ZnO/玻璃结构SAW TV-IF滤波器的研制

本文扼要地叙述了一种结构新颖、性能优良、材料来源丰富、价格便宜、适宜批量生产的ZnO/玻璃结构的SAW TV-IF滤波器的设计方法,结构样式及材料特点.并简要地提示了有关制作工艺及注意问题.     

扩展阻抗匹配范围的低损耗SAW—TV—IF滤波器

已研制成一种用于彩色电视接收机中频电路的新型低损耗SAW滤波器。这种SAW滤波器由一个变迹双向换能器和一个不变迹群型单向换能器组成。单向换能器的设计采用不同指对数的。发射和反射电极来扩展阻抗匹配范围。作为相移器的薄膜电容器整体地制作在128°Y-X LiNbO_3基片上。从而,在既不增加器件基片尺寸又不增加电子元件数目的情况下,可同时获得11.3dB的低插损并无需调整阻抗匹配。     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。     

SAW滤波器大器晚成

声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别作输入换能器和输出换能器。     

AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究

在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明,该滤波器的插入损耗低于10dB,带外衰减高于45dB。     

AIN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究

在AIN压电薄膜上（以SiO2／Si为衬底），使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路，制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明，该滤波器的插入损耗低于10dB，带外衰减高于45dB。     

ZnO薄膜声表面波电视中频滤波器

本文简要介绍了ZnO薄膜的制作,ZnO/玻璃层状结构这种SAW基片材料的几个主要性能以及ZnO薄膜SAW TV IF滤波器的制作和应用。     

ZnO压电薄膜SAW机电耦合系数的测量

根据叉指换能器等效电路模型,通过实验证明了阻抗法是测量ZnO薄膜SAW机电耦合系数的简单而可靠方法.同时还对光照、相对湿度、温度以及测量静电容时频率的选择等对测量的影响进行了实验分析.     

4.4千兆赫ZnO单晶膜/兰宝石SAW滤波器

在兰宝石(Al_2O_3)基片上采用ZnO单晶膜已研制成4.4千兆赫SAW滤波器.ZnO膜是用R.F.磁控溅射技术生长的.发现ZnO/Al_2O_3结构的SAW特性与理论值很一致.滤波器系由0.5微米宽的双电极叉指换能器构成.尽管电极宽度较宽,但是由于器件用了具有极高相速的西沙瓦波和通过双电极产生三次谐波,故能在这样高的频率下工作,滤波器的3分贝带宽为50兆赫,在匹配条件下的插入损耗为16分贝.     

SAW彩色电视中频滤波器

本文介绍采用映射奇偶分量设计以等间距均匀叉指换能器结构实现的国产H2043和T1029两种SAW彩色中频滤波器.报导按通信广播电视工业管理局《彩色电视接收机用元器件质量认定方法》投入1200个器件进行二大类共17个项目的可靠性摸底试验情况,并介绍部分使用单位试用结果.     

SAW滤波器的应用

除用作电视机的图象中频(PIF)滤波器外,SAW滤波器还可用于高频电路中,并可改善电路性能.这方面的应用如:(1)用于射频调制器的滤波器——这种滤波器把来自磁带录象机(VTR)、电视节目     

SAW滤波器自动测试系统设计

针对声表面波(SAW)滤波器测试参数较多,仪器设置较复杂,且封装尺寸不断缩小,传统人工测试效率低,可靠性也不能满足要求等问题。该文利用国内定制的自动测试机,基于LabVIEW软件实现表面贴装器件(SMD)封装的SAW滤波器的自动测试系统。结果表明,该测试系统可实现SMD的自动上料、测试和记录数据,并自动分离不合格品,测试速度约1 000只/h,满足研发及小批量生产的需求。     

非对称SAW滤波器设计

本文介绍了一种计算量不大并有一定精度的叠代法.以电视中频滤波器作了实验验证,得到基本符合予期的结果.     

甚高频高性能SAW滤波器

对甚高频（ＵＨＦ）高性能ＳＡＷ滤波器干扰模式采用了一种新的处理方法,即采用梯形ＳＡＷ单元网络与微带组合电路构成ＳＡＷ滤波器,用微带电路对干扰模式进行抑制。设计过程简洁,可采用成熟的ＳＡＷ单元电极和叉指参数进行计算机模拟,且当所设计的滤波器通带频率和带宽变化时,参数调整方便。并成功地用于９１４ＭＨｚ,带宽１７ＭＨｚ滤波器的设计。     

SAW滤波器优化设计研究

本文提出了一种新的通用分解优化设计方法，它先将频域设计目标函数通过采样与内插重构以及Ｚ域零点分离法分解为两项再进行优化，适用于长重迭加权的加权的共线型与多条藕合器型声表面波（ＳＡＷ）滤波器，以及任意幅频特性的传递函数的合成。最后给出模拟结果并得出结论。     

ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作

传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。     

氮氩流量比对ErAlN薄膜及SAW滤波器的影响

该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜,并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波器。结果表明,随着氮氩流量比的增加,薄膜结晶质量和c轴取向先变好再变差,表面粗糙度先减小后增加,当V(N₂)∶V(Ar)=12∶17时,ErAlN薄膜具有最好的结晶质量和最小的表面粗糙度。基于ErAlN薄膜制备的SAW滤波器在273～288 MHz均有谐振效应,当V(N₂)∶V(Ar)=12∶17时,SAW滤波器具有最小的插入损耗和最大的传输系数。     

利用ADS仿真SAW滤波器

通过某型号镜像阻抗连接结构低损耗SAW滤波器的设计过程,说明了在ADS软件中如何建立并调用各种模型来设计SAW滤波器,尤其是调用3D电磁场仿真软件计算出的封装性能,可以适应日益增高的器件工作频率和日益缩小的封装尺寸对仿真手段的要求.表面贴装器件实测结果与理论仿真基本吻合,满足了通带平滑低损耗高阻带抑制的要求,且过渡带陡峭.     

SAW电视滤波器外围电路设计

本文从SAW滤波器的技术原理和特性出发,探讨SAW电视滤波器外围 电路设计问题.     

低通带波动高阻带抑制SAW滤波器的研制

文章在127．86度Y切X传播的LiNbO3基片上研制了f0=30MHz sh cf gkp pa 19.3%,f0=60.5MHz相对带宽13．2％，f0=80MHz相对带度10％和f0=120MHz相对带宽10％的声表面波（SAW）滤波器，由于器件带宽较宽，其它指标要求也高，采用了性能较好的辛格函数＊凯塞尔窗，结合一个多条耦合器（MSC）的结构，对器件进行了双加权，在采取抑制二次效应的措施，特别是V形包络后，通常 带更加平滑，阻带抑制达到50dB以上，极大的改善限器件性能。