BaTiO3制备方法的探讨

目前,国内外制备纳米陶瓷材料 BaTiO3的主要方法是固相烧结法、液相合成法等,针对液相合成方法存在的问题,着重介绍了较为先进的超重力沉淀法;并分析了各种制备工艺的特点与不足.液相合成方法包括溶胶-凝胶法、水解法、水热合成法和化学沉淀法,分析比较了各种制备方法的优缺点.     

熔盐合成法制备CaTiO3粉体的研究

以TiO2及CaCO3为原料，CaCl2为反应介质，对熔盐合成法制备CaTiO3粉体进行研究，并与固相合成法进行比较。结果表明，熔盐合成法可将纯相CaTiO3的合成温度从固相合成法所需的1400℃降至800℃，熔盐法合成的CaTiO3粉末粒度较小（〈0．5μm），分布均匀，且具有很高的分散性。在熔盐合成法中由于Ca—CO3及TiO2在熔融CaCl2中有较高的溶解度，两者可在其中通过“溶解析出”机理进行反应，从而在较低的温度下生成单一相的CaTiO3。     

金属硫族化合物晶体的研究进展

金属硫族化合物具有特殊的物理化学性质，在半导体材料、催化剂载体、固体化学、电磁及光学特性等高科技领域具有不可替代的重要性．近10年来人们竞相研究，用各种方法合成了成百上千新的金属硫化物、硒化物和碲化物，形成0～3维多硫金属材料，其晶体合成方法有：电化学法、固相合成法、溶剂热法等．文章综述了金属硫族化合物几种合成方法、介绍了晶体的结构特征及其新进展．     

功能型离子液体制备及应用的试验研究

综述了离子液体的制备方法及辅助合成手段的研究进展,包括一步合成法、两步合成法、微波合成法、超声波合成法,并介绍了其在CO_2,SO_2,NO_x及重金属Hg等多种污染物联合脱除技术中的应用.     

纳米结构聚苯胺的合成及性质

结合最新研究现状,简述了纳米结构聚苯胺的结构、掺杂特点及性质,并详细介绍了具有纳米结构聚苯胺的合成方法.采用化学合成和电化学合成方法均可成功制备纳米级导电聚苯胺粒子.化学合成法主要包括各种软、硬模板法以及非模板合成法.值得指出的是非模板合成法中的界面聚合法及快速混合反应法是获得大量的、形貌及尺寸可控的、高品质纳米结构聚苯胺的简易新方法.     

锂基硅酸盐吸附剂的合成及性能研究

采用高温固相合成法和沉淀法分别制备了高温CO2吸附剂正硅酸锂(Li4SiO4),利用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对吸附剂进行表征,化学吸附仪测试CO2吸附/脱附性能,研究了合成方法、焙烧温度、锂硅物质的量比和不同硅源对吸附剂的影响。实验结果表明,在750℃下沉淀法制备的吸附剂比固相法合成的颗粒分布均匀,经过6次CO2(VCO2/VHe=1∶5)吸附-解吸循环后,以SiO2-II为硅源的沉淀法吸附剂吸附量由13.38%降为9.92%,解吸量由11.74%降为8.52%;以SiO2-I为硅源的沉淀法吸附剂的吸附量、解吸量大约下降2.61%、2.39%,固相法吸附剂的吸附量、解吸量分别下降1.85%、1.42%。     

骨质瓷用合成骨炭的研制

采用固相合成法,用廉价的碳酸钙和磷酸氢钙等作原料,在特定温度条件下进行固相合成反应,可以得到一种用于生产陶瓷用品的粉末状合成骨炭,其主要成分是羟基磷酸钙。将合成得到的骨炭产品按照骨质瓷器的烧制条件,进行了烧制骨质瓷的实验验证,实验结果表明所研制的合成骨炭,不仅能满足骨质瓷器生产的质量要求,同时合成骨炭的价格低廉、生产过程清洁环保,合成骨炭产品的成本比天然骨炭的成本低40%左右。     

1,2,3,4-丁烷四羧酸的研究展望

介绍了1,2,3,4－丁烷四羧酸在纺织,化工,冶金,电子等行业的用途,综述了其制备现状,包括化学合成法,辐射合成法和电化学合成法,提出了今后应加强开发电化学氧化法,SPE法,成对电合成技术及声化学法制备BTCA的建议。     

微观结构对Ni-SDC阳极电化学性能的影响

用甘氨酸-硝酸盐法制备了具有高比表面积的纳米粒子NiO和Ce0．85Sm0.15O2—8（SDC）,用固相合成法制备了Ni—SDC复合阳极材料,通过测量过电位和电导率对其性能进行比较,研究微结构对复合阳极电化学性能的影响．结果表明,由于阳极组成和制备条件不同导致的微结构的变化,对阳极性能有很大影响．通过调整微结构,可以使阳极过电位和电导率明显改善．用甘氨酸-硝酸盐法制备SDC与NiO初始粉末,将2种初始粉末在600℃预烧,混合后得到的复合阳极具有优异的电化学性能．在600℃时,样品在氢气气氛下的电导率达到了3534S／cm,电流密度为0．5A／cm。时样品过电位是0．18V．     

高岭土的精细处理及其在新材料中的应用

介绍了高岭土的多种化学漂白方法和原理，以及在新材料中的应用．连二亚硫酸盐法、酸溶氢气还原法、浮选法、焙烧和酸处理等是低成本漂白、除杂的实用方法．高岭土可应用于合成PVC电缆料中的电性改良剂、4A沸石、聚氯化铝和白碳黑等；在制备Sia-10n和Al2O3／SiC复相陶瓷粉末中，采用高岭土和碳为原料，在不同的气氛下，经碳热还原原位合成，制备出复相陶瓷或复相陶瓷粉末，大大降低了合成制备复相陶瓷粉末的成本。     

Structure and Composition of Crystalline Carbon Nitride Films Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Crystalline carbon nitride thin films were prepared on Si (100) substrates by a microwave plasma chemical vapor deposition method, using CH4/N2 as precursor gases. The surface morphologies of the carbon nitride films deposited on Si substrate at 830℃ are consisted of hexagonal crystalline rods. The effect of substrate temperature on the formation of carbon nitrides was investigated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicated that the maximum value of N/C in atomic ratio in the films deposited at a substrate temperature of 830℃ is 1 .20, which is close to the stoichiometric value of C3N4. The X-ray diffraction pattern of the films deposited at 830℃ indicates no amorphous phase in the films, which are composed of β- and α-C3N4 phase containing an unidentified C-N phase. Fourier transform infrared spectroscopy supports the existence of C-N covalent bond.     

Structure and Composition of Crystalline Carbon Nitride Films Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Crystalline carbon nitride thin films were prepared on Si (100) substrates by a microwave plasma chemical vapor deposition method, using CH4/N2 as precursor gases. The surface morphologies of the carbon nitride films deposited on Si substrate at 830℃ are consisted of hexagonal crystalline rods. The effect of substrate temperature on the formation of carbon nitrides was investigated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicated that the maximum value of N/C in atomic ratio in the films deposited at a substrate temperature of 830℃ is 1.20, which is close to the stoichiometric value of C3N4. The X-ray diffraction pattern of the films deposited at 830℃ indicates no amorphous phase in the films, which are composed of - and -C3N4 phase containing an unidentified C-N phase. Fourier transform infrared spectroscopy supports the existence of C-N covalent bond.     

黑稻壳合成氮化硅微粉反应的分数维模型研究

应用分形理论,建立了用黑稻壳颗粒合成氮化硅粉末的分数维反应模型．计算结果表明：在以氨气作为氮化气源时其合成反应速率是受化学反应控制的;达到相同的转化率时,黑稻壳颗粒表面结构的分维数越大,其相对反应时间越短．     

SiC(N)纳米粉体的吸波性能研究

采用CVD法合成了SiC(N)纳米粉体。在NH3流量为0－480ml/min范围内，合成了氮原子百分含量随NH3流量逐渐增大的一系列SiC(N)纳米粉体。研究了SiC(N)纳米粉体的介电常数和介电损耗角正切与粉体组成的关系，发现介电常数的实部、瞄部和介电损耗角正切均随粉体中氮原子摩尔分数的升高而降低，依据粉体的介电常数设计了双层吸波涂层，涂层的吸波效果随粉体氮含量的升高而降低。N原子取代SiC晶格中C产生的带电缺陷在电磁场作用下的极化驰豫是SiC(N）纳米粉体吸波的主要机理。     

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.     

MPCVD法AlN基体上金刚石薄膜的制备

以丙酮和氢气作气源,采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在AlN表面制备金刚石薄膜,并通过拉曼光谱（Raman）,扫描电子显微镜（SEM）对沉积得到的金刚石薄膜进行表征.研究表明：直接在AlN表面沉积因金刚石的形核密度很低而很难得到连续的金刚石薄膜.利用金刚石微粉研磨AlN表面有利于金刚石形核密度的提高,Raman分析和电镜观察发现：所得的金刚石薄膜存在杂质和缺陷,没有明显的刻面特征,而且是由粒径较大的球状颗粒堆积而成.     

HFCVD法制备SiC材料及结构分析

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为SiC晶体.     

Liquid droplet movement on horizontal surface with gradient surface energy

A surface with gradient surface energy was fabricated on a silicon wafer by using the chemical vapor deposition (CVD) technology with the dodecyltrichlorosilane (C12H25Cl3Si) vapor which was adsorbed chemically on the surface of the silicon wafer to form a self-assemble monolayer (ASM) and thus a gradient profile of wettability. The microscopic contours of the gradient surface were measured with Seiko SPA400 atom force microscope (AFM). And the surface wettability profile was characterized by the sessile drop method, measuring the contact angle of fine water droplets that lay on the gradient surface, to represent the distribution of the surface energy on the surface. Using a high-speed video imaging system, the motion of water droplet on the horizontal gradient surface was visualized and the transient velocity was measured under ambient condition. The experimental results show that the liquid droplets can be driven to move from hydrophobic side to hydrophilic side on the horizontal gradient surface and the velocity of droplet can reach up to 40 mm/s. In addition, the motion of the water droplet can be generally divided into two stages: an acceleration stage and a deceleration stage. The droplet presents a squirming movement on the surface with a lower peak velocity and a larger extent of deceleration motion. And the static advancing contact angle of the droplet is obviously larger than the dynamic advancing contact angle on the gradient energy surface.     

对DC-PCVD装置沉积Si_3N_4薄膜机理的研究

使用直流等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)装置,控制合适的工艺参数可对置于其阴阳极上的试样沉积出以Si_3N_4为主要成分的薄膜,本文提出了在阴极以及阳极上都能使试样表面得到这种薄膜的机制模型。正电荷的积累和自由电子的质扩散对于阴极试样表面薄膜的形成起着重要的作用。阳极试样表面薄膜的形成则与电子的积累和正离子的扩散及重力对粒子的作用有关。     

Design,preparation, and structure of particle preforms for Si3N4（p）/Si3N4 radome composites prepared using chemical vapor infiltration process

A particle preform was designed and prepared by conglomerating and cold-pressed process, which was condensed by chemical vapor infiltration （CVI） process to fabricate silicon nitride particles reinforced silicon nitride composites. The conglomerations are of almost sphericity after conglomerated. There are large pores among the conglomerations and small pores within themselves in the preform according to the design and the test of pore size distribution. The pore size of the preform is characterized by a double-peak distribution. The pore size distribution is influenced by conglomeration size. Large pores among the conglomerations still exist after infiltrated Si3N4 matrix. The conglomerations, however, are very compact. The CVI Si3N4 looks like cauliflowershaped structure. 2008 University of Science and Technology Beijing. All rights reserved.