硼掺杂的γ-Al_2O_3催化膜的制备及其热稳定性的研究

在勃姆石Ａ１ＯＯＨ溶胶中引入一定量的Ｈ２ＢＯ３溶液,经不同温度的热处理,制成不同硼掺杂含量的无支撑的γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜．用ＸＲＤ、ＢＥＴ分别对膜的晶相和膜的微孔结构,包括比表面积、孔径和孔容进行了研究,结果发现：随着硼含量的增加,在低温下,膜的比表面积和孔容都不断增加,而对孔径的影响不大;经１２００℃处理后,未掺杂硼的膜的比表面积,孔径和孔容分别为 ５．４ｍ２／ｇ, ４９ｎｍ和 ０．０６３ｃｍ３／ｇ,而经掺杂 １６％摩尔硼的膜的比表面积,孔径和孔容分别为 ３５ｍ２／ｇ, １３ｎｍ和 ０．２２５ｃｍ２／ｇ,这说明硼的掺杂对 γ－Ａｌ２Ｏ３膜的热稳定性有很好的改善作用．     

镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层

用双离子束辅助沉积（ＩｏｎＢｅａｍＡｓｉｓｔｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）方法在Ｎｉ－Ｃｒ合金上合成了具有（００ｌ）择优取向，平面双轴排列的ＹＳＺ膜（Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２）作为ＹＢＣＯ超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角５４０左右时可获得最佳的（００ｌ）择优效果。８０００Ｃ高温退火后其结构有较大的改善。在其上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ＝８８Ｋ，Ｊｃ＝１０×１０４Ａ／ｃｍ２（０Ｔ，７７Ｋ），并且从Φ扫描的结果说明了ＹＳＺ缓冲层上ＹＢＣＯ膜的生长机制。     

铁砂中Si的含量对永磁铁氧体结晶形貌和磁性能的影响

用不同ＴＦｅ和ＳｉＯ２含量的精铁砂代替Ｆｅ２Ｏ３，制备永磁铁氧体，通过扫描电镜形貌观察和宏观磁性的测量分析，表明：当铁砂中的ＴＦｅ含≥７１．５％，ＳｉＯ２含量≤０．２４％，酸不溶物含量≤０．６％时，可用于生产高性能永磁铁氧体，其性能达Ｂｒ＝０．４２４Ｔ，Ｈｃ＝１９２ｋＡ／ｍ，（ＢＨ）ｍａｘ＝３１．２ｋＪ／ｍ＾３。     

关于壳聚糖涂膜保鲜草莓的研究

研究了壳聚精膜对引起草莓腐烂的灰葡萄孢霉及园弧青霉的抑制作用。１％壳聚糖膜具有与ＴＢＺ相近的抑真菌性。通过测定Ｖｃ含量，可滴定酸度，组织硬度及花色苷的含量可证实，１％壳聚糖膜对草莓有较好的保鲜作用。常温（１８～２３℃）下可延长保鲜期２天以上。     

三溴偶氮胂直接光度法测定铝合金中铈组稀土元素

研究了铈组稀土元素与三溴偶氮胂（ＴＢＡ）的显色反应，在强盐酸介质中铈组稀土元素与ＴＢＡ形成蓝紫色络合物，其最大吸收在６３５ｎｍ，铈组稀土与ＴＢＡ的络合比为１：３，表观摩尔吸光系数为（１．１５￣１．２５）×１０＾５Ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１，在（０￣２５）μｇ／５０ｍＬ范围内遵守比耳定律。这个方法已应用于直接光度测定铝合金中的铈组稀土，并获得满意结果。     

焙烧温度对氧化铝膜孔性能的影响

利用ＴＧ－ＤＴＡ、ＢＥＴ法分析研究了热处理过程的膜孔径分布、孔径大小及膜的比表面积、比孔容随焙烧温度的变化趋势,并用ＸＲＤ研究了氧化铝膜的膜内晶体的晶面取向,用ＴＥＭ、ＳＥＭ观察用溶胶─凝胶法制备的氧化铝膜的表面及截面形貌．发现构成氧化铝膜的微晶的择优取向度决定着膜孔径分布的均匀性,焙烧温度越高,膜微晶的择优取向度越大,膜的孔径分布越窄,但孔径增大．膜的比表面积、比孔容在４００℃有一最大值,４００℃是合适的膜催化、反应用膜的焙烧温度,这时膜比表面积、比孔容和孔隙率分别为２８３ｍ^２／ｇ、０．３３８ｍＬ／ｇ和５３％．７００℃是分离用膜的合适焙烧温度,这时膜比表面积、比孔容和孔隙率分别为２０２ｍ^２／ｇ、０．２０３ｍＬ／ｇ和４５％．７００℃时膜的最大孔径为５ｎｍ;孔径为１～１．２５ｎｍ的孔占孔体积的７０％以上．     

SBS/LPB/PAn导电橡胶复合物

采用原位聚合法,在ＳＢＳ／ＬＰＢ交联橡胶基体中合成聚苯胺,直接成膜后形成单面导电的复合物膜。该复合物膜的导电率随苯胺用量的增大而升高;随氧化剂用量的增大先升高后降低;复合物中仅含ＰＡｎ８．９％时,膜的导电率高达０．０８Ｓ／ｃｍ。     

Pd/γ-Al2O3复合催化膜的热稳定性

由溶胶凝胶法制备出Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜及镧掺杂改性的Ｌａ/Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜,研究了镧的掺杂对Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜热稳定性的影响．用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＢＥＴ分别对膜的晶相和微孔结构(包括比表面积、孔径和孔容)进行了研究,结果发现:镧的掺杂明显提高了α－Ａｌ２Ｏ３的相变温度和高温下Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜的热稳定性．Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３经１１００℃处理５ｈ后,其比表面积、孔径和孔容分别为４．４６ｍ２/ｇ、３５．１ｎｍ和０．０５１ｃｍ３/ｇ,而经镧掺杂改性的Ｌａ/Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜的比表面积、孔径和孔容分别为５１．６ｍ２/ｇ、７．２ｎｍ和０．１３８ｃｍ３/ｇ．     

CoNiP高密度磁记录介质性能的研究

用化学镀法制取了ＣｏＮｉＰ磁性合金薄膜，测定了膜厚和成分对磁性能的影响，结果表明：随膜厚的增加，平行于膜面的矫顽力Ｈｃ（／／）和垂直于膜面的矫顽力Ｈｃ（┴）下降，当膜厚大于０．２μｍ时，趋于平缓，ＣｏＮｉＰ合金中钴的含量从１０．５３％到７４．３７％变化时，其Ｈｃ（／／）和Ｈｃ（┴）分别由０．３和５．１增加到９３．４和１０８．９ＫＡ／ｍ。     

Fe-Co-M系高饱和磁感应强度及低剩磁软磁合金研究

研究制备具有高饱和磁化强度和低剩磁的Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎｉ系软磁合金实验结果表明,当成分设计使合金同时含有ｂｃｃ相和ｆｃｃ相,其中ｂｃｃ相占９０％左右时,合金饱和磁感应强度Ｂｓ〉１．８Ｔ,同时表现较低的饱和磁致伸缩系数,通过横向磁场热自理其剩磁值降低到０．２５Ｔ左右。     

PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响

研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜,富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜;然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术,在５０ ｋＶ 的基体脉冲负偏压下注入氮． 用ＦＴＩＲ 透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化,用ＸＰＳ分析膜的成分分布． 结果表明：在ｃ－ ＢＮ 膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ,但膜中ｃ－ ＢＮ 的含量略有增加;对于ＢＮ０ ．５ 膜,注入氮后,ＮＢ 略有提高,膜的ａ－ ＢＮ 的结晶化提高;而在硼膜中注入氮后,氮在膜中呈类似高斯分布,最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３ ％ ,膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ ＢＮ） 结构． 此外,在以上各种膜上注入氮后,膜基界面都有不同程度的成分混合．     

纯沸石膜制备及表征

在多孔陶瓷载体上制备过渡层，再以水热法合成出ＺＳＭ－５型沸石膜，经扫描电镜测定，膜厚１２μｍ，过渡层厚１３．８μｍ。将ＺＳＭ－５沸石膜用于乙醇水渗透蒸发分离，分离因数为１５，这时其渗透通量为０．４６ｋｇ／ｍ＾２．ｈ．。     

高频磁场标准的研制

本文介绍采用标准磁场法和标准环天线法研制完成的国家高频磁场标准装置。其工作频率为１０ｋＨｚ～３０ＭＨｚ；发射场强为１～１００ｍＶ／ｍ；不确定度为０．２５ｄＢ。标准磁场法装置与标准环天线法装置的比对一致性为０．４５ｄＢ；标准环天线装置与ＴＥＭ室标准场装置的比对一致性为０．４０ｄＢ。     

ABS用聚丁二烯胶乳的合成及应用

重点研究了在歧化松香皂（ＤＲＳ），十二烷基硫酸钠（ＳＤＳ）和间次甲基萘磺酸盐（ＮＦ）组成三元复合乳化剂体系中ＤＲＳ初始用量及补辊方式对聚丁二烯胶乳（ＰＢＬ）粒子形态的影响，结果表明：当ＤＲＳ初始用量为１．２％，在转化率分别为２５％，５０％和７０％，下各补加ＤＲＳ０．４，０．４和０．２份时，可较好地控制ＰＢＬ粒子形态和分布，其平均粒径不小于０．２５μｍ且ＰＢＬ试验重性好，接枝共混合制得ＡＢＳ缺口冲击     

Na掺杂对MTG-YBCO临界电流密度特性的影响

本文研究了Ｎａ掺杂对ＭＴＧ－ＹＢＣＯ（ＹＢａ２－ｘＮａｘＣｕ３Ｏｙ＋４０ｍｏｌ％Ｙ２ＢａＣｕＯ５ｘ＝０．０、０．１、０．２）生长织构及其超导性能的影响。适量Ｎａ的掺入有利于ＭＴＧ－ＹＢＣＯ沿（ａｂ）面的生长,改善晶体生长的宏观形貌。同时,掺Ｎａ后ＭＴＧ－ＹＢＣＯ试样的Ｔｃ,ｏｎ变化不大,但Ｔｃ,ｏｆｆ随掺杂量ｘ的增加而降低,即超导转变宽度△Ｔ增大。适量Ｎａ掺杂改善了ＭＴＧ－ＹＢＣＯ的临界电流密度特     

CeO2-Y2O3固体氧化物燃料电池的电化学性能

以Ｙ２Ｏ３掺杂的ＣｅＯ２为固体电解质,制备了电解质支撑的固体氧化物燃料电池。测定了Ｈ２－Ｏ２电池的电压－电流密度（Ｖ－Ｉ）和输出功率－电流密度（Ｐ－Ｉ）关系曲线。为抑制ＣｅＯ２基材料的电子导电性的影响,采用溶胶凝胶技术,在阳极与电解质间制备了一层１μｍ厚的ＹＳＺ薄膜,７５０℃时,电池开路电压由０．７３Ｖ上升到０．８２Ｖ,最大输出功率密度从３６ｍＷ／ｃｍ＾２增加到５４ｍＷ／ｃｍ＾２,增大５０％,证明ＹＳＺ阻挡膜确定能改善电池的电化学性能。     

K波段单片功率放大器

报道了Ｋ波段的ＰＨＥＭＴ ＭＭＩＣ的设计与研制。ＰＨＥＭＴ器件采用０．５μｍ栅长的３ｉｎｃｈ ＧａＡｓ标准工艺制作。三级的ＭＭＩＣ放大器在１８ＧＨｚ处,线性增益１７ｄＢ,输出功率Ｐ－１＝１９ｄＢｍ。Y     

r.f.PCVD法制备c-BN膜的研究

采用 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等技术, 对在渗硼层表面经ｒ.ｆ. Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 沉积的 Ｂ Ｎ 膜进行了研究试验证明, 与采用 Ｎ_２ 气和 Ｈ_２ 气相比, 以 Ａｒ ＋ １０ｖｏｌ％ Ｈ_２ 作为载气, 所获得的膜层ｃ-Ｂ Ｎ 含量最高, 膜厚最大, 可达４.６μｍ , 且膜基结合良好而以 Ｎ_２ 气或 Ｈ_２ 气为载气时, 前者会导致膜基结合力大大下降, 后者会引起沉积速度明显降低结果表明, 对于 Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 过程, 控制ｃ- Ｂ Ｎ 形成的主要因素是离子轰击能量的转移, 而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由ａ- Ｂ Ｎ 和ｃ- Ｂ Ｎ 组成, ｃ- Ｂ Ｎ的尺寸为２０ ～４０ｎｍ     

氧离子束辅助激光制备具有组构的YBCO薄膜

应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆（ＹＳＺ） 缓冲层薄膜,再在 ＹＳＺ／ＮｉＣｒ基底上在 ７５０℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－Ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜、 ＹＳＺ和 ＹＢＣＯ薄膜都为 ｃ－轴取向和平面织构的, ＹＳＺ（２０２）和 ＹＢＣＯ（１０３）的 Ｘ射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 １８＇和 １１＇．ＹＢＣＯ薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 ９０Ｋ（Ｒ＝０）和 ７．９ｘ１０５Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ,零磁场）．     

膜法富氮：膜性能与经济性

以目前ＰＳＡ法制氮的经济指标为依据，对富氮气体分离膜的分离性能进行了分析。结果表明，如氮气生产规模为１００Ｎｍ３／ｈ，为能经济地制取９８＋％富氮气，膜的氧渗透率Ｊ０和分离系数ａ应分别达到３．５×１０－５ｃｍ３／ｃｍ２·ｓ·ｃｍＨｇ和５．５。