金属有机化合物在材料合成与制备中的应用

1849年英国化学家用有机化合物乙基碘加热金属锌时,产生了一种含Zn、C、H的有毒且极易反应的液态化合物。这是第一次发现这种既是有机物,又含一个金属原子的化合物——二乙基锌,而且它不像大多数金属化合物通常呈结晶固态。自此以后,化学家     

半导体用有机金属化合物

日本东洋斯特法化学公司与专门制造有机金属化合物的得克萨斯烷基(Texas Al-kyls)公司进行技术合作,以 MO-CVD 法(金属有机化合物—化学气相沉积法—译者注)生产超高纯半导体有机金属化合物。该公司自1980年从得克萨斯烷基公司引     

Ⅲ—V族MO源研究新进展

用金属有机化合物化学汽相沉积的方法制备半导体材料,大大推动了电子工业的发展。该技术已在微波、光电和太阳能电池等器件制备中得到应用。从金属有机化学的角度,论述了采用加合物方法提纯MO源的原理、MO源纯度与半导体材料质量的关系,新MO源的开发及对MO源的展望。     

ZnO薄膜气相法制备

ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用十分广泛。介绍了ZnO薄膜气相法制备原理中的各类主要方法,包括脉冲激光沉积、磁控溅射、分子束外延、金属有机化合物化学气相沉积、单源化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积等技术;分析了这些方法的优缺点;展望了ZnO薄膜今后的研究方向。     

微电子技术用高纯金属有机化合物的制备问题

研究了制备高纯金属有机化合物的一些问题,讨论了在合成阶段以及采用蒸馏和结晶方法高度纯化金属有机化合物时杂质组份形成的问题。发现了高度纯化金属有机化合物以除去极小悬浮粒子的问题,以及金属有机化合物设备及贮存、运输容器材料的污染作用。当前,在用MOCVD法生产半导体结构材料时,对高纯挥发性化合物发生了兴趣。如     

制备金属有机化合物的隔氧,隔水操作法

由于大多数金属有机化合物对空气中的水份和氧气十分敏感,如氧化(甚至自燃)、分解等。所以,必须采取特殊的技术进行操作。根据文献介绍,结合我们近几年来的工作经验,对金属有机化合物合成和分析的操作方法介绍如下。一、不稳定金属有机化合物的一般操作方法许多金属有机化合物主要对水、空气、光及热不稳定。为此,对这些化合物要防止     

金属薄膜材料的低温光化学生长

新一代紫外光源－－激发态双分子紫外光源（Ｅｘｃｉｍｅｒ ＵＶ Ｓｏｕｒｃｅｓ），因其高输出能量，低的反应温度，反应时间 可以大面积应用的优越特性，在物理、化学、医学领域，特别是在现代光刻技术、微电子技术中展现了极广的应用前景。本文报道Ｅｘｃｉｍｅｒ上光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究。金属钯是一种优良的催剂，首先在各种衬底如：Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、玻璃以及聚合物等上面淀积钯的金属有机化合物薄膜，再     

金属有机化合物在制备半导体材料中的应用

简单介绍了金属有机化合物的制备及其在光电薄膜．陶瓷薄膜及纳米级半导体材料中的应用。     

气态源分子束外延及其源材料

一、引言分子束外延(MBE)和金属有机化合物汽相外延(MOVPE)是两个先进的材料外延技术。气态源分子束外延(GSMBE)[化学束外延(CBE)、金属有机化合物分子束外延(MOMBE)]是由前两项技术发展起来的。这种外延具有分子束流性质,同时,它在外延过程中向生长室引入并精确地控制气体,兼有MBE和MOVPE两项技术的优点。目前,国内已开展气态源分子束外延技术的研究。国外用此技术已研制了多种优质材料和器件,其GaAs外延膜峰值电子迁移率已达300000cm~2/V·s,所研制的器件结构有光电二极管、三极管、多量子阱激光器、分布反馈激光器、光双稳器件、高迁移     

氧化物化学汽相淀积装置的研制

日本氧气公司用独特的技术研制了以金属有机化合物为原料,制造超导薄膜用的氧化物化学汽相淀积装置。第一台装置已由电子技术综合研究所接受订货。该装置与以前阴极真空喷镀装置相比,具有薄膜组成容易控制的优点。     

光纤化学传感器的研究及其在环境分析中的应用

本文综述了光纤化学传感器的特点、工作原理、类型及各类光纤化学传感器(气敏、pH、金属离子和有机化合物等)的研究进展及其在环境分析中的应用,分析了近年来光纤化学传感器的技术发展和应用趋势。     

含Fe聚合物混合薄膜的制备

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积技术（ＰＥＭＯＣＶＤ）制备含Ｆｅ聚合物混合薄膜，系统考查了偏压，源物加工热电压，沉积位置对膜沉积的影响，对膜的组成和结构进行了研究。     

钌(Ⅱ)金属有机化合物的合成及抗肿瘤活性研究进展

综述了钌(Ⅱ)金属有机化合物的合成和它们在抗肿瘤方面的研究进展,并重点阐述具有"半三明治"结构的环戊二烯基和芳香基钌金属有机化合物的合成、结构和抗癌活性.     

高纯挥发性元素金属有机化合物的杂质组份

高纯挥发性元素金属有机化合物的杂质组份等继文献［１，２］中所报道的挥发性氯化物和氢化物高纯样品后，本文介绍了展品中的挥发性金属有机化合物样品的杂质组份和数据．展览会上共提供挥发性元素有机化合物（ＯＣ）２８种物质的３５个样品（表１）。其中元素烷基化合物...     

金属有机非线性光学材料

本文介绍了非线性光学的简史，非线性光学材料的分类及应用，简述了金属有机非线性光学材料的原理，从分子工程和晶体工程的角度讨论了金属有机非线性光学材料的结构与性质的关系，综述了目前已研究的金属有机化合物和金属有机聚合物的二阶、三阶非线性光学材料，二阶非线性光学材料按目前所做的工作可以分成二大类：一类是含有芳香基或杂环的过渡金属羰基化合物；一类是含有二茂铁基和吸电子基的共轭体系化合物。三阶非线性光学材料的研究工作主要集中在酞菁类的金属配合物上，本文对金属有机化合物作为非线性光学材料的独特之处进行了总结，并对金属有机非线性光学材料的前景作了展望。     

MOCVD技术及其源材料

外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。汽相外延生长中又可依据原料的不同分为氯化物工艺、氢化物工艺和MOCVD工艺(金属有机化合物化学汽相淀积)。     

高纯金属有机化合物的发展动向与前景

一、引言金属有机化合物(简称MO)的研制是当今最有发展前途的技术之一,MO最吸引人的特点是它的多样性,其种类几乎是无限的,每一种都具有独特的化学性质。MO的开发是作为化学反应催化剂开始的,迄今,虽已有几十年的历史,但还只是开端。1968年,美国Rockwell公司的Manasevit采用烷基镓和砷烷,首次在绝缘衬底上,用MOCVD工艺成功地制备了GaAs单晶薄膜,这是一个重大突破。随后,20年来,特别是近10年来,MO的研制和开发应用获得了较大     

氢的离子探针分析

一、离子探针作氢分析的现状和发展氢是地球上相当丰富的天然生成元素,水和有机化合物中都含有大量的氢。它溶解于金属又会造成灾难性的氢脆,因此金属中局部地区氢含量的多少已成为人们十分     

探讨含过渡金属配合物的合成、晶体结构及性质

随着时代的进步和社会经济的发展,多金属氧酸盐得到了较为广泛的应用,这是因为在诸多的领域内,它所表现出来的性质都比较的优异,如催化化学、药物化学、分析化学等,受到了人们的关注和重视。在很多的文献中已经研究了含过渡金属配合物修饰的多金属氧酸盐的合成、晶体结构和性质,本文结合以往的研究结果,进行了深入的探讨。     

磁性钴纳米粒子的制备和应用

介绍了制备磁性钴纳米粒子的方法 ,尤其是介绍了近年发展起来的高温液相法 ,即高温液相还原法 ,金属盐醇解法和金属有机化合物热分解法 ;同时就制备颗粒尺寸小、粒度分布均匀的钴纳米粒子所采用的两种表面活性剂从理论上给予了说明。最后简单介绍了磁性金属钴纳米粒子的主要应用。