Vishay 推出小面积新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET——vishay Siliconix Si8445DB。该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有小面积以及1．2V时极低的导通电阻。     

恩智浦推出全球最小的高性能MOSFET

恩智浦半导体2月29日发布了全新的小信号MOSFET器件系列,新产品采用了全球最小封装之一的SOT883进行封装。恩智浦SOT883MOSFET面积超小,仅为1．0×0.6毫米,与SOT23相比,功耗和性能不相上下,却只需占据14％的印刷电路板空间。SOT883MOSFET针对众多应用而设计,包括DC／DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。     

NEC电子保护板功率器件

节能环保的锂电池应用日趋广泛,用于锂电池保护板的功率器件更新也突飞猛进。针对锂电池,NEC 电子使用最新工艺和封装技术研发了一系列应用于锂电池保护板电路的产品,其中的芯片级封装(CSP)产品是已经批量应用的最小封装产品。     

安森美半导体推出超小型封装双小信号MOSFET

安森美半导体（ON Semiconductor）推出3款新的采用超小型SOT－963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT－963的尺寸为1．0mm×1．0mm。这些采用SOT－963封装的NTUD312x新器件仅有0．5mm的低垂直净距，满足超薄手持便携设备的要求。     

探讨采用绿色和非绿色模塑料封装的功率MOSFET器件之性能

绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能。本文中通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料（EMC）封装的功率晶体管的性能进行了评测。实验表明,绿色器件的电气和物理性能都优于非绿色器件。     

BGA器件的检测及返修工艺

BGA是一种新的表面贴装元器件封装技术，它一出现便成为CPU、图形芯片（GPU）等高密度、高性能，多引脚芯片的最佳选择。采用BGA封装型式的芯片现在广泛应用于手机，主板、车载系统等电子产品中，应用范围日益广泛。     

ST发布先进功率MOSFET系列产品

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。新产品包括可承受950V峰值电压的超结晶体管（MOSFET）、900V晶体管和采用节省空间的PowerFLAT8×8HV超薄封装的850V器件。超结技术可提高MOS-FET管的工作电压，降低导通电阻一芯片尺寸比，使电源产品在缩减封装总体尺寸的同时提高系统可靠性和能效。在展示SuperMESH5器件的高能效的同时，意法半导体还公布了成功应用超高压MOSFET的客户设计的细节。     

顶级物料 驱动式场效应管(DrMOS)

正和传统的场效应管不同,驱动式场效应管是将传统MOSFET供电中分离的两组场效应管和驱动IC芯片以更加先进的制程整合在一片芯片中。三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4,功率密度是分离MOSFET的3倍,增加了超电压和超频的潜力。它能够     

Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．推出采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET—Si8422DB,Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件背面涂层可实现对MICRO FOOT封装的顶部绝缘,     

汽车用单通道高边开关

正东芝公司推出用于汽车应用的小尺寸封装单通道高边开关IPD(智能功率器件)"TPD1055FA"。该产品采用BiCD工艺制造,可使用新的WSON10封装。这可以使安装面积较采用SOP-8封装的同等产品1减少大约30%,有助于缩小器件的尺寸。主要特点●供电电压:VDD(opr)=5至18V●内置保护和诊断功能:●保护功能:过电流保护、过热保护●诊断功能:过电流诊断、过热诊断、开路负载诊断、VDD输出短路诊断     

新型埋入式板级封装技术

越来越多的高密度、多功能和小型化需求给封装和基板都带来了新的挑战,很多新的封装技术也应运而生,包括引起众多关注的埋入式封装技术.在本文中,我们首先对埋入封装技术的优势、挑战以及发展现状进行了介绍.然后通过将功能性有源器件埋入到有机基板中的尝试说明了设计、制造和测试埋入式封装这一新兴技术的可行性.制定一个切实可行的解决方案,有利于降低制造成本和市场的产品开发周期.我们提出的这种埋入式板级封装技术,与传统的封装和基板工艺都兼容.此外,本文设计了将功能性的MOSFET有源芯片埋入到有机基板中的板级封装模块结构,对该模块进行了热机械仿真分析,找到了最大应力点,优化了工艺设计.最后,结合传统的基板工艺,制备了埋入式板级封装样品,并完成了埋入式板级封装模块的电阻通断测试和功能测试,验证了该工艺设计的可行性.     

纳米铜焊膏烧结互连技术研究现状与展望

纳米铜焊膏在低温烧结后可形成耐高温、高导电导热同质互连结构,该互连结构不仅可避免锡基焊料层和烧结银层服役过程中出现桥接短路和电迁移的可靠性问题,还可解决异质互连结构热膨胀系数不匹配的问题,在集成电路和功率器件封装领域具有重要应用价值。近年来,在铜纳米颗粒稳定性和低温烧结性能方面,纳米铜焊膏烧结互连技术取得了重大研究进展。但与纳米银焊膏烧结互连技术相比,纳米铜焊膏的稳定性、低温烧结性能和可靠性仍有较大提升空间。该文从烧结互连机理、烧结工艺调控、铜纳米颗粒表面改性、纳米铜基复合焊膏、互连可靠性和封装应用方面,阐述了纳米铜焊膏烧结互连技术的最新研究进展,并对后续的技术发展和研究思路进行了展望。     

家用学习、游戏配置

技嘉GA-F2A75M—HD2采用A75芯片组打造,支持最新SocketFM2接口的APU。主板采用MicroATX板型,并采用技嘉超耐久4代技术,具有防潮湿、防雷击、防静电、防高温的特性。主板采用成熟的5相供电设计,每相供电均采用了超低内阻MOSFET、     

英飞凌面向安全关键型汽车应用推出双传感器封装器件

正英飞凌近日发布的线性霍尔传感器和角度传感器这两个器件家族已经使用了新型双传感器封装。它可支持ASIL D,并且降低了物理空间要求和系统成本。通过采用创新堆栈贴装技术,这种线性霍尔传感器和角度传感器家族器件将两颗独立的传感器合并到一个厚度仅为1毫米左右的小巧的标准PG-TDSO封装中。英飞凌并未采用并排放置传感器的常见做法,而是利用已获得专利的倒装芯片技术,将两颗传感器堆叠起来。这能在     

集成还是不集成——通过巧妙的分配功能获得更加出色的集成功率器件

功率器件的半导体技术及封装技术的发展与大规模集成电路的发展并不相同。了解在何时、何处分别处理不同的功率和信号处理功能是很有益处的,这一点在需要使用十分复杂的功率器件的汽车电子应用方面尤其明显。     

大功率LED散热技术研究

如何提高大功率LED的散热能力,是LED器件封装和器件应用设计要解决的核心问题。介绍并分析了国内外大功率LED散热封装技术的研究现状,总结了其发展趋势与前景用途     

技嘉GA-MA790GP-UD4H主板 高品质做工

这款技嘉790GX主板拥有非常不错的做工。首先它采用了目前在技嘉中、高端主板上广泛使用的第三代超耐久技术,即在主板印刷电路板内的电源层与接地层采用了更重、更厚的2盎司铜膜,从而降低主板工作温度与阻抗,提高用电效率。同时它的处理器供电部分采用5相供电设计．而且每相配备了多达4颗MOSFET．采用了上桥2颗．     

新型电力电子器件功率MOSFET-Schottky

文章阐述了如何采用共封装技术把功率MOSFET和功率肖特基二极管集成，形成的新型电力电子器件MOSFET—Schottky，为低电压工作环境从低功率便携系统向高功率系统延伸提供了最佳的功率密度。     

最便宜的790GX主板——双敏UR790GX

从主板外形可以看出．该主板没有采用常见的ATX大板设计．而是采用了Micro－ATX小板板型。处理器供电部分．它采用了4＋1相供电设计。每相处理器供电采用2颗台湾茂达的MOSFET。     

映泰TP43E XE主板 节能急先锋

与其它厂商只在高端产品上采用节能技术的做法不同,这款采用Intel P43＋ICH10芯片组的映泰TP43EXE主板也具备特有的节能技术。该主板采用全板全固态的电容配置方式,其处理器供电部分每相供电电路均配备了3颗安森美的MOSFET,可以减小电阻,降低工作温度。