Q相-C_4AF-C_2S-C_(12)A_7系统中各相共存条件的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ４ＡＦ－Ｃ２Ｓ系统中各相的共存条件。当在Ｑ相生料中加入少量Ｃ４ＡＦ时，会降低Ｑ相的形成温度。但是在高温下由于Ｍｇ２＋在Ｃ４ＡＦ中的固溶，大量的Ｃ４ＡＦ加入时反而不利于Ｑ相形成。这时需要在Ｑ相－Ｃ４ＡＦ生料中加入适量ＭｇＯ。对于Ｑ－Ｃ４ＡＦ－Ｃ２Ｓ－Ｃ１２Ａ７系统，当碱度系数≥１时，Ｑ相、Ｃ４ＡＦ、Ｃ１２Ａ７和Ｃ２Ｓ可在较大范围内共存     

Na掺杂对MTG-YBCO临界电流密度特性的影响

本文研究了Ｎａ掺杂对ＭＴＧ－ＹＢＣＯ（ＹＢａ２－ｘＮａｘＣｕ３Ｏｙ＋４０ｍｏｌ％Ｙ２ＢａＣｕＯ５ｘ＝０．０、０．１、０．２）生长织构及其超导性能的影响。适量Ｎａ的掺入有利于ＭＴＧ－ＹＢＣＯ沿（ａｂ）面的生长,改善晶体生长的宏观形貌。同时,掺Ｎａ后ＭＴＧ－ＹＢＣＯ试样的Ｔｃ,ｏｎ变化不大,但Ｔｃ,ｏｆｆ随掺杂量ｘ的增加而降低,即超导转变宽度△Ｔ增大。适量Ｎａ掺杂改善了ＭＴＧ－ＹＢＣＯ的临界电流密度特     

有机及有机金属化合物薄膜电开关特性

综述了在电场下由绝缘态到导电态的电开关记忆特性的几类化合物薄膜，包括聚苯乙烯及其衍生物的辉光放电聚合膜，酞菁铅和ＴＣＮＱ及其衍生物的电荷转移复合物的真空蒸发膜，乙酰丙酮铜的弧光放电等离子体聚合膜，１，３－二硫杂环戊烯－乙硫醇类过渡金属配合物的电沉积膜，含大共轭ＩＩ链有机化合物及偶氮化合物怀ＴＣＮＱ的电荷转移复合物的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜，以及用离子团束－飞行时间质谱仪制备的Ｃ     

Q相C4AF—C2S—C12A7系统中各相共存条件的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ４ＡＦ－Ｃ２Ｓ系统中各相的共存条件。当在Ｑ相和一料中加入少量Ｃ４ＡＦ时，会降低Ｑ相的形成温度。但是在高温下由于Ｍｇ＾２＋在Ｃ４ＡＦ中固溶，大量的Ｃ４ＡＦ加入时反而不利于Ｑ相形成。     

适用于多种不锈钢和碳钢的盐酸酸洗缓蚀剂

运用失重法评定苯并咪唑类化合物（ＢＭＡＴ）在５％ＨＣｌ中对３１６Ｌ、１８－８、１Ｃｒ１３、２Ｃｒ１３和２０碳钢的缓蚀性能。结果表明，ＢＭＡＴ可广泛应用于抑制多种不锈钢和碳钢的腐蚀。通过对ＢＭＡＴ加入浓度与缓蚀率关系的研究，找到了其在３１６Ｌ、１８－８、２Ｃｒ１３上的吸附等温式；通过温度对缓蚀率影响的研究。计算出三者溶解表观活能及ＢＭＡＴ在不锈上的吸附热效应，从而揭示了ＢＭＡＴ在不锈钢上的吸附机理。     

高类金属含量Ni基非晶态合金的电阻温度特性

Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（ｘ＝８，２，４，６，８）非晶合金电阻特性曲线表明它们在高于室温时电阻随温度呈线性变化，其室温电阻率θｏ和电阻率温度系数Ｃｆ与合金总传导电子浓度Ｃｅ有关。采用Ｎａｇｅｌ推广的液态金属Ｚｉｍａｎ理论对此作出了较好的解释。当与其它Ｎｉ其非晶合金的实验结果比较时，发现可以根据ＴＭ－Ｍ非晶合金总传导电子浓度Ｃｅ判断和预言和非晶合金的ρｏ和Ｃｒ的大小及正负。     

CA—CA2—C2AS—MgO系统中C2AS转为为Q相的研究

本文研究了１３００℃下ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中Ｃ２ＡＳ转化为Ｑ相的条件，结果表明，在ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中的Ｃ２ＡＳ只有补钙的条件下才能转化为Ｑ相，转化后的矿物组成为ＣＡ－Ｃ１２Ａ７－Ｑ－ＭｇＯ。     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

Ar~+离子注入Cu及Cu-Cr双层薄膜的表面硬度和电阻性质研究

本文分别对 ２００ｋｅＶＡｒ＋注入 Ｃｕ及 Ｃｕ－Ｃｒ双层的表面硬度和电阻，以及上 述性质的时效效果进行了测量；同时进行了ＴＥＭ分析，发现Ａｒ＋注入Ｃｕ晶粒随剂量 逐渐细化，而Ｃｕ－Ｃｒ双层混合，在１０１７／ｃｍ２Ａｒ＋注入剂量时，ＴＥＭ形貌图出现了 沟纹，为一离子择优溅射效果。此时形成了单一的 Ｃｕ基亚稳相固溶体。经 ２００℃退 火，有孪晶生成，Ｃｒ沉淀析出。     

液膜分离富集金及其微量测定

在协同流体载体（ＴＯＡ和ＰＭＢＰ）、表面活性剂（ＳＰＡＮ８０）、膜增强剂（液体石蜡）、溶剂（煤油）和内相（ＴＵ－ＨＣｌ溶液）乳状液膜体系中，在迁移条件下，１５ｍｉｎ内Ａｕ迁移率达９９．５％以上，而许多常见的离子则不能通过液膜迁移，只有Ａｕ才能从含有ΣＲＥ＾３＋、Ａｇ＾＋、Ｐｄ＾２＋、Ｐｔ４＾＋、Ｒｈ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋、Ｐｂ２＾＋、Ｚｎ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｍｏ＾６＋、Ｗ＾６＋     

TE,TM模入射对光纤CATV外调制发射机性能的影响

从理论上分析了ＣＡＴＶ外调制发光射机在ＴＥ,ＴＭ两种模式入射下的性能及对比,对Ｘ切ＬｉＮｂＯ３波导调制器,在相同的入射光功率和射频电功率条件下,如果调制器对两种模式的插入损耗相同,则ＴＥ模比ＴＭ模的ＣＮＲ大１０ｄＢ,ＣＳＯ小１０ｄＢ,而ＣＴＢ大２０ｄＢ,因而从总体性能考虑,以ＴＥ模入射为佳,实验结果和理论分析是一致的。     

CA-CA_2-C_2AS-MgO系统中C_2AS转变为Q相的研究

本文研究了１３００℃下ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中Ｃ２ＡＳ转化为Ｑ相的条件。结果表明：在ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中的Ｃ２ＡＳ只有补钙的条件下才能转化为Ｑ相，转化后的矿物组成为ＣＡ－Ｃ１２Ａ７－Ｑ－ＭｇＯ。     

氮化硼先驱体的合成研究

收ＮＨ４Ｃｌ与ＢＣｌ３反应合成ＴＣＢ，然后与（Ｍｅ３Ｓｉ２）２ＮＨ和ＢＣｌ３在低温下反应获得具有硼氮六元环结构的ＢＮ陶瓷先驱体聚硼氮烷，并用ＩＲ，ＭＳ，ＤＴＡ，ＴＧ等对聚硼氮烷的结构及热稳定性进行了分析表征。结果表明，降低反应温度可提高聚硼氮烷的习率，决定产物溶解性能的主要因素是反应物料的配料比，反应所溶剂对聚硼氮烷的陶瓷产率影响最大。在１００℃下陶瓷产率可达３５－４５％。     

配合物[Mn(phen)_2]~(2 )修饰的MCM-41的合成与表征

分别以γ－氨丙基和甲基丙烯酸丙酯基修饰介孔分子筛ＭＣＭ－４１内孔壁,将引入的有机官能团与金属配位离子［Ｍｎ（ｐｈｅｎ）２Ｃｌ］＋通过配位健成键首次合成了锰（Ⅱ）配位化合物修饰的ＭＣＭ－４１（ＭＣＭ－ａｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）２,ＭＣＭ－ｍｐ－Ｍｎ（Ｐｈｅｎ）２）．通过ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、７７Ｋ氮气吸附－脱附、ＵＶ－ＶＩＳ漫反射光谱和Ｍｎ２＋电子顺磁共振谱（ＥＳＲ）表征了复合物ＭＣＭ－ａｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）２和ＭＣＭ－ｍｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）２由于有机基团对ＭＣＭ－４１孔壁的修饰,使复合物的结晶度降低,增加的有机基因和配合物使红外光谱有所改变;ＢＥＴ比表面积,孔容和最可几孔径均下降;γ－氨丙基或甲基丙烯酸丙酯基与Ｍｎ２＋的配位而使其ＵＶ－ＶＩＳ漫反射吸收光谱在短波长的吸收加强;室温下 Ｍｎ２＋电子顺磁共振表明 Ｍｎ（Ⅱ）配位环境几乎没有变化．     

HL—1M装置硼化,硅化和锂化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化与Ｌｉ化壁的出气特性的对比实验研究。ＧＤＣ期间，Ｈ２出气占支配地位，杂质分压与Ｈ２分压成正比，ＧＤＣ后的本底放气率较同时间烘烤去气后低；ＧＤＣ（Ｈｅ＋Ｈ２）是去除膜的有效方法；Ｂ化、Ｓｉ化和Ｌｉ化壁相比，托卡马了放电后的Ｈ２出量绋１：０．１３：０．２１。其中Ｂ化壁Ｈ２出气量主于ｓｓ壁，Ｓｉ化和Ｌｉ化壁则低于ｓｓ壁，出Ｈ２量／送Ｈ２量，ｓｓ壁为０．     

高Tc超导材料微结构的透射电镜研究

报导了高Ｔｃ材料的透射电镜研究。结合材料的物理性能，对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ中氧的含量及有序、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ融熔织构材料和Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘ／ＭｇＯ复合材料中的晶界，以及高Ｔｃ薄膜和多层膜的结构进行了分析。     

铜铬复合氧化物纳米粉的制备与表征

报道了自创铜氨铬合物溶液沉淀法（简称络合法）制备铜铬复合氧化物纳米粉的方法,并采用化学分析、ＢＥＴ比表面积测定、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ和ＴＥＭ等对该纳米粉进行了表征。结果表明,采用铜氨络合物溶液沉淀法制备的铜铬复合氧化物钠米粉的比表面积高达９６．６ｍ＾２／ｇ;样品中权有ＣｕＯ和ＣｕＣｒＯ２微晶,无尖晶石型的ＣｕＣｒ２Ｏ４晶粒;Ｃｕ只以Ｃｕ＾＋和Ｃｕ＾２＋状态存在,Ｃｒ只以Ｃｒ＾３＋状态存在;样品的     

高电导有机金属聚合物的制备及性能研究

利用ＴＴＦＴＴ为矫合成一系列的有机金属聚合物（ＭＴＴＦＴＴ＾２－）ａ（Ｍ＝Ｎｉ,Ｃｕ,Ｆｅ）研究了它们的电性质,结果表明,在室温下,它们的电导出现在１０＾０５－０．０４Ω＾－１．ｃｍ＾－１范围内。（ＴＥＡＸＮｉＴＴＦＴＴ）ｎ是室温下聚合物中导电最高的,我们测定了它的电阻对温度的依赖关系,呈半导性质,同时对该样品还采用了ＶＳＣ的测量方法,结果表明该聚合物的电阻对温度的依赖关系在２８３～１５０Ｋ区间内     

B4C-TiB2复相陶瓷的强韧化研究

采用热压烧结工艺，制备Ｂ４Ｃ－ＴｉＢ２复相陶瓷。结果表明，复相陶瓷的抗弯强度，断裂韧性和显向硬度受第二相ＴｉＢ２颗粒的影响，其中Ｂ４Ｃ－３０ｖｏｌ％ＴｉＢ２材料的弯曲强度为７２５ＭＰａ，比单体Ｂ４Ｃ提高６５％，Ｂ４Ｃ－４５ｖｏｌ＾ＴｉＢ２材料的断裂韧性为６．７ＭＰａ．ｍ＾１／２，比单体Ｂ４Ｃ提高８４％，由Ｂ４Ｃ基体和ＴｉＢ２颗粒热膨胀系数不匹配导致的残余应国是Ｂ４Ｃ－Ｔdisplay status     

液膜分离富集和测定锤液中的微量铅

用二环己基－１８－王冠－６（ＤＣ－１８－Ｃ－６）、表面活性剂ＳＰＡＮ８０、中性油ＳＩＯＯＮ－１和溶剂三氯甲烷乳状液膜体系，研究了Ｐｂ＾２＋的迁移行为。在适宜条件下，８ｍｉｎ内Ｐｂ＾２＋的迁移率达９９．４％以上，相同条件下，许多金属离子（如Ｎｉ＾２＋、Ｌｉ＾＋、Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｂａ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、ＡＬ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｚｎ＾２＋和Ｃｏ＾２＋等）均不被迁移，