用MCs^＋—SIMS技术研究Ti／Al2O3界面的组分分布

将ＭＣｓ＾＋－－ＳＩＭＳ技术应用扩展到了金属／绝缘体（Ｔ ｉ／Ａｌ２Ｏ３）界面分析。实验表明，选用ＭＣｓ＾＋进行分析时，克服了界面效应，取得了较好的组分分布的分析结果。随退火温度升高（室温，３００，６００，８５０℃）界面逐渐展宽，说明界面两边存在互扩散或发生了反应，且互扩散随退火温度升高而逐渐加强。随着退火温度升高，ＡｌＣｓ＾＋的信号逐步进入Ｔｉ层相应区域中，并形成两层平台，表明Ａｌ逐渐扩散到Ｔｉ     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

Mo／α—Al2O3界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法，在２００℃的抛光（１１０２）取向的蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）单晶衬底上淀积厚度为３００ｎｍ的Ｍｏ膜。经８７０℃下不同真空退火时间处理后，运用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术进行了深度剖析，并结合ＸＲＤ物相分析，对Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面问题进行了探讨。结果表明，在Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有ＭｏＯ２生成。延长退火时间，过渡层变化不大。     

MCs^＋—SIMS技术在研究金属与陶瓷界面反应中的应用

近年来，实验证明ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术可以明显减小甚至消除ＳＩＭＳ分析中的基体效应，已成功地应用于某些半导体与金属中，适于对痕量杂质以及基体组分进行分析。现将ＭＳｃ＾＋－ＳＩＭＳ技术推广应用来表征金属与陶瓷界面反应导致的组分变化。对不同温度退火的金属（Ｔｉ）与陶瓷（Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ等）界面进行了分析，成功地观察到了界面的组分变化，为其他技术进一步证实，并且获得了新的结果。     

抑制等信道间距陆上干线光纤通信系统中光纤色散和四波混频效应的新方案

提出了一种用以克服等信道间距划分、波分复用（ＷＤＭ）＋掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）陆上光纤通信系统中光纤色散和四波混频（ＦＷＭ）效应的新方案。采用１５５０ｎｍ处色散为－２．８９ｐｓ／ｋｍ／ｎｍ的小色散单模光纤（ｓｍａｌｌ－ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎｓｉｎｇｌｅ－ｍｏｄｅ－ｆｉｂｅｒ，ＳＤＳＭＦ）可避免严重的ＦＷＭ效应，同时利用ＩＴＵ－ＴＧ．６５２非色散位移光纤（ｎｏｎ－ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ－ｓｈｉｆｔｅｄｆｉｂｅｒ，ＮＤＳＦ），在ＥＤＦＡ整个带宽范围内（１５３０～１５７０ｎｍ）补偿ＳＤＳＭＦ引入的负色散。采用此方案，一个１０路×１０Ｇｂ／ｓ、１０级ＥＤＦＡ级联的等信道间距（１ｎｍ）光纤通信系统，经近千公里的光纤传输后，ＦＷＭ和色散引入的恶化量将分别小于１ｄＢ。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

Si基GaN上的欧姆接触

研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触,对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的欧姆接触率７．５＊１０＾－３Ω．ｃｍ＾２,而Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触在６５０℃氮气气氛退火２０ｓ取得最好的欧姆接触８．４＊１０＾－５Ω．ｃｍ＾２,而且Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触有较好的热稳定     

MSnO_3和MSn_（0．5）Zr_（0．5）O_3（M＝Sr，Ba）的水热合

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２－ＳｎＯ２（或ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ／（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５～７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）２－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质碱度来获得ＭＳｎＯ３＋ＭＺｒＯ３混合物和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３，并根据合成规律初步探讨了反应过程．     

MSnO3和MSn0.5Zr0.5O3（M=Sr,Ba）的水热合成

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｚｒ０．５（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥ几ＩＣＰ等进行产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２．ＳｎＯ２（呈ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５－７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）３－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ３）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质     

P2O3—B2O3—Al2O3—SrO—BaO玻璃中的Yb^3＋非辐射能量转移下E …

本文研究了共掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３Ｐ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｒＯ－ＢａＯ玻璃的能量转移过程。实验中制备了高掺杂Ｂｂ＾３＋离子的双掺Ｅｒ＾＃＋／Ｙｂ＆＾３＋的磷酸盐玻璃样品。在Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋掺杂比率〉１：１８（ｍｏｌ％）时,观测到了基于Ｙｂ＾３＋离子至Ｅｒ＾３＋离子能量转移下Ｅｒ＾３＋（＾３Ｉ１３／２→＾４Ｉ１５／２）的增强发射和ｂ＾３＋（＾２Ｆ７１／→＾２Ｆ５／２）发射的减弱,当Ｂ     

IBAD薄膜与基体界面的显微结构

采用中能离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术，在单晶Ａｌ２Ｏ３（０００１）基片上沉积Ｍｏ膜，在ＧＡＡｓ（００１）基片上合成Ｆｅ１６Ｎ２薄膜，用ＨＲＥＭ等研究了Ｍｏｅａｊｄ－Ａｌ２Ｏ３（０００１），Ｆｅ１６ｎ２膜－ＧａＡｓ（００１）界面的显微结构，结果表明：Ｍｏ膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，晶粒平均尺寸约８ｎｍ，Ｆｅ１６Ｎ２薄膜为等轴晶，晶粒平均尺寸约为１０ｎｍ，在Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）界面及Ｆｅ１     

DVD的分量视频输出端子

ＤＶＤ即ＤｉｇｉｔａｌＶｉｄｅｏＤｉｓｋ，其视频标准依据ＭＰＥＧ２（ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８２），音频标准依据ＤｏｌｂｙＤｉｇｉｔａｌ（ＤｏｌｂｙＡＣ３）。图像水平清晰度大于５００线，远胜ＶＨＳ（２４０线）、ＶＣＤ（２６０线）和ＬＤ（４２０线）...     

液膜分离富集和测定锤液中的微量铅

用二环己基－１８－王冠－６（ＤＣ－１８－Ｃ－６）、表面活性剂ＳＰＡＮ８０、中性油ＳＩＯＯＮ－１和溶剂三氯甲烷乳状液膜体系，研究了Ｐｂ＾２＋的迁移行为。在适宜条件下，８ｍｉｎ内Ｐｂ＾２＋的迁移率达９９．４％以上，相同条件下，许多金属离子（如Ｎｉ＾２＋、Ｌｉ＾＋、Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｂａ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、ＡＬ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｚｎ＾２＋和Ｃｏ＾２＋等）均不被迁移，     

不同热化学还原LiNbO3∶Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬｉＮｂＯ３∶Ｔｉ，Ｍｎ（ＬＮ∶Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性。将ＬＮ∶Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｎｍ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０～８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ＾３＋的＾２Ｔ→＾２Ｅ     

碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应

采用可分相的Ｎａ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系为基础玻璃，以ＣｕＯ／ＳｎＯ、ＮａＩ为原料，分别引入Ｃｕ＾＋、Ｉ＾－，成功地制备出ＣｕＩ微晶掺杂硼硅酸盐玻璃。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件下光吸收性的关系。首次报道了该半导体微昌掺杂玻璃中的电致二次谱波发生，并讨论了该效应的机理。     

高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

用溶胶—凝胶法制备的Y2SiO5：Gd,Eu荧光粉的发光性能

用溶胶－凝胶法合成了Ｙ２ＳｉＯ５：Ｇｄ,Ｅｕ红色荧光粉。探讨了烧结工艺对粉体的结构及发光性能的影响。首次报道了搀杂Ｇｄ的Ｙ２ＳｉＯ５：Ｅｕ红色荧光粉的发光性能。研究结果表明,搀杂适当浓度的Ｇｄ,可以显著提高ＹｓＳｉＯ５：Ｅｕ红色荧光粉的发光强度,在Ｙ２ＳｉＯ５基质中,Ｇｄ＾３＋是Ｅｕ＾３＋的优良敏化剂。     

用MBO(口恶)唑啉合成LDPE/PS合金相容剂及其对合金的增容作用

采用１,３－双－（恶唑啉基）－苯为偶联剂通过反应性加工实现ＰＳ－ｇＭＡｎ和氯化聚乙烯之间反应方法来合成ＬＤＰＥ／ＰＳ共混体系相容剂,在ＬＤＰＥ／ＰＳ共混体系中加入１０％此相容剂,其冲击强度提高２．３倍,拉伸强度和弯曲强度也有所提高。通过ＳＥＭ、ＤＭＡ和ＤＳＣ分析表征表明加入此相容剂后,ＬＤＰＥ／ＰＳ共混物的相容性有显著改善。     

Mn离子的价态变化与ZnO压敏陶瓷的 V-I非线性

制备了含Ｍｎ和不含Ｍｎ的ＺｎＯ压敏陶瓷样品,其Ｖ－Ｉ非线性α系数分别为５２．３０及１０．４０,采用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）研究了含Ｍｎ的样品中ＭｎＯ２的作用,结果表明,Ｍｎ离子是一种受主杂质,其价态由烧结前的Ｍｎ＾４＋变为烧结后的Ｍｎ＾２＋。Ｍｎ离子价态变化发生在烧结过程中９５０℃这一特定温度,差热分析（ＤＴＡ）结果也显示,ＭｎＯ２在９５１℃存在一相变吸收峰。样品的Ｍｎ＾２＋特征ＥＳＲ信号愈强,则     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。