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采用脉冲激光沉积(PLD)法,在制备有SrRuO3底电极的SrTiO3(001)基片上生长高质量的NiFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3双层复合磁电薄膜.用X-射线衍射(XRD)对复合薄膜的微结构进行详细表征,结果表明,复合薄膜中NiFe2O4、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3结晶良好,且具有单一的面外取向,Φ扫描模式显示NiFe2O4、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3均延SrTiO3(001)方向外延生长.磁电性能表征结果表明,由于界面应力效应的作用,复合薄膜的铁电性较单层Pb(Zr0.52Ti0.48)O3明显减弱,而铁磁性基本保持NiFe2O4的软磁特性. 相似文献
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通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了多层PT/PZT(PbTiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)薄膜,研究了不同退火时间对其纳米结构、结晶性能及相变特性的影响。利用FESEM测试了不同退火时间对薄膜纳米结构的影响,选用XRD与Raman分析了薄膜的结晶取向及相变特点。实验结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的三方相向四方相转变,并具有(110)择优取向。退火时间为20 min是PZT薄膜的最佳退火时间,此时薄膜的结晶效果良好、晶粒大小均匀、具有纯钙钛矿结构,此种结构的薄膜有望应用于MEMS器件中。 相似文献
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通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了多层PT/PZT(PbTiO_3/Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3)薄膜,研究了不同退火时间对其纳米结构、结晶性能及相变特性的影响。利用FESEM测试了不同退火时间对薄膜纳米结构的影响,选用XRD与Raman分析了薄膜的结晶取向及相变特点。实验结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的三方相向四方相转变,并具有(110)择优取向。退火时间为20min是PZT薄膜的最佳退火时间,此时薄膜的结晶效果良好、晶粒大小均匀、具有纯钙钛矿结构,此种结构的薄膜有望应用于MEMS器件中。 相似文献
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PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。 相似文献
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钙钛矿结构氧化物(ABO3)包含一系列重要性质,如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应。Jin等人观察到掺杂锰氧化物的电阻率在磁场作用下可下降几个数量级,即庞磁电阻效应(CMR),而掺杂锰氧化物也因此成为科技界的研究热点,有望在磁记录、磁探测、磁传感器等方面得到重要应用。为了开发掺杂锰氧化物材料的应用价值和探索CMR的物理机理,各国学者用掺杂锰氧化物制备了多种p-n结。Yan在研究LaSrMnO3/ZnO薄膜p-n结时发现不同生长顺序使得p-n结I-V曲线不再具有整流特性而显示出线性特征。我们采用磁控溅射方法在硅衬底上分别制备了La0.8Sr0.2MnO3/TiOx/Si和TiOx/La0.8Sr0.2MnO3/Si多层膜,进行测量得到了类似结果。利用TEM对薄膜微观结构进行研究,分析了界面结构对p-n结电学行为的可能影响。 相似文献
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脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜.用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况.结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均品粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大.当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,凡薄膜表面变得比较均匀.此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大.在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析. 相似文献
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采用相同的工艺分别制备了锆钛酸铅(PZT,r(Zr)/r(Ti)=52/48)与钛酸铅(PT)两种前驱体,并通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备了PZT,PT/PZT-PZT/PT,PT/PZT/-/PZT/PT 3种不同结构的多层PZT薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试了薄膜的结构,选用XRD分析了薄膜的结晶取向,采用阻抗分析仪测试了薄膜的介电常数、介电损耗及电压-电容曲线,使用铁电性能测试系统测试了薄膜的铁电性。实验结果表明,PT/PZT/-/PZT/PT结构的薄膜相对于其他两种结构的薄膜具有较高的红外探测率与剩余极化强度及较小的介电损耗,具有强大的应用潜能。 相似文献
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采用sol-gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备了厚度为400nm,600nm,800nm的PZT(锆钛酸铅,Zr/Ti=52/48)薄膜,研究了厚度对薄膜介电性能与铁电性能的影响。通过对薄膜的铁电性能与介电性能进行测试,分析了不同厚度薄膜的剩余极化强度、介电常数与介电损耗;通过对介电调谐率与最大正切损耗的计算,进一步分析了薄膜的介电调谐性能。实验结果表明,薄膜的介电常数与介电损耗随薄膜厚度的增大而增加;厚度为600nm的薄膜具有最好的介电调谐性能与铁电性能。 相似文献
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Hongxue Zhang Hannu Moilanen Antti Uusimäki Seppo Leppävuori Risto Rautioaho 《Journal of Electronic Materials》1993,22(4):419-422
Transformation behavior of piezoelectric lead zirconate titanate (PZT) thin films prepared by laser ablation on unheated Al2O3 substrates was investigated within a broad temperature region. As-deposited films were mainly amorphous containing some microcrystalline
perovskite and pyrochlore phases. The rhombohedral perovskite was the main phase in the films annealed between 500 and 800°C.
These films also contained some pyrochIore, PbTiO3, PbO, and ZrO2. The PbO and ZrO2 disappeared in the optimal annealing temperature interval of 700 to 800°C. Decomposition reactions took place above 800°C
due to evaporation of lead and diffusion reactions occurred between substrate and film so that the films annealed at 1100°C
consisted of ZrO2, TiO2, and PbO. 相似文献
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Hong-Xue Zhang Pentti Karjalainen Antti Uusimäki Seppo Leppävuori 《Journal of Electronic Materials》1994,23(12):1279-1284
Fabrication characteristics of hybrid thin film components are investigated. Lead zirconate titanate (PZT) films, thickness
10 μm, are fabricated by using laser ablation on the Ag electrode (about 1 μm thick) which is deposited on 200 μm Si substrates
by evaporation. Composition close to the target material is obtained in PZT films even in air and without substrate heating.
Low surface energy in the Ag−Si system causes spheroidization of the Ag layer on the fresh Si substrate, but the surface can
be modified by grinding and oxidization. Only some cavities exist at the interface. The interface between the Ag electrode
and PZT layer is physically continuous, as revealed by electron microscopy. After annealing at 750°C for 2 h, the PZT layer
consists of the rhombohedral perovskite phase with a fraction of the pyrochlore phase. Detrimental interdiffusion between
Pb and Si occurs during annealing if the PZT thin film is directly on the Si substrate. This is retarded by the presence of
the Ag layer. 相似文献
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采用脉冲准分子激光工艺在Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属/BIT/PZT/BIT/Si多层结构的非回线型C-V特性曲线、电容与保持时间的关系,发现三层BIT/PZT/BIT薄膜具有很好的电容保持特性,是铁电场效应晶体管的理想栅极材料 相似文献
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C. Sudhama J. Kim R. Khamankar V. Chikarmane J. C. Lee 《Journal of Electronic Materials》1994,23(12):1261-1268
In this paper, we present electrical and material properties of thin films (100 to 400 nm) of magnetron-sputtered ferroelectric
PZT for memory applications. The optimal lead-compensation power (and the resulting film composition) is independent of film-thickness.
Reduction of film-thickness leads to a reduction in the crystallization temperature (from 700°C for 400 nm films to 575°C
for 100 nm films), and yields evidence for a two-step growth of perovskite rosettes. An optimized 100 nm film yields 12 μC/cm2 for 1.5V operation and fatigues by 25% after 1010 unipolar stress cycles. 相似文献
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