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对引起片式多层陶瓷电容器(MLCC)击穿失效的主要因素进行了研究。根据MLCC的实际结构特点和材料特性建立模型,利用有限元模拟方法分析了典型缺陷对MLCC样品内部电场强度分布的影响,进一步地总结、分析了MLCC样品的击穿特性,具有一定的参考价值。 相似文献
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提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力. 相似文献
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多层陶瓷电容器Ni内电极研究进展 总被引:7,自引:3,他引:4
研制贱金属电极是降低多层陶瓷电容器成本的有效途径之一,日本已研制成用Ni电极取代银电极的生产技术,本文介绍了有关Ni电极的技术进展。 相似文献
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片式高压多层瓷介电容器最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
片式高压多层瓷介电容器(MLCC)的研制生产水平已达额定直流电压0.5~20kV。额定交流电压220~1100V,标称电容量范围为:0.5pF~0.15μF(C0G),47pF~2.2μF(X7R)。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ML-CC在V-C、TVC(温度、偏压、容量关系)、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求,设计制造技术有独到之处。高压MLCC的包装和使用须严格控制工艺过程。 相似文献
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采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86~10.46μF、tanδ为(360~390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175~205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。 相似文献
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