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过去,央企因长期亏损而备受公众指责,这很好理解。然而,现在的情形变得有些怪异了,那是因为一些央企越赚钱却越挨骂,比如工商银行、中石油、中石化等。不少央企里的朋友对此感到特别纠结和委屈。 相似文献
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过去,央企因长期亏损而备受公众指责,这很好理解。然而,现在的情形变得有些怪异了,那是因为一些央企越赚钱却越挨骂,比如工商银行、中石油、中石化等。不少央企里的朋友对此感到特别纠结和委屈。美国《财富》杂志近期披露了最新的世界500强企业榜单,中石化集团以2734亿 相似文献
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在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下,推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式.用于计算35GHz崩越管渡越角,与计算机模拟结果符合良好. 相似文献
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为了阐明海缆交越的工程处理方法,从海底光缆路由设计、桌面研究及海上勘察、交越施工三个方面总结其相应影响因素:海缆路由设计贯穿海缆交越处理全过程,影响因素包括交越角度、新建缆与被交越缆的缆型、交越点与水下设备距离、埋设区海缆交越施工工法及多条海缆交越,总结了各因素对被交越缆在长期运行、施工和维护的影响模式及对应解决方法;总结了桌面研究利用资料研究、实地走访的方式收集交越信息,阐明交越海上勘察的设备及测线布设方案;根据海缆施工特点,解释了海缆施工埋设犁及后冲埋工法的操作方式。此外,总结了海缆交越过程中需向被交越缆相关方发送三次交越通知,分别用作收集交越信息、确认勘察前交越方案和确认施工前交越方案。 相似文献
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熊承堃 《固体电子学研究与进展》1981,(1)
本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器件在微波频率下具有远高于双极型晶体管和场效应晶体管的功率潜力,并可得到较宽的带宽.因此,这种器件有可能获得广泛的应用. 相似文献
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为弥补经典式555时基电路存在失控的缺陷,特设计越底安控时基电路。设计方案:将上限、下限和底限电位比较电路的信号输入端并联,其三个输出端由两只电阻隔离,再将这两只电阻的串接点连接后级电位触发器的输入端。因而,越底安控时基电路既有限位控制功能,又有越底安控功能,可防负载失控,在控温、控压、定时等应用电路中,能提高安全性能,避免火灾或超压爆炸事故。所以越底安控时基电路具有重要的实用价值和社会效益。 相似文献
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本文在分析了高能相对论电子通过介质箔组时产生的渡越辐射量子谱的特点、产生渡越辐射的机理,以及影响渡越辐射强度提高的主要不利因素的基础上,提出了一种提高渡越辐射强度的新方法. 相似文献
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研究了具有碰撞雪崩渡越时间收集极(以下简称IMPATT收集极)的晶体管式结构在工作特性上的改进。提议给这种器件命名为碰撞雪崩渡越时间晶体管(Impistor),简称崩越晶体管。在这种晶体管式结构中,对于结定的发射极条宽,崩越晶体管的工作频率可能比通常的晶体管要高5~10倍。 相似文献
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本文分析了影响共振渡越辐射的主要因素。在此基础上,讨论了改善渡越辐射共振条件的措施和其它增强共振渡越辐射的可能途径。 相似文献
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研究了用于 W-40G 转发器的本振和射频功率放大器的80千兆赫硅崩越二极管。介绍了一种用硅的物理常数,二极管结构和工作条件表示的崩越二极管输出功率的分析公式。根椐这一表示式,可以设计大功率或者高效率运用的崩越二极管。搞清楚了硅的不完善性和二极管性能之间的对应关系。通过改进二极管周围的结构(包括振荡腔体),在80千兆赫频段获得了具有200毫瓦左右输出功率的二极管,成品率约15%。目前可靠性的研究正在进行中,预期失效率可保证为1000非特(FIT)。 相似文献
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叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400~800mW连续输出功率,效率5%~10%,结温200~250℃。 相似文献
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系统地描述了肖特基势垒砷化镓崩越(IMPATT)二极管直流热性能的简单一维计算机模型,用以计算不同结构的崩越二极管中热散逸的条件。已用这个模型确定了三种结构的砷化镓崩越二极管热稳定的条件。计算导出了几点结论,其中最重要的如下所述。 a) 结的热离子发射(漏泄)电流在热学上是不稳定的,而雪崩倍增则是热稳定的。在高结温时二极管热稳定性要求热离子发射电流低而雪崩倍增电流大。 b) 在结处由于沾污或缺陷引起的势垒高度的降低,增加了热散逸的可能性。 c) 对于给定的势垒高度,崩越二极管的掺杂越高,热散逸的阻力就越大。 相似文献
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