沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响

利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜（ＳＥＭ）显微形貌观察及喇曼光谱（ＲＡＭＡＮ）分析表明沉积气压的提高有利于改善ＭＷ－ＰＣＶＤ制备金刚石薄膜的质量。     

WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

WC—Co硬质合金表面MW—PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

微波等离子体化学气相沉积装置的工作原理

微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石膜的一种重要方法。用简单实验方法给出了ＭＰＣＶＤ装置中微波模式转换、微波与等离子体耦合等工作原理。矩形波导中的ＴＥ１０模式经微波模式转换器转变为同轴线中的ＴＥＭ模式，再由ＴＥＭ模式转变为圆波导的ＴＭ０１模式。ＴＭ０１模式激发低压气体形成等离子体，等离子体严重影响微波模式分布。在国内首次成功运行了５ｋＷ天线耦合石英窗式ＭＰＣＶＤ装置。     

MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明，对基片进行适当的预处理，包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层，可显著提高成核密度；对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析，并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。     

微波等离子体化学汽相沉积人工合成金刚石薄膜的进展

本文在简述了人工合成金刚石薄膜的各种工艺方法之后，重点综述微波等离子体化学汽相沉积 （ＭＷＰＣＶＤ）的工艺方法，同时，微波功率对类金刚石薄膜晶粒尺寸的影响，尤其是原子Ｈ在形成金刚 石相及抑制生成石墨相的机理进行了解释，并提出了若干预测。     

Si3N4薄膜的DC—PCVD沉积工艺及结构

用不附加另外电源的ＤＣ－ＰＣＶＤ装置沉积Ｓｉ３Ｎ４薄膜，，ＸＲＤ ＴＥＭ检查出这种Ｓｉ３Ｎ４是非晶态、ＩＲ，ＡＥＳ验证这种薄膜的主要成分是Ｓｉ３Ｎ４、ＴＥＭ与ＯＭ研究 薄膜组织结构。     

偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响

通过偏压激波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）成功地在Ｓｉ（１００）上生长出具有（１００）织构的金刚石薄膜。阐述了实验过程,讨论了偏压对（１００）织构金石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于（１００）织构生长,采用ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ光谱等对所得榈进行了表征。     

CVD法与PCVD法TiN薄膜研究

用等离子增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法分别制备ＴiV系薄膜。采用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能,研究表明,PCVD法ＴiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的ＣＶＤ法薄膜,ＰＣＶＤ法薄膜晶粒尺寸细小,均匀,形态圆整,组织致密;ＣＶＤ法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差,ＰＣＶＤ法ＴiN系薄膜的声望生和结合力等力学性能可达或优于同类ＣＶＤ法薄膜,虽然ＰＣＶＤ法薄膜的氯含量（约为２％）远主ＣＶＤ法薄膜（约为０．５％）,但ＰＣＶＤ法薄膜的耐蚀性能却明显优于ＣＶＤ法薄膜,还研究分析了ＰＣＶＤ法和ＣＶＤ法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。     

MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导——温度机理

研究了温度对Ｐ型金 石薄膜电导性能的影响，采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的方法在Ｓｉ３Ｎ４基片上制作了掺硼金刚石薄膜，测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系，提出了一种简化的能带模型，解释了电导机理，基于能带模型计算出的电导－－温度关系结果与试验结果相符合。     

高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状

金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。     

MPCVD法制备石墨烯的研究进展

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。首先通过分析制备石墨烯的几种主要方法（微机械剥离法、sic外延生长法、化学剥离法、化学气相沉积法）得出MPCVD法相对于其他方法的优势,然后综述了MPCVD法制备石墨烯的研究进展,最后简要列举了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。     

微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。     

微波等离子体化学气相沉积——一种制备金刚石膜的理想方法

综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法。介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优越性和灵活性。用MPCVD法制备出的金刚石膜其性能接近甚至超过天然金刚石,并在多个领域得到广泛应用。     

金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核

在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.     

分体圆柱谐振腔法用于金刚石膜微波介电性能测试的研究

针对金刚石膜微波介电损耗低、厚度薄带来的微波介电性能测试难点, 研制了一台分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置。利用不同直径的蓝宝石单晶样品, 用上述装置对低损耗薄膜类样品微波介电性能的测试能力及样品直径对测试结果的影响进行了实验研究。在此基础上, 使用分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置对微波等离子体化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射法制备的高品质金刚石膜在Ka波段的微波介电性能进行了测试比较。测试结果表明, 由Raman光谱、紫外-可见光谱等分析证明品质较优的微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石膜具有更高的微波介电性能, 其相对介电常数和微波介电损耗值均低于直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石膜。     

甲烷浓度对金刚石薄膜质量的影响

纳米金刚石薄膜具有优异的性能,已在多个领域获得广泛应用.但微波等离子体化学气相沉积制备的金刚石薄膜质量却严重受沉积工艺的影响,为了深入了解沉积工艺对制备的金刚石薄膜质量的影响,本文详细研究了甲烷浓度对微波等离子体化学气相沉积( MPCVD)金刚石薄膜质量的影响,利用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱以及原子力显微镜对其进行...     

Low-temperature synthesis of graphene on nickel foil by microwave plasma chemical vapor deposition

Microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) was employed to synthesize high quality centimeter scale graphene film at low temperatures. Monolayer graphene was obtained by varying the gas mixing ratio of hydrogen and methane to 80:1. Using advantages of MPCVD, the synthesis temperature was decreased from 750?°C down to 450?°C. Optical microscopy and Raman mapping images exhibited that a large area monolayer graphene was synthesized regardless of the temperatures. Since the overall transparency of 89% and low sheet resistances ranging from 590 to 1855 Ω∕sq of graphene films were achieved at considerably low synthesis temperatures, MPCVD can be adopted in manufacturing future large-area electronic devices based on graphene film.