一种高精度高电源抑制比的带隙基准电压源的设计

设计了一种具有良好稳定性和高精度的带隙基准电压源电路。通过启动电路和提高电源抑制比电路的加入,使得带隙基准电压具有较高的电源电压抑制比和较小的温度系数。HSPICE仿真结果表明,在电源电压V_(DD)=3．3V时,在-55℃～125℃的温度范围内,电路得到一个温度系数仅为17×10~(-6)/℃,电源抑制比(PSRR)为79dB的带隙基准电压输出。     

高电源抑制比带隙基准电压源的设计

提出一种采用0.25 μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25 μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25～125℃和电源电压变化范围为4.5～5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10-6 V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA.     

一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源

介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。     

一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源

根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用曲率补偿技术,对一阶温度补偿电路进行高阶补偿,获得了一种结构简单,电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源.该电路采用CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺实现,用Spectre进行仿真.结果表明,在3.3 V电源电压下,在-30 ℃～125 ℃范围内,温度系数为3.2×10-6 /℃;在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)高达118 dB,1 kHz时(PSRR)达到86 dB.     

一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。     

一种高电源抑制比的带隙基准电压源的设计

提出一种采用Bi CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计。该模块基本原理是利用具有正温度系数的热电压VT和具有负温度系数的双极型晶体管VBE叠加产生与温度和电源电压无关的基准电压VREF。该设计中带隙基准电压在25℃时,为1.242 V左右。温度从-40~120℃变化时,带隙基准电压变化10 m V,可以计算出温度系数为60×10-6℃-1。     

一种高电源抑制比CMOS能源基准电压源

介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ＾２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。     

一种新型CMOS带隙基准电压源

传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比(PSRR)为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。     

一种高精度带隙基准电压源设计

提出一种采用0．35umCMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC0．35umCMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25～＋125℃温度范围内温度系数为6．45ppm／C,电源抑制比达到-101dB,电源电压在2．5～4．5V之间,输出电压Vrel的摆动为0．1mV,功耗为0．815mW．是一种有效的基准电压实现方法。     

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

介绍一种基于CSMC0.5μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。Spectre仿真分析结果表明:在-40~100℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。     

基于新型启动电路的高电源抑制带隙基准源

设计了一种基于新型启动电路的高电源抑制(PSR)的带隙基准电压源。启动电路可以在300ns的时间内使电路进入工作状态,同时可在10ns的时间内完全关断电路。可控的启动电路增加了电路使用的灵活性。本基准电路基于新加坡Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,已应用于射频调谐器当中。测试结果表明,基准电压源在低频段的电源抑制PSR≈123dB,高频段PSR>50dB,电路采用一阶温度补偿技术,在0～100℃的温度范围内输出基准电压的温度系数(TC)约为12ppm/℃。     

一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.     

一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900 mV,电源电压可降低到1.1 V,温度系数为8.1×10^-6/℃。     

可用于电视系统的带隙基准电压源的设计

针对传统一阶温度补偿的CMOS带隙基准电压源的温度特性较差,本文在此基础上采用高阶温度补偿以改善温度特性,并且在电路中增加了带有负反馈的前调整器,提高了基准电压的电源抑制比。对电路采用SMIC0.18CMOS工艺进行仿真,输出电压在温度为-20~~58。c范围内有负的温度系数2.34ppm/。c,在温度为58~~120范围内有正的温度系数为2.21ppm/。C,在低频时电源抑制比可达116dB,在10K也可达到73dB。     

一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比(PSRR)、高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前调整器技术,使得该BGR获得高PSRR特性。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该BGR的温度系数为8.1×10-7/℃,在10 Hz、100 Hz、1 kHz、10 kHz、100 kHz频率处的PSRR分别为-90.15、-90.13、-89.83、-81.15、-58.78 dB。     

超低压差线性稳压器的带隙基准电路设计

设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路.它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温度系数为23×10-6/K;具有较高的电源抑制比(PSRR),其值为78dB.输入电压在2.5～6V变化时,基准电压的变化范围为1.221685±0.055mV,该电路还可为其它电路模块提供PTAT电流.     

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～＋120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。     

一种高电源抑制比的全MOS电压基准源设计

基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电源电压大于1.5 V时,电路进入正常工作状态;在1.8 V电源电压下,-20 ℃~120 ℃范围内,温度系数为1.04×10-5/℃,该电压基准源的输出电压为0.688 V;低频时,电源电压抑制比达到-159.3 dB,在1 MHz时电源电压抑制比为-66.8 dB,功耗小于9.83 μW。该电压基准源能应用于高电源电压抑制比、低功耗的LDO电路中。