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K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量   总被引:4,自引:2,他引:2  
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N.  相似文献   

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Furlan  Jo?e 《Electronics letters》1979,15(8):223-224
A new circuit is described that comprises a lateral-multiemitter vertical transistor structure and an inverter transistor. The circuit acts as an injection transistor-transistor logic (i.t.t.l.).  相似文献   

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A class of semi-ideal sine oscillators (s.i.s.o.) featuring independent control of frequency and damping and lack of spurious responses is described.  相似文献   

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