光结构。通过扫描电子显微镜,HitachiU-4100分光光度计和Semilab WT2000少子寿命仪分析了表面织构化后硅片的表面形貌、反射率和少子寿命。通过调节激光和化学腐蚀参数得到很好的陷光效果,表面反射率最低可以降到约10%。但是激光刻蚀对硅片性能仍有一定损伤,有待改进。激光表面织构为多晶硅的减反射处理提供有效的途径。     

纳米Ag-Cu粉在多晶硅太阳能电池银浆中的应用

采用稻米中淀粉作为稳定剂,氢氧化钠作为还原剂的方法制备了银铜纳米颗粒。利用扫描电子显微镜在高倍数下观察Ag-Cu纳米颗粒表面形貌;通过透射电镜定性分析了银铜纳米颗粒的空间结构;通过X线光电子能谱分析得到粉末中元素成分及其相对含量;通过热重分析定量地确定了太阳能电池的烧结工艺;通过太阳能模拟器分别对正电极浆料中加入纳米Ag-Cu颗粒(质量分数为10%)前、后的多晶硅电池片进行光电性能测量。结果显示,在银浆中加入了质量分数为10%的纳米Ag-Cu后,电池片的各参数都有提高,其光电转化效率提高了5.65%。实验表明,利用Cu纳米颗粒取代部分Ag纳米颗粒,可提高电池的光电转化效率。     

掺杂高温多晶硅和低温多晶硅的氧化

引言 在双极型半导体集成电路和MOS集成电路中,CVD多晶硅膜广泛用作隔离、互连引线、硅栅、钝化等工艺,近年来采用双层多晶硅工艺的16k以上RAM及BoMos (1)（掩埋氧化物MOS）中的源、漏区、则代表了多晶硅在LSI中新的应用。特别是用作互连引线及双层多晶硅中的多晶硅,必须进行多晶硅氧化,以提供电绝缘,就要求多晶硅氧化层是一层可靠的、电导率低的绝缘材料通常,用作硅栅的多晶硅膜在700℃左右温度下淀积,我们把它称作低温多晶硅。而应用于BoMoS中作源、漏的多晶硅膜是在高     

AES和XPS在表面分析方面的应用

一、引言 表面科学是六十年代末发展起来的一门新型学科,虽然有关许多表面物理现象早在本世纪二、三十年代已发现,但只有在最近十几年来,由于真空技术,电子仪器及计算机技术的迅猛发展,才为表面科学的建立和发展奠定了比较扎实的基础。现在这门年轻的科学显示了其强大的生命力.几乎渗透到各行各业,主要是它能够解决国民经济工程技术中许多表面现象的实际问题。它不仅是一门理     

非晶硅太阳能电池的光学分析

我们采用一种新方法——光学导纳分析,把非晶硅太阳能电池看作由吸收膜和透明膜组成的多层膜系,计算了该膜系的光学导纳,分析了电池的光学性质。 电池吸收谱中存在干涉峰。通过考察各层膜光学参数对光吸收的影响,发现(ⅰ)高反射背接触的电池结构可增加0.6—0.7μm的吸收,(ⅱ)非晶硅膜厚能改变干涉峰在光谱中的位置;(ⅲ)减反膜(AR)与短波区的反射率密切相关,选择最佳AR膜厚能够减少反射损失;并且AR最佳膜厚几乎与非晶硅膜厚无关。     

多晶硅和氮化硅的CVD技术

一、引言我所研制的硅电荷耦合器件是采用N沟道多晶硅交迭栅结构。本文主要叙述我们开展化学气相淀积多晶硅和氮化硅工艺中的一些工作实践和认识。在大规模和超大规模集成电路的研制及生产中,化学气相淀积技术(简称CVD技术)     

MIS微带线特性分析

本文用全波分析法——谱域技术分析了单片微波集成电路中的MIS微带线的传播特性和特性阻抗,所得结果与有关文献报告的实验结果一致,研究了MIS微带线的结构参数对其传播特性的影响,得出了MIS微带线的一些重要特性和设计准则。     

太阳能电池产业的现状和发展

为了应对能源危机和环境污染，太阳能电池产业以平均年增长率为30％的速度飞速发展。摆在人们面前的课题是如何进一步提高转换效率、扩大生产规模和降低制造成本，使太阳能发电的成本降低到与常规发电相当的水平。介绍了太阳能电池的种类、制造方法、产业瓶颈和发展方向。     

太阳能电池效率的测量和改善

荷兰能量研究基金会的物理学家已发展一种测量太阳能电池缺陷的技术,这个信息为更高效和经济有效的太阳能电池指出了道路。当光照射到太阳能电池时,它便产生自由电子。太阳能电池达到最高效率的关键是捕获所有这些自由电子并使它们起作用。问题在于,由于太阳能电池本身的缺陷,这些电子具有回到束缚态和复合成束缚态的倾向。电子维持自由状态的时间越长,它们被捕获的机会就越大。因此,电子的平均自由寿命是个重要参量。研究人员用两种方法来确定复合速率,两者都是测量电导率和自由电子的数目,这两种方法是:·微波探测的光传导衰减是使微波从…     

AES密码分析的若干新进展

2001年11月,美国国家标准和技术研究所(NIST)确定Rijndael算法为新的数据加密标准-高级数据加密标准(AES).AES的密码分析是目前最受注目的一个研究问题.本综述介绍AES密码分析的一些新进展:包括积分密码分析,功耗分析和代数攻击等.作者就目前国内外的研究现状作了评述,并提出了AES密码分析的一些研究方向,希望能引起大家的重视.     

企业MIS的策略和方法

随着信息化浪潮和知识经济的出现，企业要生存、要发展，就一定要把企业变成智力性的组织。企业“智商”取决于两大因素：一是其组成人员个体的“智商”高低，这可比喻为人的先天因素；二是企业信息化程度的高低，这是后天因素。企业管理正规化、信息化是企业走向更高层次，提高企业“智商”的台阶。建设企业ＭＩＳ（管理信息系统），能够有效地促进这一进程。企业各种管理规则、标准、程序和制度都可以在企业ＭIS及其相关系统中体现出来，从而使企业的管理能够真正做到按职责管理，实现管理正规化。限于篇幅，本文仅就企业ＭＩＳ建设策略…     

联机分析处理和在MIS中应用的方法

介绍了联机分析处理的概念,主要特点及数据模型,分析了管理信息系统存在的问题,讨论了如何联机分析处理应用到管理信息系统中,并给出OLAP在网络销售管理系统中的应用实例。     

太阳能电池效率的影响因素分析

太阳能电池作为光伏发电系统的核心单元,其能量转换效率和成本的高低直接影响光伏发电系统的应用。如何提高效率,降低成本是光伏技术工作者的核心任务之一。太阳能电池的转换效率是由其输出参数开路电压、短路电流和填充因子决定的。通过分析材料的禁带宽度、少数载流子寿命、表面复合、温度、寄生电阻等对其输出参数的影响规律,最终得到其对太阳能电池效率的影响规律,并针对性地提出提高效率的方法,对太阳能电池的发展与应用将具有一定的推动作用。