掺镧抑制氟化钡晶体闪烁光慢成分的机理研究

运用局域密度近似的Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ－Ｓｌａｔｅｒ理论和嵌入分子集团的方法分别对氟化钡（ＢａＦ２）和掺镧氟化钡（ＢａＦ２：Ｌａ＾３＋）的能级结构进行了计算，发现掺Ｌａ对抑制ＢａＦ２晶体闪烁光慢成分的直接原因可能并非Ｌａ本身，而是由它所引入的填隙氟离子（Ｆ＾－１）。     

用于核态寿命测量的X—γ—γ定时符合系统

由两只ＢａＦ２闪烁探测器和一只高纯锗探测器组成的延迟符合系统适用于电子俘获衰变和Ｅ０跃迁生成的ｎｓ和ｐｓ量级激发态寿命测量。快符合涉及特征Ｘ射线和相应的级联衰变γ射线测量，系统具有元素和级联选择的优点。该系统对放射性核素１５２￣Ｅｕ进行测量，除得到Ｘ－γ－γ瞬发时间谱的半高全宽度外，还分别得到１２１．７８ｋｅＶ和３６６．４８ｋｅＶ能级的半寿命分别为１．３９５±０．０３５ｎｓ和４８±１０ｐｓ。结果表明该系统适用于Ｚ≥６２的电子俘获衰变研究。     

模拟^131I标准源的研制

以＾１３３Ｂａ和＾１３７Ｃｓ的混合物模拟＾１３１Ｉ的γ谱，系统地研究了＾１３３Ｂａ和＾１３７Ｃｓ的适宜配比，源的结构与组成，支持体制备，吸收材料及其厚度的确定等，建立了制备模拟＾１３１Ｉ标准源的方法，得到了长寿命模拟＾１３１Ｉ标准源的，并讨论了应用模拟＾１３１Ｉ标准源的方法。     

Ba放射性同位素生成截面的测定

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击＾２３２Ｔｈ靶产生Ｂａ放射性同位素;通过ＢａＣｌ２沉淀使Ｂａ从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物合分离并被纯化;用＾１３３Ｂａ做示踪剂确定Ｂａ的化学产额;通过离线γ谱测量Ｂａ样品;根据每个Ｂａ同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面。结果显示出中能和厚靶的情况下,缺中子Ｂａ同位素仍有较高的生成截面。     

Nal（Tl）晶体探测器对β^＋粒子湮灭产生的γ探测效率

利用蒙特卡洛方法计算了ＮａＩ（Ｔｌ）晶体探测器对Ｍａｔｒｉｎｅｌｌｉ Ｂｅａｋｅｒ容器中β＾＋衰变气体衰变后β＾＋粒子湮灭产生的γ的总探测效率。计算中,由于考虑了β＾＋粒子的湮灭几率与物质密度相关这一因素,因而得到了总的γ探测效率高于把γ源看成均匀体源的效率的结论。     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子新核素＾２３８Ｔｈ。采用放射化学分离方法从铀和反应产物中分离钍,用ＨＰＧｅ探测器做γ单谱时间序列谱测量,在测得的Ｔｈ样品的γ谱中观察到了＾２３８Ｔｈ衰变子体＾２３８Ｐａ的１０６０．５ｋｅＶγ射线的生长和衰变。从而鉴别了新丰中子核素＾２３８Ｔｈ,并确定其半衰期为（９．４±２．０）ｍｉｎ。     

18O离子辐照过的天然铀中镤的分离和镤同位素新γ射线的观察

用液－液萃取法对＾１８Ｏ离子辐照过去的天然铀中的镤进行了分离，通过γ射线谱测量，发现了可能属于＾２２６Ｐａ或＾２３７Ｐａ衰变的３４条新γ射线。     

70As的衰变研究

采用低本底ＮａＩ－ＨｐＧｅ反康普顿谱仪和γ－γ－Ｔ（ＨｐＧｅ－ＨｐＧｅ）三参数快慢符合系统研究了＾７０Ａｓ３７→＾７０Ｇｅ３８的衰变，通过γ单谱和反康普顿谱的分析，给出了６５条γ射线的能量及相对强度；利用符合关系建立了＾７０Ａｓ３７→＾７０Ｇｅ３８的衰变纲图，其中，１０３６．９９、１１９６．６６、１５３９．２９、２５３１．７ＫｅＶγ射线为首次测到的，３５７０．５３、４２４３．１０、５２６５．８１ｋ     

^1^3^4Cs衰变γ射线发射率的测量及一个简单的符合相加修正方法

借助一套高性能的多道计算机γ谱仪系统，精确测量了＾１＾３＾４Ｃｓ衰变γ射线的绝对发射率和相对发射率。并且使用了一个简单的符合相加参修正方法，对＾１＾３＾４Ｃｓ衰变的两条主要的级联γ射线的符合相加进行了修正，获得了较好的结果。     

铀材料的识别

对铀材料的探测和识别进行了研究，给出了不同浓缩度铀的γ特征谱，并对其中＾２３５Ｕ与＾２３８Ｕ的丰度比和其γ射线强度比进行了分析。根据实验结果，可以直接由铀材料的γ特征谱得到其浓缩度，并计算出该铀材料的质量。     

塑料闪烁体—BaF2单探头β射线望远镜

制作了一个由薄片塑料闪烁体，ＢａＦｓ晶体和光电倍增管组成的射线探头，用＾２２Ｎａ放射源和＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙβ源得到的试验结果表明，该探头可以较准确地记录β能谱，并能排除９７％以上的＾２２Ｎａγ射线干扰。用γ射线全能峰做能量刻度并考虑一常数值的系统误差修正可以方便地求出β射线端点能量。     

He—jet带传输及X—γ（t）符合测量装置和^153Er（EC＋β^＋）衰变新γ的测定

介绍了Ｈｅ－ｊｅｔ带传输及Ｘ－γ（ｔ）符合测量装置分离鉴别重缺中子远离核的原理、速度和效率、离线测试了其最佳工作条件；利用该装置在线测量了＾１９５，１９６Ｂｉ、＾１５２，１５４Ｅｒ和＾１５３Ｅｒ的（ＥＣ＋β＾＋）衰变。６条新γ射线被确定Ｅｒ。     

热中子俘获截面测量

用活化法测量了＾７１Ｇａ（ｎ，γ）＾７２Ｇａ、＾９４Ｚｒ（ｎ，γ）＾９５Ｚｒ、＾１９１Ｉｒ（ｎ，γ）＾１９２Ｉｒ＾ｍ１＋ｇ，ｍ２反应的热中子俘获截面，给出了最终结果，并与国外其他家的实验数据作了比较。     

BaF2晶体γ能谱的温度特性研究

测量了从室温到８０℃ＢａＦ２晶体γ能谱对＾１３７Ｃｓ０．６６２ＭｅＶγ射线的能量分辨率和全能峰峰位随温度变化的情况。这种变化是由ＢａＦ２晶体的发光产额受温度的影响而引起的。     

核衰变γ射线谱的测量

本文对我们实验室的探测系统和数据获取方法作了介绍,这两个系统即低本底反康普顿谱仪和γ-γ-t三参数快慢符合谱仪,我们核衰变谱学组常用这两套谱仪来测量伴随核衰变的γ射线.此外作为例子用这两套谱仪对252Cf自发裂变碎片衰变γ射线和伴随74As的β EC衰变γ射线的测量作了简要描述.     

满壳层附近原子核α衰变性质的研究

利用有效液滴模型计算了Z=82和N=126及其附近原子核α衰变的半衰期,计算包含了基态→基态、基态→激发态、激发态→基态、激发态→激发态4种衰变模式,发现计算结果能很好地再现实验数据。这表明有效液滴模型可推广至满壳层附近奇异α衰变性质的研究,有助于人们利用该模型预言超重区的新幻数。另外,还对一些未知的原子核的半衰期进行了理论预言,供将来的实验参考。     

^95Zr,^140Ba和^147Nd产额的精确测定

用ＨＰＧｅ直接γ射线能谱法绝对测定热中子和８ＭｅＶ中子诱发＾２３５Ｕ裂变的＾９５Ｚｒ、＾１４０Ｂａ和＾１４７Ｎｄ的产额。绝对裂变率用双裂变室测定,并首次根据测定＾１９８Ａｕ的γ放射性活度来检验裂变室的效率。同时给出产额的“快热比”,以编评热能值为标准得到８ＭｅＶ点的产额值。结果证明,在８ＭｅＶ能点处,产额值偏离随中子能量变化呈ｅ指数关系。     

γ谱法无损测定高浓铀材料中放射性杂质含量

介绍了γ谱法无损测定高浓铀材料中放射性杂质的分析方法。该方法使用便携式高纯锗γ能谱仪测量高浓铀材料的γ能谱,结合放射性衰变平衡理论计算,获得了高浓铀材料中铀同位素衰变子体的质量百分含量。实验结果表明:对于存放30a的高浓铀材料,可检测出234U、235U和238U衰变产生的19种放射性子体,可测量质量百分含量低至10^-17%的某些放射性子体。该方法测量结果与理论值能较好吻合,可用于高浓铀材料溯源分析研究。     

医用同位素~(125)I放射性强度的测定

~(125)I是发射低能γ的同位素,衰变纲图见图1。它通过电子俘获衰变到~(125)Te的激发态(其中产生的27.5keV KX射线,分支比为68.5％),然后经γ跃迁(发射35keVγ,分支比为6.4％)或发射内转换电子(也产生 上述KX射线,分支比为66.0％)退激到基态。 测定~(125)I溶液放射性强度的较好办法是采用单晶 NaI闪烁谱仪,利用γ能谱上的符合和峰(coincident sum peak)面积来推求之,它的γ能谱见图2。在这个 衰变过程中发射的LX射线能量3.8keV,很低,谱上记     

新丰中子同位素186 Hf的分离与鉴别

利用入射能量为 ６０ Ｍ ｅ Ｖ／ｕ 的丰中子１８ Ｏ 轰击天然钨样品,通过快速放射化学分离（ Ｂａ Ｈｆ Ｆ６ 沉淀）和 γ谱测量技术首次合成并鉴别了新丰中子核素１８６ Ｈｆ。使用递次衰变分析程度对测得的母子体生长衰变曲线进行拟合,得到了新丰中子同位素１８６ Ｈｆ 的半衰期为（２６±１２） ｍ ｉｎ。本流程中,元素 Ｈｆ的化学产额大于 ６０％ ,对元素 Ｔａ 的去污因子大于 １０２。