分段退火工艺对PZT薄膜结晶和铁电性能的影响

快速退火(RTA,rapid thermal annealing)工艺的升温速率高,可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度,缩短薄膜的晶化时间,有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失,减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短,RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向,采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析,结果表明:分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的(111)择优取向的PZT薄膜,650℃是形核阶段最佳退火温度,600℃是晶粒生长阶段最佳温度,二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。     

溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响

用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52 Ti0.48 O3(PZT)铁电薄膜，沉积过程中基底温度为370℃，然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃，5min)．用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分，X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向，扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果，RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt／PZT／LNO电容器的铁电与介电特性，结果表明，PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关．     

退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响

通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜。制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜。PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃。     

CoMnNi氧化物非晶薄膜退火研究

用高频溅射法生长CoMnNi氧化物非晶薄膜并进行退火实验.对不同温度退火的样品作X射线分析及电阻测量.结果表明,CoMnNi氧化物非晶薄膜在低于550℃退火,薄膜发生结构弛豫,电阻率升高;550～750℃温区退火,薄膜结构产生晶化.随着退火温度的升高,晶化程度增强,电阻率逐步下降;高于750℃退火,薄膜开始由立方尖晶石向四方尖晶石结构转化,电阻率增大.还给出了老化实验结果.     

退火温度对HfO2薄膜应力和光学特性的影响

为了研究退火温度对HfO2薄膜应力、光学常数和表面粗糙度的影响,采用电子枪蒸镀法制备了薄膜样品,在不同温度下进行了退火处理.利用ZYGO干涉仪、UV-3101PC分光光度计、X射线衍射仪和冷场发射扫描电镜对样品进行了测试.结果表明,在本实验条件下制备的HfO2薄膜都是无定形结构;残余应力均为张应力,且随退火温度的升高呈...     

退火对N离子注入ZnO:Al薄膜性能的影响

利用溶胶-凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了Al/Zn原子比为1%的ZnO:Al薄膜,将能量56keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,样品在500～900℃氮气气氛中退火,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响.结果显示,在800℃以下退火,随退火温度提高,薄膜结晶性能逐渐变好;在600℃以上退火,随退火温度提高,紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强;600℃退火时,样品的电阻率仅为83Ω·cm.     

PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO3 (PT)薄膜和Pb (Zrx,Ti1-x)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄膜,有PT种子层的PZT薄膜晶粒尺寸更大,(110)面取向度更高,结晶性能更好;原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面形貌比较平整、均匀、无裂纹;压电力显微镜(PFM)结果表明,压电力显微镜(PFM)结果表明,有PT种子层时,PZT薄膜的平均压电系数d33为128～237 pm/V,无PT种子层时平均压电系数d33为21～29 pm/V。在升温速率为10 ℃/s的退火条件下保温10 min时,随着退火温度的升高,PZT薄膜晶粒尺寸增大,粗糙度增大,(110)面取向度升高,平均压电系数d33增大。PT种子层能够有效的改善PZT薄膜的结晶性能和压电性能。     

PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究

利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。     

退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响

采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。     

(Pb,La)TiO3薄膜电畴生长的压电响应力显微镜研究

压电响应力显微镜为铁电薄膜电畴的研究提供了一种有效的检测方法.本实验用压电响应力显微镜(PFM)对不同退火温度的(Pb,La)TiO3铁电薄膜进行表征,得到了各个样品相应的形貌像、面外电畴像和面内电畴像.结果表明,随退火温度升高,(Pb,La)TiO3铁电薄膜的表面形貌表现出从粘连到结晶较好,到出现抱团的变化过程;此外,随退火温度升高,铁电薄膜的自发极化强度先增强后减弱.通过对这一系列铁电薄膜电畴进一步研究得到:在625℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以非铁电相为主;而在650℃和675℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以铁电相为主.     

非线性网络的混合域分析法

本文研究了对非线性网络进行混合域分析的谐波平衡法,它既可以改善计算精度,又可以提高速度,计算速度比全时域分析提高十倍以上,并且比全频域法要简单得多.它可以用来分析混频器、功率上变频器、振荡器等非线性电路.     

有线电视网络规划预测方法研究

根据目前有线电视网络规划中存在的问题 ,结合有线电视网络的特点 ,介绍国际流行的规划预测方法 :因果关系分析方法、回归分析预测法、时间序列外推法等 ,同时根据国内的情况介绍了适合我国国情的规划预测方法 :综合加权系数法、专家预测法、弹性系数法、类比法、普及目标率法、层次分析法等     

对常见的几种模压全息母版拍摄方法的评价

本文对用光刻胶作记录材料拍摄模压母版全息图片常用的几种方法作了评价介绍.指出其中以一步成象法拍摄效果最佳,实验操作也容易,但拍摄投资太大.一步直接法,必须要有高分辨率,高对比度和低噪声的二维模板,否则必然导致失败.由于它对拍摄设备要求不高,故投资较小.一步投影法的拍摄效果较差,且拍摄对象受到不少限制,故只有在没有条件采用其它办法的时候才用之.二步法由于母全息图的成象差问题,以及对光能的利用率太低,最好作为一步直接法的辅助方法.     

开槽电大尺寸目标表面行波散射的混合法计算

利用流基混合法与有限元法相结合计算开槽电大尺寸目标的表面行波散射，首先利用流基混合法算出无槽时的目标表面波散射，再根据等效原理在口径处与有限元法进行耦合得到开槽电大尺寸目标的总体表面波散射。数据结果证明此方法是准确和高效的。     

地-井时域激电拟牛顿法反演问题研究

基于地-井时域激电三维有限差分正演模拟工作,以井旁目标体方位、埋深等为待反演参数,选择极化规则形体解析式构建反演目标函数和偏导数矩阵;采用变尺度法和共轭梯度法结合正演模拟利用地井激电方位测量数据对井旁类球状极化体进行反演.结果表明：反演结果和拟合效果较好,反演方法具有一定的可行性和适用性.     

用谐振腔法分析双侧鳍线的不连续性

本文将谐振腔法结合 Raleigh-Ritz 法与场源变分技术推广应用于分析双鳍线的不连续性,并以单侧——双侧——单侧级联鳍线不连续性为例,对两面不连续性同时选择两个基函数进行精确分析。作为分析结果,本文给出了其 T 型等效电路参数的一组数据,与已发表的数据比较,一致性较好。     

现代谱估计法中几种不同模型参数估计法的比较

为了克服经典的功率谱估计方法存在的方差大、分辨率低的缺点,产生了现代谱估计法。首先介绍了现代谱估计法中的几种模型参数估计法,通过仿真比较了其性能,并对模型阶次的选择作了分析,对实际的工程应用有一定的参考价值。     

一种对室外到室内的电波传播进行预测的混和方法

射线跟踪(RT)法和时域有限差分(FDTD)法是研究无线电波传播的重要的方法,本文对基于混和法的室外到室内的电波传播预测进行了详细的介绍和讨论,同时通过计算结果来验证了此方法的有效性和准确性.     

压缩改进节点法及其应用

在改进节点法的基础上,提出了针对含有受控源的线性有源网络分析的压缩改进节点法,建立了对应的压缩改进节点电压方程。该方法不但克服了改进节点法对于含有VCVS、CCVS和无伴电压源的电路处理难度较大,甚至有时无法建立网络的节点电压方程的不足,而且解决了改进节点法中由于方程数目增加以及主对角元素出现零元素时所引起的求解困难。该方法概念清晰,列写过程简单,对于小型网络的分析具有一定的实用价值。     

地球站品质因数（G／T）测量方法综述

本文主要综述卫星通信地球站Ｇ／Ｔ值的通用测量方法，比较各种方法的优缺点，并对ＩＮＴＥＬＳＡＴ和ＩＥＣ某些测量方法标准提出了修改建议。