一种采用雪崩三极管——电子管混合型双脉冲Q开关驱动电源

本文给出用雪崩三极管－－电子管构成的双脉冲Ｑ开关驱动电源的新型实际电路设计。     

高压大功率开关三极管的应用

近年来各种形式的脉宽调制式开关电源在国内得到了迅速发展,开关电源随着其性能的不断完善,正在逐步取代传统的串联调整型稳压电源.与经典的串联调整稳压电源相比较,脉宽调制型开关电源具有以下明显优点:     

基于雪崩三极管的新型并级联脉冲发射技术

针对雪崩三极管构成的Mark级联电路高幅值需要多级级联以及雪崩三极管制作工艺造成的多级电路不能同时触发等缺点,设计了一种特殊的并级联结构,使整个电路在临界雪崩电压值的直流电源供电条件下同时触发,产生信号质量明显优于同级数Marx电路的高幅值、窄脉宽的脉冲信号。文中对雪崩效应的原理进行分析,然后讲述雪崩三极管级联电路的工作原理,在此基础上介绍改进之后的并级联电路,并对其进行仿真分析和实物测试,可以得到上升沿1.9 ns、脉宽4.25 ns、幅值300 V左右的负脉冲,结果表明改进后的脉冲发生装置性能得到很好的改善。     

基于雪崩三极管的高重频高稳定度脉冲源研究

基于雪崩三极管的脉冲源具有稳定度高、脉冲窄、上升时间短等优点,分析了雪崩三极管脉冲源稳定度的影响因素。采用适当的优化措施提高了稳定度指标,设计了高稳定度的雪崩三极管脉冲源,脉冲峰值电压1500V(50Ω负载),脉冲宽度1ns,上升时间200ps,具有很高的稳定度指标:短时抖动小于30ps,长时漂移小于100ps/min,峰值电压和脉冲宽度抖动小于1%。通过对改进脉冲电路的充电形式,实现了重复频率为60kHz的脉冲输出。     

带有双极型开关三极管的离线式开关稳压器

STR-S6707、STR-S6708和STR-S6709专门用于满足离线性准共振反馈式稳压器的需要,可增加其集成度和有效性.与之配合使用的是带有一只高压双极型开关三极管的初级PWM驱动电路.     

带有双极型开关三极管的离线式开关稳压器

STR-S6707、STR-S6708和STR-S6709专门用于满足离线性准共振反馈式稳压器的需要,可增加其集成度和有效性。与之配合使用的是带有一只高压双极型开关三极管的初级PWM驱动电路。稳压器内的电流限制、滞后欠压锁闭、过压保护和超温可在一般和过载情况下起保护作用。在一段短廷时后,过压保护被箝位,一个通用的三重电平抑制电路     

一个实用的飞机姿态线产生器

现代机载火控雷达下视显示器的屏幕显示内容,除了需要考虑具有类似地面雷达显示器上的相应功能外,往往还要考虑到适应空战及载机的实际需要,增添某些表征机上武器系统及载机飞行状况的“特色信息”。指示载机飞行姿态的显示信息——飞行姿态线就是其中较有代表性的一种。它可以指示出飞机与地平面的相对关系,使飞行员对载机的瞬时运动有一个比较直观的自我感觉,从而抓住有利战机,克敌制胜。     

基于Marx发生器的快速Q开关驱动电路设计

针对电光Q开关要求速度快的特点,提出基于Marx发生器的高压快速调Q驱动电路的设计方法。利用高压模块产生一级高压为并联电容充电,采用变压器隔离驱动8路MOS管。当触发信号引入时,功率MOS管导通使电容串联同时放电,从而电压倍增获得快速的高压脉冲。实验结果表明:通过该方法获得了上升沿12 ns,幅值3 000~4 000 V数字可调的高压脉冲波形。相比于传统脉冲变压器法的波形,上升时间减小了近35 ns。此调Q电路已应用于激光二极管（LD）泵浦的固体Nd:YAG激光器中,且长期稳定工作。     

雪崩模式下的体结构GaAs光导开关

利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2 mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验,当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后,开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时,在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压,实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试,其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,开关获得了最小抖动约700 ps。     

基于PCI总线的红外场景产生器设计

红外场景产生器是红外成像导引头的信息处理机的性能的测试和评价的重要设备.提出了一种基于PCI总线实时红外图像场景产生器设计.详细描述了该系统的硬件结构、工作流程以及软件设计.经过对样机的测试证明,产生的视频场景能够满足技术指标要求.     

三极管特性曲线实验的回扫线问题研究

模拟与数字电路实验是信息和电气电子技术类必修的一门课程,其目的是培养学生实践动手及思考解决问题的能力。本文从三极管特性曲线测试中出现的回扫线现象出发,引导学生的思考物理现象,从所学知识进行理论分析,然后在实验中解决问题。最后从仿真和实验结果论证中,使学生获得理论和实践知识的融合。     

一种采用智能功率开关的开关稳压电源

笔者用智能功率开关BTS412,试制了一种开关稳压器,其电路简单,价格便宜,易于调试,而且具有过流、过热、短路等保护。适合市电变化范围大的区域使用。一、智能功率开关简介智能功率开关是国际上近年发展起来的新颖功率器件。这里所用 BTS412器件,是西门子公司的产品。它具有以下特点:(1)在负载短路时,能快速切断电路,进行自我保护;(2)器件温升超过一规定值时,能立即切断电路,进行自我保护;(3)有单独引脚作故障输出     

用于1.06微米外部脉冲选择的高性能雪崩管开关

本文叙述雪崩管开关的设计和性能。它能从连续或 Q 开关锁模脉冲序列中选取单一脉冲,选取的脉冲幅度变化小于1%。前脉冲衰减率超过10~7,寿命超过10~7次。近六个月每日使用,此开关非常可靠,很少维修。     

采用快速建立双电荷泵技术的扩频时钟产生器设计

传统的扩频时钟产生器具有较长的建立时间,同时芯片面积较大。针对上述问题,给出了一种采用快速建立双电荷泵技术的低抖动分数扩频时钟产生器(SSCG)的设计。快速建立双电荷泵技术不但可以减小芯片面积,而且通过控制SSCG建立过程中电荷泵(CP)的工作顺序来缩短建立时间。SSCG中的多模分频器采用差分动态触发器技术来减小芯片面积,降低功耗和抖动。SSCG采用0.13μm CMOS工艺制造,3.91μs的建立时间远快于采用传统SSCG技术的8.11μs,在1.5 GHz 250个周期内随机抖动和总抖动分别为2.7 psrms和3.3 psrms。EMI减小了10 d B,符合SATA的技术要求。芯片面积为0.3 mm×0.7 mm,功耗为18 m W。测试结果表明,采用快速建立双电荷泵技术,建立时间大幅度缩短,芯片面积也有了较大的优化。     

Diodes推出采用新型PowerD15封装的双极型三极管

Diodes公司推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。首批采用新型PowerD15封装的NPN及PNP晶体管产品适用于数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用。     

外泵浦相位共轭激光器的类三极管特性与阈值开关特性

通过对外泵浦相位共轭激光器(EPPOL)的工作状态同三极管放大电路的工作状态的对比,发现EPPOL具有同三极管相类似的工作状态。此外,EPPCL的输入与输出光强之间的关系具有阈值开关特性。     

采用负反馈结构设计的高性能MOS开关

采样保持电路是高速高精度模/数转换器的重要组成部分。采样保持电路中的MOS开关的性能会影响到整个系统的信噪比(SNR)和信号噪声及失真比(SNDR)等各项指标。本文设计的负反馈结构,实现了MOS开关的导通电阻和输入信号无关,同时还采用了电容充放电技术,极大程度上减小了开关在采样过程中对信号的影响。     

采用新薄膜材料的光开关

日本松下电器工业公司研制成新的光集成电路用材料——PLZT[(PbLa)(ZrTi)O_3]薄膜电光材料,并用这种新材料试制成高效率PLZT薄膜光开关.这种PLZT外延薄膜的效率是铌酸锂的10倍,用它制作的光开关在低压(5～10伏)下就能驱动,而且开关速度     

采用光导半导体开关的脉冲功率系统

光导半导体开关已用于脉冲功率系统,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进。介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求,并讨论了试验结果。