硅片纳米微粒清洗洁净新技术

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.     

MMST硅片清洗

德克萨斯仪器公司（ＴＩ）、预研规划局（ＡＲＰＡ）和空军三家联合的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）工程中，片子清洗工艺的目标是开发平片的全干法或气相清洗工艺，旨在全部地取代湿法清洗工艺。ＨＦ气相清洗和等离子工艺已成功地用于氧化物、氮化物和金属化后腐蚀的残余物的去除。但是还未找到用于替代炉前清洗的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗的有效干法工艺。全干法清洗很可能要再花五到十年才能走向成熟。在未来的几年内，     

半导体晶圆自动清洗设备

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。     

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗

在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中，硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟酸（ＨＦ）汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是，有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花５到１０年才能成熟。以后几年，将开始采     

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展，湿法清洗越来越局限，而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染，同时生产率也大大提高，等离子体清洗在干法清洗中优势明显，本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。     

深亚微米时代清洗技术之应用与挑战 《半导体国际》第五届晶圆清洗技术研讨会

在标准的IC制造工艺中,涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100多步,在整个ICN造的发展过程中,湿法清洗一直以来在晶圆清洗中占着主导地位,其中浸泡式(批处理)和喷雾式(单晶圆)目前     

兆声清洗技术分析及应用

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。     

单片晶圆气液混合流清洗技术研究

研究了气液混合流清洗方法对单片晶圆表面颗粒的去除效果,引入无量纲参数移径比（H/D）讨论其对单片晶圆表面颗粒去除效率的影响。此外,还讨论了冲洗时间、冲洗压力对颗粒去除效率的影响。结果表明:晶圆表面颗粒去除效率随着冲洗时间、冲洗压力的增大而提高。移径比为1时晶圆表面颗粒去除效率最高;当移径比小于1时,晶圆表面颗粒去除效率随移径比增大而提高;当移径比大于1时,晶圆表面开始出现未被冲洗的区域,颗粒去除效率随移径比增大而迅速降低。采用气液混合流清洗技术,可以实现颗粒直径为0.2~0.3 μm范围的颗粒去除效率达99%以上,颗粒直径为0.1~0.5 μm范围的颗粒去除效率达96%以上。     

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

兆声清洗技术与设备

随着半导体工业的迅速发展和器件水平(集成度、线宽)的不断提高,作为贯穿整个半导体器件生产工艺全过程的清洗工艺,其本身也在随着器件对洁净度要求不断提高的基础上而迅速发展着。兆声清洗技术就是在现已广泛应用的湿法清洗基础上发展起来的一种清洗技术。它与传统的湿法工艺相结合,可以有效去除0.2μm以下的颗粒,而     

半导体晶圆的污染杂质及清洗技术

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。     

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高.等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用.     

低温气胶无损伤清洗

器件尺寸的缩小和新材料的引入给清洗带来的挑战,在多个版本的I T R S(国际半导体技术蓝图)中都有概述。简单的说,清除污染物需要最小的材料损失并且不能修改对损伤很敏感的材料结构。这对于从无支撑多晶硅栅结构上去除可能导致良率下降的污染物来说更是如此。在寻找满足这些要求的方案的过程中,研究了很多单晶圆清洗技术用于对敏感结构的无损伤清洗。然而,简单地把这些技术转移到单晶圆平台并不能保证它们能够满足所有的工艺要求。即使是单晶圆清洗,无损伤清洗的工艺限制也变得越来越明显。对于特征尺寸小于100纳米器件的无损伤清洗,单晶…     

化学机械抛光后板刷擦洗清洗(英文)

板刷擦洗是一种在化学机械抛光后清洗中常用的方法。它可以非常有效地把研磨剂颗粒从已抛光的晶圆表面去除掉。在氧化硅化学机械抛光的清洗工艺中,去离子水(或者稀释的氢氧化氨)是刷洗过程中常用的化学品起到的作用及刷洗的机械力对去除氧化硅研磨剂颗粒时所起的作用。     

新型阻挡层抛光液对CMP后清洗效果的影响

当集成电路制造工艺缩小到14 nm及以下,阻挡层抛光清洗后表面缺陷严重影响芯片成品率。针对新型碱性阻挡层抛光液,与线上抛光液对比,通过检测抛光清洗后的晶圆表面缺陷,研究了不同阻挡层抛光液对CMP后清洗效果的影响。研究结果表明：当新型碱性阻挡层抛光液中不含盐酸胍时,抛光清洗后的晶圆表面存在大量划伤,盐酸胍的加入可同时提高TEOS和Cu的去除速率,且显著降低表面划伤数量;使用单一成分清洗液对不同阻挡层抛光液CMP后的晶圆清洗,新型阻挡层抛光液抛光清洗后的晶圆表面无任何污染颗粒,利于CMP后清洗,而线上抛光液的晶圆表面存在大量有机残留物和氧化物颗粒,需复配清洗液清洗;相比较线上阻挡层抛光液+复配清洗液工艺,使用新型碱性阻挡层抛光液+单一成分清洗液工艺产生的Cu/Ta界面腐蚀小,抛光清洗后的晶圆表面无明显的宽线条边缘缝隙和细线条表面塌陷的现象。     

浸泡式清洗的新突破

尽管许多年以来，浸泡式清洗技术是晶圆清洗的一种主要技术并且已经相当成熟，但近期内浸泡式清洗技术还是有不少新突破，特别针对90nm及90nm以下技术节点的晶圆清洗。在这个专栏，我们会介绍FSI International在浸泡式清洗技术取得的一些创新。     

半导体IC清洗技术

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。     

半导体片子清洗技术及设备

本文概述了在ＩＣ制造中，半导体片子清洗的重要性、发展历史和现状。对湿法清洗与干法清洗进行比较，并着重介绍清洗技术和设备的发展趋势。     

离心旋转喷雾式清洗技术

应用．前段光刻胶去除和灰化后清洗．自对准多晶硅化物去除．后段灰化后清洗．凸块制程中．晶圆回收