集成电路塑封应力的压阻测试

本文提出了一种用于测量集成电路塑封附加应力的十字型压阻测试图形设计,用它可同时测量芯片平面内的两个正应力及剪切应力,比现有的几种方法更加合理可靠.用这种测试器件对国产塑封料和进口塑封料进行了对比应力测试,所得结果为国产塑封料配方及塑封工艺的改进提供了性能参数.     

用硅压阻应力传感器研究倒装芯片封装应力

电子封装是集成电路产品制造过程中的重要环节,而电子封装所产生的应力则可能会对芯片的性能及可靠性产生影响,因而受到业界的广泛关注。利用半导体压阻效应制造硅压阻应力传感器阵列芯片,将其倒装键合至印刷电路板,填充不同类型的下填料进行固化。通过测量应力传感器芯片上的力敏电阻变化,计算倒装键合和下填料固化等封装工艺引入的应力,并讨论了下填料的性能参数对芯片应力大小的影响。此外,在标定力敏电阻及压阻系数温度效应的基础上,对下填料固化过程的应力变化进行了实时监测,分析了下填料固化工艺引起的应力。     

一种用于身份识别的非接触式IC卡的设计与研制

设计了一种工作频率为１２５ｋＨｚ，用于身份识别的非接触式ＩＣ卡。分析了系统结构和工作原理，讨论了非接触式ＩＣ卡的“心脏”－卡内芯片的电路结构。最后，简要地介绍了芯片的版图设计、测试结果及其典型应用。     

板上芯片固化后残余应力分布的有限元模拟

用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布.在FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同.讨论了基板厚度及粘合胶厚度对残余应力的影响,表明采用陶瓷基板时增加粘合胶的厚度以降低残余应力来作为低应力封装的一种手段是可行的.硅压阻传感芯片测量结果与计算机模拟结果的比较表明,计算机模拟值与实验测量值比较接近,测量值的正负区间与模拟值的正负区间吻合     

板上芯片固化后残余应力分布的有限元模拟

用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布.在FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同.讨论了基板厚度及粘合胶厚度对残余应力的影响,表明采用陶瓷基板时增加粘合胶的厚度以降低残余应力来作为低应力封装的一种手段是可行的.硅压阻传感芯片测量结果与计算机模拟结果的比较表明,计算机模拟值与实验测量值比较接近,测量值的正负区间与模拟值的正负区间吻合.     

阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析

在一个芯片上设计了六组不同规格的矩形压阻悬臂梁.采用ANSYS有限元分析系统对微压阻悬臂梁进行应力分析,并对压阻悬臂梁的噪声、灵敏度以及最小可探测位移进行了研究.选用多晶硅为压阻材料,以硅微机械加工技术为基础,完成了阵列式压阻悬臂梁的制备.通过测量器件的噪声和灵敏度,计算出在6V偏压和1000Hz测量带宽下,多晶硅悬臂梁的最小可探测位移为1nm.     

用于机器人手指的SOI基板微压阻式力传感器

压阻式力传感器常被用作工业机器人手指接触力传感器,为准确测量微小力与力矩,设计并测试了一种用于六自由度微力测量的微压阻式力传感器.该传感器由传力支柱、软半球盖、力-力矩传感结构和Wheatstone电桥四部分构成.采用有限元方法分析了各方向上施加力时应力的分布情况,由此确定了压敏电阻的位置分布.采用光刻、掺杂、深反应离...     

基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作

针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片，将其封装后，研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器．封装工艺进一步改善后，该芯片工作温区有望拓宽到300～350℃．     

灌封胶封装对高量程MEMS加速度计动态性能的影响

利用有限元模拟方法,对一种压阻式高量程MEMS加速度计进行了10万g峰值的半正弦加速度脉冲下的响应分析．灌封胶弹性模量的变化对高量程加速度计输出电压信号的影响可以忽略,且模拟输出电压的峰值与解析解接近．应力分析表明,芯片粘结胶、芯片与芯片盖板之间封接胶环的等效应力均随灌封胶弹性模量的增加而减小;弹性模量在4GPa以上的灌封胶适宜用来保护芯片．动态有限元模拟结果与自由落杆测试结果接近．     

阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析

在一个芯片上设计了六组不同规格的矩形压阻悬臂梁.采用ANSYS有限元分析系统对微压阻悬臂梁进行应力分析,并对压阻悬臂梁的噪声、灵敏度以及最小可探测位移进行了研究.选用多晶硅为压阻材料,以硅微机械加工技术为基础,完成了阵列式压阻悬臂梁的制备.通过测量器件的噪声和灵敏度,计算出在6V偏压和10 0 0Hz测量带宽下,多晶硅悬臂梁的最小可探测位移为1nm .     

GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试

介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。     

多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.     

首款国产公用电话IC卡专用芯片问世

一种由大唐微电子公司与清华大学微电子研究所合作开发成功的公用电话ＩＣ卡专用芯片,日前在北京通过了信息产业部组织的鉴定,从而结束了中国公用电话没有国产ＩＣ卡芯片的历史。 ＩＣ卡芯片是使用集成电路芯片实现数据存储和处理的新一代芯片,具有体积小、容量大,安全可靠,可以机读和防伪能力强等特点。ＩＣ卡被广泛应用于公用电话、停车场、购物支付以及身份证明等领域。 此次鉴定通过的国产ＩＣ卡芯片属国际上第２代智能电话ＩＣ卡芯片,具有全部自主知识产权,先后于１９９８年４月和１１月在北京、江苏、黑龙江和江西４个省市进行…     

多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.     

天线的测量校准方法

天线是测量电波辐射强度的必备工具．天线系数是用于场强测量和DEMI测量天线的重要参数。人们利用测量接收机读数、天线系数来计算电波辐射场强。在难以用理论计算的方法精确获得天线系数时．需要对天线的天线系数进行测量校准。本文介绍了常用的天线系数的校准方法．讨论了在天线校准中引起测量误差的各种因素．并总结了各种校准方法的适用范围及特点。     

迅速发展的IC卡

迅速发展的ＩＣ卡董民惠１什么是ＩＣ卡在一张塑胶基片上嵌入一小块专用ＩＣ芯片，大小厚薄与现用的磁卡基本相同，可存储、运算或处理各种数据──这就是ＩＣ卡。ＩＣ卡有两种：一种仅有存储功能，一种带有ＣＰＵ，也称为智能卡（ＳｍａｒＣａｒｄ）。也就是说，智能卡是...     

非接触IC卡芯片的低成本测试

随着RFID技术和规范的不断成熟．我国的第二代身份证卡上开始使用基于RFID技术的非接触IC卡芯片．对于设计验证和大规模量产时面临的测试问题，本文介绍了一种非接触IC卡芯片低成本测试的解决方案。与普通的测试方法要求IC测试仪（ATE）有比较昂贵的混合信号测试部件来发送／识别RF信号相比．该解决方案只需要ATE有一般的数字电路的测试功能．结合RF应用模块，就可以在保证测试精度和稳定性的前提下实现时芯片要求的所有测试。其最大的优点是大大降低ATE本身的硬件成本．测试时间很短，并且有很好的灵活性。     

大流量压阻式流量传感器的研制

根据流体力学差压原理，采用硅微机械加工手段设计制作了微挡板结构的压阻式流量传感器。测试结果表明，该传感器具有测量0．1～10L／min的气体流量的能力。     

光探测器芯片的高频特性测量

为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制．提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法。对于任意电极结构的探测器芯片，首先把芯片与测试夹具连接，通过一系列的校准和测量，可以得到夹具的S参数，进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响，得到探测器芯片的S参数，计算出光探测器的阻抗和频率响应特性。用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量，并与直接用微波探针测量的结果相比较，验证了该方法在50MHz～16GHz的频率范围内的正确性。     

新型光柱仪表技术及其驱动芯片IC9504

新型ＬＥＤ光柱指示器件以其色彩丰富，抗震性强，体积小、等优点正虎来我的电子仪表产品设计者所采用，其驱动芯片ＩＣ９５０４更是在设计光柱指示产品时不可缺少的驱动器件，本文介绍了新型ＬＥＤ光柱指示器件及驱动芯片ＩＣ９５０４的性能参数及其应用电路．