超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)

从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,进一步揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征.     

超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)

从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,进一步揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征.     

真空电子技术

1’N 10,『1’闪4 00050105硅锥阴极中电子输运的数值模拟/皇甫鲁江,朱长纯(西安交通大学)l]半导体学报.一1999,20(11).一1015一1021引入半导体器件数值模拟的方法,即求解漂移一扩散模型为基础的半导体基本方程,对硅锥阴极中载流子的输运过程进行了数值模拟.这一方法可以比较全面地描述载流子输运对硅锥阴极状态的影响.模拟的结果表明,考虑发射电流后,发射电子的供给函数较零电流近似日寸小.另外,在一定条件下,由于电子输运、SRH产生一复合率和碰撞电离产生率的限制,发射电流存在一个上限;强渗透电场下,硅锥阴极顶端内部发生明显的碰撞电…     

硅锥阴极中电子输运的数值模拟

引入半导体器件数值模拟的方法,即求解漂移扩散模型为基础的半导体基本方程,对硅锥阴极中载流子的输运过程进行了数值模拟．这一方法可以比较全面地描述载流子输运对硅锥阴极状态的影响．模拟的结果表明,考虑发射电流后,发射电子的供给函数较零电流近似时小．另外,在一定条件下,由于电子输运、ＳＲＨ产生复合率和碰撞电离产生率的限制,发射电流存在一个上限;强渗透电场下,硅锥阴极顶端内部发生明显的碰撞电离．     

半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)

在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。     

应用于CdTe太阳能电池热离子发射与扩散理论

该文运用了载流子的热离子发射理论与扩散理论来分析类型II异质结CdTe薄膜太能电池的载流子输运过程,得到了一个综合而全面的载流子电流电压输运方程;由该输运方程可知,对于窄准中性区的CdTe太能电池,流过其结的总电流由热离子发射过程来制约;反之,则由扩散过程来限制结的总电流。对于基于类型II异质结的薄膜太阳能电池,该输运方程可以为其更深入的研究,如各类掺杂情况边界条件的确定、转换效率的计算等,提供很好的理论基础。     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据．     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据。     

InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究

针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系,以及理想因子与温度的变化规律.实验结果证实,在低注入强度下,由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导,电流电压特性符合相应的推导结果,随着注入强度的增大,参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加,温度对输运机制的影响逐渐增大.     

脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究

研究了强激光辐照半导体材料Insb时的热输运、自由载流子输运和光子输运过程,探讨了激光对半导体材料的损伤机理。为半导体材料的辐射效应和抗辐射加固技术提供了一个理论证据。     

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.     

半导体DH条型注入激光器中侧向载流子波导引起的本征自脉动

本文从理论上分析DH条型半导体注入激光器的侧向光场和载流子分布及其相互作用对瞬态过程的影响.首次较严格地实现了速率方程和场方程联立用数值法求瞬态解.计算结果表明,在载流子的折射率波导和扩散较大时,在一定的电流范围内条型激光器有可能出现以侧向束宽有持续的、明显的振荡为特征的“本征”自脉动.     

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.     

异质结构中载流子输运的二维自洽全能带系综蒙特卡罗模拟

本文展示了一个用于异质结构模拟的二维全能带系综蒙特卡罗 模拟器,它通过自洽求解二维泊松和波尔兹曼方程,同时处理 了载流子在两种不同半导体材料以及其其界面处的输运。本文 给出了该蒙特卡罗模拟器的内部结构,包括通过赝势方法计算 得到全能带结构、包含的不同散射机制和对载流子在两种不同 半导体材料边界输运的适当处理。作为验证,我们对两种不同 掺杂的Si-Ge异质结—p-p同型异质结和n-p异型异质结进行了 模拟,给出了其I-V特性以及电势和载流子浓度分布,这些结果 验证了我们的异质器件蒙特卡罗模拟器的有效性。     

强电场作用半导体非平衡载流子输运的瞬态特性研究

根据量子统计理论,结合材料的晶格结构和能带特点,研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性;分析了电子-声子相互作用的微观状态和弛豫过程,对强电场作用下非平衡载流子的分布函数、弛豫过程及输运过程的非线性特性和瞬态特性进行了研究,揭示出非平衡载流子的微观相互作用及瞬态输运机理.     

掺杂单壁碳纳米管的电流特性

依据Boltzmann方程及单壁碳纳米管(SWNTs)能量色散关系,对单个掺杂SWNTs(金属型和半导体型)所加偏压、掺杂浓度及管口直径影响输运电流的性质进行数值计算.分析表明,掺杂SWNs中的电流随偏压变化呈现跃变结构;管口直径、掺杂后Fermi能级附近的态密度以及各通道输运电子的能力直接决定电流的特性,如电流强度、跃变间隔及跃变幅度;同时电流的特性也与温度有关.     

掺杂单壁碳纳米管的电流特性

依据Boltzmann方程及单壁碳纳米管(SWNTs)能量色散关系,对单个掺杂SWNTs(金属型和半导体型)所加偏压、掺杂浓度及管口直径影响输运电流的性质进行数值计算.分析表明,掺杂SWNs中的电流随偏压变化呈现跃变结构;管口直径、掺杂后Fermi能级附近的态密度以及各通道输运电子的能力直接决定电流的特性,如电流强度、跃变间隔及跃变幅度;同时电流的特性也与温度有关.     

异质半导体器件方程组的准量子理论

本文根据在异质半导体材料中,载流子能量是位置函数这一特点,分别从玻尔兹曼传输方程和电动力学公式得出了对异质材料器件也适用的电流密度方程、连续性方程和泊松方程。除连续性方程与经典形式相同外,其余的均增加了新项。表明在异质材料中,影响载流子输运的作用力,除了传统的“电场漂移力”和“扩散力”外,还存在由于能带位置关系形成的“能场力”和由于态密度位置关系形成的“促扩力”。     

连续波激光辐照光伏型探测器的光电饱和效应

从描述载流子输运的基本方程入手 ,建立了描述载流子和电场的动力学方程。利用数值方法 ,得到不同参数激光辐照探测器时的光生电动势 ,以及达到载流子饱和所需的激光阈值强度。     

（英）中红外量子级联激光器输运特性的仿真

基于一种非局域化的输运模型,对不同结构不同温度下的中红外量子级联激光器的输运特性进行了仿真。在这个模型中,利用量子隧穿、微带隧穿以及热载流子输运等长程载流子输运模型,对传统的扩散-漂移方程进行了矫正.并将基于上述集成模型的计算结果和实验结果进行了比较,通过拟合参数的合理设置,计算结果和实验结果得到了很好的吻合.