杯状纵磁真空灭弧室开断能力与触头直径和触头开距关系的试验比对

对杯状纵磁真空灭弧室的极限电流开断能力与触头直径和触头开距间的关系I=k×D2×Bz0.4进行了试验验证。当触头直径分别为48,58,66mm时,触头开距设定为8,11,14mm,对9只真空灭弧室试品在振荡回路上进行极限开断能力试验;用三维有限元方法对9种情况下的纵向磁场进行了计算;将计算结果带入公式与试验结果及灭弧室开断能力标定值进行比较,考虑试验的误差,认为公式有参考意义。     

杯状纵磁真空灭弧室开断能力与触头直径和触头开距的关系

研究了杯状纵磁真空灭弧室的极限电流开断能力与触头直径和触头开距间的规律,建立便于设计时应用的计算公式。从合成回路上开断能力的试验结果出发,将三维有限元法对杯状纵磁触头的纵向磁场的计算结果引入到开断能力与触头直径和触头开距的关系式中,初步得到极限电流开断能力与触头直径和触头开距的关系为I=k×D2×Bz0.4,式中k是系数。该式的物理意义是开断能力随触头直径的增加而增大,随触头开距的增加而减小。     

不同触头结构真空灭弧室分断能力的测量分析及应用前景

作者测量了不同触头结构中高压等级真空灭弧室的分断能力及弧压特性，并对各种触头的设计思想及熄弧原理进行了讨论，通过对比分析，指出将单极线圈式纵磁和多极线圈式纵磁头应用于国内中高压等级真空灭弧室的必要性。     

外部接线对横磁场触头结构真空断路器开断能力影响的分析

计算了手车结构中外部接线对真空灭弧室弧柱的电动力,认为横磁触头结构真空断路器在开断大电流时,外部接线产生的电动力是导致开断失败的主要原因。建议尽量缩短真空灭弧室两端径向引出线的长度,以减少外部接线对灭弧室开断能力的影响。     

真空灭弧室CuCoTa触头材料研究

介绍了国内首次研制的铜钴钽（ＧｕＣｏＴａ）触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,ＣｕＣｏＴａ触头材料较ＣｕＣｒ５０触头材料提高分断能力２４％。     

真空灭弧室开断交流电流的物理过程和开断能力的数学评估

首先对多阴极斑点交流真空电弧的熄灭过程进行了分析,把这个过程分成四个阶段,然后分阶段建立数学模型,最后由数学模型导出特征量,提出用特征量对开断能力进行评估.     

高分断能力真空灭弧室的研制

研究了一种新型高分断能力的真空灭弧室,其间隙纵向磁场较强且具有良好的分布特性。试验表明,该真空灭弧室具有较强的分断能力,并有利于真空灭弧室的小型化。     

用纵向磁场触头结构的真空灭弧室分断中等短路电流的研究

本文分析了目前几种真空灭弧室的触头结构,探讨了各种不同结构触头的发展前途。对三种不同触头结构真空灭弧室,在同样尺寸条件下,在12.5千安电流时,利用合成回路,进行分断能力试验。同时着重对纵向磁场触头的磁场分布作了测试,证实新设计的纵向磁场触头结构真空灭弧室具有较多的优点和广泛的发展前途。     

真空灭弧室开断交流电流的物理过程和开断能力的数学评三

首先对多阴极斑点交流真空电弧的熄灭过程进行了分析,把这个过程分成四个阶段,然后分阶段建立数学模型,最后由数学模型导出特征量,提出用特征量对开断能力进行评估。     

真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。     

真空灭弧室触头弹簧安装位置对分合闸过程影响的试验分析

通过对比试验,分析了触头弹簧安装形式对分合闸过程的影响,提出了采用静端安装触头弹簧双波纹管真空断路器是解决许多机械问题的好方法。     

真空灭弧室开断大电流后的物理现象分析

介绍国外应用现代化的诊断技术.激光投影照像设备(Laser Sha-doe-imaging Apparatus)、激光感应荧光仪(Laser induced fluoreseence)和Mie-散射仪(Mie-scattering)等进行真空天弧室开断大电流的物理现象测试研究.通过测试研究分析了电流开断后电极间的状态,包括金属蒸汽、剩余等离子体、液滴和触头表面状况.     

真空灭弧室开断大电流后的绝缘劣化

通过实验研究了三种不同触头材料的真空灭弧室在作大电流开断操作后冲击耐压水平的下降情况后发现,随着开断电流的增大,弧后冲击耐压水平逐渐降低.当开断电流接近真空灭弧室的极限开断电流时,冲击绝缘水平有较大幅度的下降;采用工频电压作用下的高压火花老炼处理,可以使尚未达到电寿命极限的真空灭弧室的冲击耐压水平基本得到恢复.     

动静触头槽口装配位置对真空灭弧室性能的影响

为了研究动静触头槽口装配位置对真空灭弧室性能的影响,文中采用仿真计算和试验相结合的方法,对不同动静触头槽口装配位置的真空灭弧室性能进行了分析,得出了装配位置对磁感应强度和电弧形态的影响规律。当动静触头槽口错位45°装配时最大磁感应强度分别为63.71、64.31、64.18 mT,电弧尺寸比较小,电弧的运动比较稳定,电弧电压为36 V,开断性能更好。动静触头槽口错位45°装配有利于提高真空灭弧室开断性能。     

真空断路器触头分离时刻对开断性能影响的试验研究

本文通过对10kV真空断路器触头分断过程中的开断性能进行试验,以得到触头在不同时刻分断的开断性能。并与触头定间隙试验结果对比;由此获得在一定的短路开断电流情况下的触头最佳开距。     

减小真空灭弧室触头表面涡流磁场的研究

本文就具有径向槽、横向槽及螺旋槽的触头面对减小涡流磁感应强度的作用进行了试验对比分析。为了有效地消除涡流磁场的影响,采取了增加涡流路径长度和设计合理的涡流路径形状,使得涡流线产生的磁感应强度相互抵消。通过试验分析表明,开槽合适可以比较有效地消除涡流磁感应强度。