日产综研成立“纳米电子元件研究中心”推进半导体微细化及微细化替代技术开发

日本的产业技术综合研究所（产综研）于2008年4月1日成立了“纳米电子元件研究中心”。目的是推进半导体元件的微细化，以及开发取代CMOS晶体管微细化的、基于新原理的技术。     

微细化玉米淀粉粒度效应及其流变学行为研究

采用现代粉体机械可制备微细化玉米淀粉。随着淀粉粒度减小,其支链淀粉和直链淀粉糊的特性黏度降低,分子量下降。布拉班德黏度分析表明,微细化玉米淀粉糊化起始温度下降,热糊稳定性增强;在冷却阶段,随着粒度降低,微细化玉米淀粉的凝沉性较原玉米淀粉增强,冷糊稳定性较原玉米淀粉减弱。微细化玉米淀粉糊为非牛顿假塑性流体,其流动性随粒度降低而增加,并显示出一定的粒度效应。     

淀粉粒度效应对微细化淀粉/LDPE共混体系相态结构的影响

以玉米淀粉为原料,制备不同粒度梯度的微细化淀粉,将其分别疏水化改性后以相同质量分数与LDPE共混,分析不同拉度微细化淀粉与LDPE共混体系的相态结构。扫描电镜显示,随着淀粉粒度的降低,微细化淀粉在LDPE中的分散性提高;流变学分析表明,MST／LDPE共混体系熔体为非牛顿假塑性流体．随着淀粉粒度的降低,熔体非牛顿指数减小,但粘度变化不显著。淀粉粒度降低有利于改善共混体系的加工性能扣力学性能。     

淀粉粒度效应对热塑性微细化淀粉熔体流变学行为影响

应用丙三醇/聚乙烯醇复合增塑剂分别塑化不同粒度微细化淀粉,对热塑化过程以及塑化产物的流变行为进行分析测定,结果表明,随着微细化淀粉的粒度降低,比表面积增加,与复合增塑剂反应接触位点增多,复合增塑剂与淀粉间的相互渗透作用增强,塑化效果得到改善,塑化产物熔体的流动性提高,因此适当降低淀粉粒度可以提高塑化效果,改善热塑性淀粉的机械加工性能.     

AC发泡剂的制备工艺及其微细化途径

综述了AC发泡剂的制备工艺 ,重点探讨了联二脲中间体氧化制备AC发泡剂的氧化工艺 ,并指出各种氧化工艺的优缺点。此外 ,由于传统氧化工艺制备的AC发泡剂粒径粗大 ,会给微孔泡沫制品的发泡带来困难 ,介绍了AC发泡剂颗粒微细化的途径。     

马铃薯淀粉的球磨破碎方式和微细化效果研究

采用机械球磨方法对马铃薯淀粉进行微粉碎 ,研究了球磨过程中淀粉颗粒的形貌、粒度分布及比表面积的变化特征 ,探讨了淀粉颗粒的破碎方式和粉碎模型 ,并考察了马铃薯淀粉微细化的效果     

助磨介质作用下旋窑熟料微细化过程的研究

研究了助磨剂作用下旋窑熟料的微细化过程，结果表明，助磨剂在不同粉磨阶段的作用机理不同，在相同的粉磨时间下助磨剂提高了粉磨细度，改善了物料的颗粒分布，改变了颗粒形貌，还改变了粉磨物料的微观结构，加剧了物料的晶格畸变，晶格缺陷及无定形比，加速了物料结构中化学键的破坏，尤其是C3S矿物中Si-O键的断裂，从而增加物料的反应活性。     

助磨介质作用下旋窑熟料微细化过程的研究

研究了助磨剂作用下旋窑熟料的微细化过程。结果表明 ,助磨剂在不同粉磨阶段的作用机理不同 ,在相同的粉磨时间下助磨剂提高了粉磨细度 ,改善了物料的颗粒分布 ,改变了颗粒形貌 ,还改变了粉磨物料的微观结构 ,加剧了物料的晶格畸变、晶格缺陷及无定形化 ,加速了物料结构中化学键的破坏 ,尤其是C3S矿物中Si—O键的断裂 ,从而增加物料的反应活性     

ECR等离子体处理技术

超大规模集成电路已经进入了运用亚微细粒加工技术的阶段,今后微细化还会有进一步发展。以存储器为代表的元件使用电压虽然同过去一样保持5伏不变,但微细化的进展使加工技术上的各种制约条件更加严格了。例如蚀刻的栅绝缘膜厚发展到100埃左右,若进行更厚的多晶硅栅电极加工,对选择幅度及低损伤加工的要求将会愈加严格。而化学汽相沉积技术成膜时则要求低温化,低损伤化以及平坦化沉积(良好的台阶高差复盏性能)等。可以预     

微细化处理玉米淀粉对糊化温度及粘度的影响

目的对比、分析不同研磨介质条件下研磨所得玉米淀粉糊化温度和峰值粘度的变化。方法采用行星式球磨机对玉米淀粉进行微细化处理,分别以无介质、蒸馏水和无水乙醇等为研磨介质对淀粉进行研磨,用淀粉粘度测定仪测定研磨所得淀粉的糊化温度及峰值粘度。结果研磨所得玉米淀粉糊化温度和峰值粘度均随研磨时间的延长而下降。研磨介质对玉米淀粉糊化温度的影响为蒸馏水无水乙醇未添加介质;研磨介质对玉米淀粉峰值粘度的影响为蒸馏水无水乙醇未添加介质。结论球磨能够降低玉米淀粉的糊化温度和峰值粘度,研磨介质为蒸馏水时淀粉性质变化最大。     

冷却速度对过共晶Al-Si合金的初晶Si微细化的影响

通过检测过共晶Al- 2 0 %Si- 1%Cu - 0 .5 %Mg - 0 .5 %Mn合金在不同变质处理下的组织变化 ,研究了冷却速度对初晶Si微细化的影响 .结果表明 :在 5 10 0℃ /s的不同冷却速度下 ,未变质合金的初晶Si粗大 ,为 5 0 12 0 μm ,冷却速度对初晶Si尺寸的影响较显著 ;磷变质或双重变质条件下 ,冷却速度的变化对初晶Si细化的影响较小 .双重变质剂具有同时细化共晶Si及初晶Si的作用 ,使初晶Si比磷变质更细小 ,可使初晶Si小于 2 0 μm     

冷却速度对过共晶A1-Si合金的初晶Si微细化的影响

通过检测过共晶Al-20%Si-1%Cu-0.5%Mg-0.5%Mn合金不同变质处理下的组织变化,研究了冷却速度对初晶Si微细化的影响,结果表明：在5－100℃/s的不同冷却速度下,未变质合金的初晶Si粗大,为50－120μm,冷却速度对初晶Si尺寸的影响较显著,磷变质或双重变质条件下,冷却速度的变化对初晶Si细化的影响较小,双重变质剂具有同时细化共晶Si及初晶Si的作用,使初晶Si比磷变质更细小,可使初晶Si小于20μm。     

半导体硅材料的技术进步

70年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于CraAs材料的研究。但是GaAs作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构成为研究热点。     

超音速气体雾化微细球形铝粉生产线及雾化技术

本文介绍了超音速气体雾化微细球形铝粉生产线的组成、特点、生产能力、工艺水平和生产条件下的微细化、球化、连续化等雾化技术。     

超微粒高性能磁性材料的特性和应用

自1975年索尼公司出售1/2inβ型盒式磁带录像机以来,家庭用录像机的普及率逐年增长,目前日本已超过25％。特别是近几年来,由于磁性颗粒微细化等技术的应用,磁带质量有了很大的提高。     

RESS技术制备微细颗粒研究进展及其应用

超临界流体快速膨胀技术(RESS)是超临界流体技术的重要组成之一,作为一种微细化技术,在众多制备微细颗粒的方法中,RESS因其过程简单、操作方便且产物无有机溶剂残留而被研究者青睐。简要介绍了RESS,针对其制备微细颗粒存在的不足,具体阐述了该技术的改进研究进展,并对其应用做了较为系统的综述。最后,展望了其的发展方向及潜在应用。     

超细粉体材料的应用

近年来,随着粉体技术的不断发展,超细粉体材料在相关传统行业中的应用日益广泛,市场前景十分广阔。超细粉体材料由于颗粒尺寸的微细化,使它的许多物理、化学性能产生了特殊变化,人们将这些性能应用在化工、轻工、冶金、电子、高技术陶瓷、复合材料、核技术、生物医学以及国防尖端技术等领域,大大推进了这些领域的发展,可以说超细粉体材料正在渗入整个工业部门和高技术领域,因此,超细粉体被誉为现代高新技术的原点。目前,超细粉体主要市场面向化工、轻工、医药、农药、磨料、高技术陶瓷、复合材料等领域。     

超硬铝LC9超塑变形机理的研究

本文研究了超硬铝LC~9在超塑变形过程中变形机理的转化。热变形激活能Q值随应变量的增加而下降,应变速率敏感性指数m值随应变量的增加而上升,表明了变形机理由晶内滑移转变为晶界滑移为主。显微观察表明:)动态再结晶造成晶粒的微细化;)晶内位错密度相对减少,晶界附近位错密度相对增加,发生了以动态再结晶为主的软化过程,但该过程受到弥散分布的强化相质点的抑制,引起显微组织的等轴微细化,从而导致以晶界滑移为主的变形过程,即动态再结晶诱发微细晶粒超塑性。     

微电子器件冷却技术概说与进展

微电子领域是最早提出徽尺度流动和传热问题的工程领域。在具有微尺度的微电子领域中,当空间和时间尺度微细化后,出现了很多与常规尺度下不同的物理现象。而随着微电子技术的发展,电子器件的热流密度不断增加,这势必对电子器件有更高的散热（即冷却）要求,因此有效地解决散热问题已成为电子设备必须解决的关键技术。因此,鉴于微电子器件的冷却问题具有如此重大的意义,本文对此进行了一些简要介绍,包括其概说与进展。     

Zn-4%Al合金的超塑性变形行为

本文研究了经不同微细化处理后(～1μm)的Zn—4％Al合金超塑性变形行为和显微组织的变化。结果表明:热轧、淬火和冷轧三种状态只要晶粒达到微细化,都能呈现超塑性;三种状态的合金以V卡=lmm/mim的速度拉伸时延伸率随温度的变化出现两个峰值。微观组织观察表明,经超塑性拉伸变形后晶粒长大,并趋于等轴化。晶粒的长大除了该温度下的热长大外,应变对晶粒的长大也有显著的影响。Zn—4％Al合金在超塑性变形中产生空洞,多数空洞平行于拉伸轴方向被拉长,最后由于空洞的连接引起试样的断裂。